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本發明公開了一種孔的光學臨近效應修正方法，該方法在對孔圖形數據進行光學臨近效應修正前，將一個或多個原始孔圖形的一個或多個角切除，以相應增加孔圖形的邊數。該方法通過改變孔圖形的形狀，增大了孔圖形在非正交方向的OPC修正空間，從而增大了孔圖形的...該專利屬于上海華虹NEC電子有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹NEC電子有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種孔的光學臨近效應修正方法，該方法在對孔圖形數據進行光學臨近效應修正前，將一個或多個原始孔圖形的一個或多個角切除，以相應增加孔圖形的邊數。該方法通過改變孔圖形的形狀，增大了孔圖形在非正交方向的OPC修正空間，從而增大了孔圖形的...