從曝光結果改進光學鄰近模擬的方法技術

本發明專利技術公開了一種用以改進光學鄰近模擬的方法，其包含下列步驟：首先，判定多個曝光數據；提供對應所述曝光數據且從多個原始模擬參數中產生的一原始模擬結果。之后，檢驗來自所述原始模擬結果與所述曝光結果的原始誤差值來判定其是否位于一預定范圍內。接下來，所述原始模擬參數會被調整來獲得調整后的模擬參數。所述調整后誤差值位于預定范圍內的調整后模擬參數會被收集來獲得一用以在光掩模上輸出圖形的光學鄰近修正模型。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術與一種根據實際曝光結果來改善光學鄰近模擬的方法有關，以在光掩模上輸出正確的圖形。更特定來說，本專利技術是關于ー種根據實際曝光結果來改善光學鄰近模擬的方法，其通過收集誤差值小于ー預定值的調整后模擬參數，以在光掩模上輸出正確的圖形。
技術介紹
在建構光學鄰近效應修正(optical proximity correction, 0PC)模型時，晶圓上線寬量測數據的質量是其最重要的指標之一。現今的線寬量測中廣泛地采用fittinglogic法及maximal algorithm法來進行。然,現有用以建構OPC模型的OPC數據收集作法中仍有ー些問題存在。一般而言，建構ー個好的OPC模型其所需要的OPC數據是越多越好，但是這也代表會需要花費許多時間來滿足此需求。其它的問題尚有難以厘清線寬量測的變量、SEM線寬量測機臺僅能提供寬度與長度的信息、以及無法顯示角落信息等。目前，業界已有人提出了優化SEM線寬量測機臺的量測參數的方法，其可通過數個取樣點的數據來盡量降低量測變量的影響，以獲得較佳質量結果或是改變其平均值。
技術實現思路
本專利技術提出了一種根據曝光結果來改進光學鄰近模擬的方法，以在光掩模上輸出正確的圖形。首先，判定一曝光結果的曝光信息中的多個曝光數據。提供一對應所述曝光結果且根據多個原始模擬參數產生的原始模擬結果。之后，檢驗從原始模擬結果獲得的原始誤差值與從曝光結果獲得的原始誤差值以確認其是否位于ー預定范圍內。如果沒有，所述原始模擬參數會受到調整，以獲得調整后的模擬參數以及ー調整后模擬結果。從所述調整后模擬結果獲得的調整后誤差值與所述曝光結果獲得的調整后誤差值在其原始誤差值未位于所述預定范圍內時會受到檢驗。所述調整后模擬參數會受到連續的調整直到其位于所述預定范圍內為止。之后調整后誤差值未于預定范圍內的調整后模擬參數會被收集來獲得一光學鄰近修正模型，以在光掩模上輸出ー圖形。在本專利技術ー實施例中，曝光信息牽涉到一曲線圖形，如一圓形或橢圓形。在本專利技術另一實施例中，曝光數據會包含至少ー第一取樣數據、一第二取樣數據、一第三取樣數據、以及ー第四取樣數據。在本專利技術另一實施例中，所述第一取樣數據為所述曲線圖形的最大半徑與最小半徑的其中ー個。在本專利技術另一實施例中，所述第二取樣數據、第三取樣數據、以及第四取樣數據會分別對應到上述曲線圖形的最大半徑與最小半徑的其中ー個上一點的尺度，且該點會通過下列公式來判定k /2n其中n為比2大的自然數，而k為比2n小的奇數。在本專利技術另ー實施例，每ー第二取樣數據、第三取樣數據、以及第四取樣數據是從非対稱點獲得。在本專利技術另ー實施例，取樣點是從3パ2n)到(2n_3)/(2n)的群組中所選出。在本專利技術另一實施例中，原始模擬結果包含至少ー第一原始模擬數據、一第二原始模擬數據、一第三原始模擬數據、以及一第四原始模擬數據，其分別對應到曝光數據的第一取樣數據、第二取樣數據、第三取樣數據、以及第四取樣數據。在本專利技術另一實施例中，曝光數據是通過將曝光結果的影像數據與數字數據作比對而獲得。在本專利技術另一實施例中，原始模擬參數包含數值孔徑(N. A)、sigma in/out值，dsigma in/out值、影像模糊值(image diffusion)、切趾損失(apodization loss) >defstart值中的其中ー個。在本專利技術另ー實施例中，原始誤差值為ー均方根值。在本專利技術另一實施例中，調整原始模擬參數的動作可能更包含下列步驟。首先，將原始模擬參數的一第一參數調整至最小值。調整后的誤差值會被檢驗以確認其是否位于預定范圍內或是小于先前的誤差值。