孔的光學臨近效應修正方法技術

本發(fā)明專利技術公開了一種孔的光學臨近效應修正方法，該方法在對孔圖形數(shù)據(jù)進行光學臨近效應修正前，將一個或多個原始孔圖形的一個或多個角切除，以相應增加孔圖形的邊數(shù)。該方法通過改變孔圖形的形狀，增大了孔圖形在非正交方向的OPC修正空間，從而增大了孔圖形的光刻工藝窗口。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術涉及半導體集成電路制造領域，特別是涉及一種。
技術介紹
目前，光學臨近效應修正(OPC, Optical Proximity Correction)技術，作為一種分辨率增強技術(RET, Resolution Enhancement Technology),已普遍應用于 0. 13 U m 技術節(jié)點以上的關鍵層工藝。但是，隨著半導體工藝尺寸的日益縮小，圖形的設計規(guī)則(design rule)越來越小，同時也越來越復雜。如何配合光刻工藝進行工藝窗口的擴大(例如，基于光刻工藝窗口的OPC修正方法)，已成為目前OPC工藝的研究方向。在孔圖形層次，目前的設計規(guī)則檢查(DRC, design rule check)軟件對于圖形與圖形的距離都是通過邊與邊之間的距離，而不是點與點之間的距離來定義的。假設孔圖形層次的設計規(guī)則為孔的大小為a，孔與孔之間的最小間距為b。由于設計規(guī)則檢查軟件的功能設置，孔與孔之間的距離一般必須保證數(shù)值b。當孔與孔之間位于同一直線時，圖形間距離的定義如圖1所示；當孔與孔之間的位置不在同一直線上時，圖形間距離的定義則如圖2所示。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術要解決的技術問題是提供一種，它可以增大孔圖形的光刻工藝窗口。為解決上述技術問題，本專利技術的，在對孔圖形數(shù)據(jù)進行光學臨近效應修正前，將一個或多個原始孔圖形的一個或多個角切除，以相應增加孔圖形的邊數(shù)。本專利技術通過調(diào)整孔圖形的形狀，規(guī)避了孔圖形受MRC的限制，增大了孔圖形在非正交方向的OPC修正空間，從而間接增大了孔圖形的光刻工藝窗口。附圖說明圖1 2是現(xiàn)有設計規(guī)則檢查軟件定義圖形間距離的方式示意圖；其中，圖1中的兩孔位于同一直線；圖2中的兩孔處在非正交位置。圖3 4是采用本專利技術的方法后，確定圖形間距離的方式示意圖。圖5是用本專利技術實施例的方法對90nm節(jié)點的SRAM的圖形進行OPC修正得到的結果圖。具體實施例方式為對本專利技術的
技術實現(xiàn)思路
、特點與功效有更具體的了解，現(xiàn)結合圖示的實施方式詳述如下本實施例的孔的OPC修正方法，其具體步驟如下步驟I,通過EDA (Electronic Design Automation,電子設計自動化)軟件畫出正方形的孔圖形。孔的大小(即正方形邊長)為a，孔與孔之間的距離為b (最小距離)。所述EDA軟件可以是Mentor的Calibre DRC工具，也可以是其他EDA工具。步驟2，通過EDA軟件將需要調(diào)整形狀的孔圖形切去角。被切除的角的直角邊長小于正方形孔的邊長的1/2。步驟3，對步驟2得到的孔圖形數(shù)據(jù)做OPC修正。經(jīng)過上述修正后，孔與孔之間的距離由b擴大為b’，如圖3所示。由于設計規(guī)則檢查軟件要求孔與孔之間的距離達到最小距離b即可，因此，我們可以適當?shù)財U大孔的大小，如圖4所示，孔可以從a擴大到a’(此時孔與孔之間的距離為最小距離b)。應用上述方法對90nm節(jié)點的SRAM的圖形(產(chǎn)品為EF90，嵌入式閃存)進行OPC修正，得到如圖5所示的結果，圖中，內(nèi)部輪廓線圍成的圖形(即斜線填充的圖形)為孔層OPC修正前切除角的圖形；外部輪廓線圍成的圖形(即黑點填充的圖形)為孔層OPC修正后的圖形。在實踐中，也可以通過EDA軟件直接畫出去掉角的八角形孔圖形，然后再對半導體芯片數(shù)據(jù)做OPC修正。綜上，本專利技術的孔的OPC修正方法，通過引入切除孔圖形的角，形成一條小邊，規(guī)避了孔圖形由于掩膜版規(guī)則檢查MRC(Mask Rule Check)的限制，增大了孔圖形在非正交方向的OPC修正空間，從而間接增大了孔圖形的光刻工藝窗口，而在正交方向，孔與孔之間還是會被原來的MRC限定住，因此，不會出現(xiàn)過度修正。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
孔的光學臨近效應修正方法，其特征在于，在對孔圖形數(shù)據(jù)進行光學臨近效應修正前，將一個或多個原始孔圖形的一個或多個角切除，以相應增加孔圖形的邊數(shù)。

【技術特征摘要】
1.孔的光學臨近效應修正方法，其特征在于，在對孔圖形數(shù)據(jù)進行光學臨近效應修正前，將一個或多個原始孔圖形的一個或多個角切除，以相應增加孔圖形的邊數(shù)。2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述原始孔圖形為矩形。3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其特征在于，所述...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：陳福成，袁春雨，
申請(專利權)人：上海華虹NEC電子有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：