在本專利技術另一實施例中，其方法可能更包含下列步驟。所述第一參數在其調整后最小誤差值小于原始誤差值時會被固定。在本專利技術另一實施例中，其方法可能更包含下列步驟。所述第一參數會被調整至最大值并在第一參數調整后最小的誤差值不小于先前誤差值時會受到檢驗來確認所述調整后誤差值是否位于預定范圍內或是小于先前的誤差值。在本專利技術另一實施例中，其方法可能更包含下列步驟。首先，調整后模擬數據的下一參數會被調整至最小值。接著，從調整后的模擬結果、曝光結果、所述下ー參數、及所述固定后的第一參數來獲得ー下ー調整后誤差值并判定其是否位于預定范圍內或是小于其先前誤差值。在本專利技術另一實施例中，其方法可能更包含下列步驟。在現有調整后誤差值變得小于先前的調整后誤差值時固定所述下ー參數。在本專利技術另一實施例中，其方法可能更包含下列步驟。在最大值的第一參數的所述調整后誤差值仍未小于原始誤差值或是先前誤差值時結束所述第一參數的調整動作。在本專利技術另一實施例中，其方法可能更包含下列步驟。首先，將原始模擬參數的一第一參數調整至一第一可能值的一半。接著，檢驗所述調整后誤差值來判定其是否位于預定范圍內。在本專利技術另一實施例中，所述第一可能值為ー最小值或ー最大值中的其中ー個。在本專利技術另一實施例中，其方法可能更包含下列步驟。在所述調整后誤差值小于原始誤差值或是先前誤差值時固定所述第一參數。在本專利技術另一實施例中，其方法可能更包含下列步驟。在所述第一參數的調整后誤差值大于原始誤差值或先前誤差值時將所述第一參數調整至一第二可能值的一半并進行檢驗來判定所述調整后誤差值是否位于預定范圍內。在本專利技術另一實施例中，所述第二可能值為ー最小值與ー最大值中的其中ー個，而所述第一可能值與所述第二可能值不相同。無疑地，本專利技術的這類目的與其它目的在閱讀的人讀過下文以多種圖示與繪圖來描述的優選實施例細節說明后將變得更為顯見。附圖說明圖1-3描繪出本專利技術經由一曝光結果來改進光學鄰近模擬的方法。其中，附圖標記說明如下無附圖說明具體實施例方式本專利技術方法可借由收集可接受的調整后模擬參數來得到一用以在光掩模上輸出圖形的光學鄰近修正模型。這些調整后的模擬參數可經由本專利技術方法獲得，且其調整后誤差值會位于ー預定范圍內。圖1-3說明了根據本專利技術一曝光結果來改進光學鄰近模擬的本專利技術方法。圖1繪示出本專利技術方法的一流程圖。首先，先提供一來自實際曝光結果的曝光信息。曝光信息中會有多種的曝光數據，此即代表，為了要達到成功的曝光動作以及獲得成功的曝光結果，從曝光結果的曝光信息中所獲得的多個曝光數據中都要加以判定。舉例來說，上述的曝光數據可能包含有數值孔徑(Numerical Aperture, NA)、衍射光學元件(Diffractive OpticalElements, DOE)設定(包含環形或一般)、sigma in值或sigma out值等信息。在本專利技術ー實施例中，曝光信息來自一曲線圖形。所述曲線圖案可能為圓形、橢圓形、或類似的形狀。在本專利技術另一實施例中，曝光數據會含有多個曝光數據，如至少四個曝光資料。就簡單的例子來說，曝光數據會含有至少ー第一取樣數據、一第二取樣數據、一第三取樣數據、以及一第四取樣數據。曝光數據可借由將實際曝光結果的影像數據來與曝光結果的數字數據作比對而獲得。上述的影像數據可能來自SEM照片。影像數據亦可能為從SEM線寬量測機臺所獲得的數據，而數字數據則可為從上述SEM照片所獲得的資料。舉例來說，光掩模上來自數字數據的圖形會經由ー曝光程序而轉移到基材上以形成影像數據。影像數據與數字數據理論上應實質相同。故此，曝光數據可通過比對實際曝光結果的影像數據本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光掩模上輸出圖形的方法，其特征在于，包含：判定來自一曝光結果的曝光信息的多個曝光數據；提供對應所述曝光結果且從多個原始模擬參數所產生的一原始模擬結果；檢驗從所述原始模擬結果及從所述曝光結果所獲得的一原始誤差值是否位于一預定范圍內；調整所述多個原始模擬參數以獲得調整后的模擬參數及一調整后的模擬結果，并在所述原始誤差值未位于所述預定范圍內時檢驗從所述調整后模擬結果以及從所述曝光結果所獲得的一調整后誤差值；調整所述調整后模擬參數直到所述調整后誤差值位于所述預定范圍內為止；以及收集所述調整后誤差值位于所述預定范圍內的所述調整后模擬參數，以獲得用以在光掩模上輸出圖形的一光學鄰近修正模型。

【技術特征摘要】
2011.09.22 US 13/239,4091.一種從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光掩模上輸出圖形的方法，其特征在于，包含:判定來自一曝光結果的曝光信息的多個曝光數據；提供對應所述曝光結果且從多個原始模擬參數所產生的一原始模擬結果；檢驗從所述原始模擬結果及從所述曝光結果所獲得的一原始誤差值是否位于一預定范圍內；調整所述多個原始模擬參數以獲得調整后的模擬參數及一調整后的模擬結果，并在所述原始誤差值未位于所述預定范圍內時檢驗從所述調整后模擬結果以及從所述曝光結果所獲得的一調整后誤差值；調整所述調整后模擬參數直到所述調整后誤差值位于所述預定范圍內為止；以及收集所述調整后誤差值位于所述預定范圍內的所述調整后模擬參數，以獲得用以在光掩模上輸出圖形的一光學鄰近修正模型。2.根據權利要求1所述的從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光掩模上輸出圖形的方法，其特征在于，所述曝光信息涉及一曲線圖形。3.根據權利要求2所述的從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光掩模上輸出圖形的方法，其特征在于，所述曝光信息包含至少一第一取樣數據、一第二取樣數據、一第三取樣數據、以及一第四取樣數據。4.根據權利要求3所述的從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光掩模上輸出圖形的方法，其特征在于，所述第一取樣數據為所述曲線圖形的最長半徑與最短半徑的其中一個。5.根據權利要求3所述的從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光掩模上輸出圖形的方法，其特征在于，所述第二取樣數據、所述第三取樣數據、以及所述第四取樣數據分別對應到設置在所述曲線圖形的最長半徑與最短半徑的其中一個上的一取樣點的尺度，且所述取樣點是從下列公式所定義出的群組中所選出k/2n其中η為一大于2的自然數而k為一小于2n的奇數。6.根據權利要求5所述的從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光掩模上輸出圖形的方法，其特征在于，所述第二取樣數據、所述第三取樣數據、以及所述第四取樣數據的每一個皆是從不對稱的所述取樣點所獲得。7.根據權利要求5所述的從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光掩模上輸出圖形的方法，其特征在于，所述取樣點是從3/2n至2n-3/2n的群組中所選出。8.根據權利要求1所述的從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光掩模上輸出圖形的方法，其特征在于，所述原始模擬結果包含至少一第一原始模擬數據、一第二原始模擬數據、 一第三原始模擬數據、以及一第四原始模擬數據，所述多個原始模擬數據分別對應到所述曝光數據的所述第一取樣數據、所述第二取樣數據、所述第三取樣數據、以及所述第四取樣數據。9.根據權利要求1所述的從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光掩模上輸出圖形的方法，其特征在于，所述曝光數據是通過將所述曝光結果的一影像數據與所述曝光結果的一數字數據作比對而獲得。10.根據權利要求1所述的從曝光結果改進光學鄰近模擬以在光掩模上輸出圖形的方法，其特征在于，所述原始資料參數包含一數值孔徑、一 si...

【專利技術屬性】
技術研發人員：黃登煙，
申請(專利權)人：南亞科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：