一種掩膜板及其制作方法技術

本發明專利技術實施例提供了一種掩膜板及其制作方法，該掩膜板，應用于大尺寸接近式曝光機光學系統，該掩膜板包括多個區域，每個區域為以掩膜板的中心點為圓心且按照設定規則形成的區域，并且離掩膜板的中心點越近的區域，其對應的透過率越高；離掩膜板的中心點越遠的區域，其對應的透過率越低。在本發明專利技術實施例中，在接近式曝光機光學系統曝光時，由于掩膜板上離掩膜板的中心點越近的區域，其對應的透過率越高，這樣就使得這些區域的曝光量較高，可以相對彌補此區域的曝光間距較小對圖形尺寸的影響，從而提高曝光出的圖形尺寸的均一度。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及光學領域，尤其涉及。
技術介紹
隨著顯示技術的發展，大尺寸，高品質，低成本的顯示器件成為一種發展趨勢，那么，對于作為顯示器件(例如TFT-LCD顯示器件)的主要組成部分之一的彩色濾光片，它的質量直接決定顯示器件的顯示效果。目前，在制作彩色濾光片時，多采用接近式曝光機光學系統曝光的方式，通常在使用接近式曝光機光學系統中的基板101 (例如玻璃基板)、掩膜板102和光刻膠103制作彩色濾光片時，彎曲前的掩膜板102與基板101之間的距離一般在一百微米至數百米以內，這樣的話，對于掩膜板而言，在曝光時其彎曲將會造成掩膜板102上中心區域和邊緣區域與基板101在垂直方向上形成的曝光間距不同，例如掩膜板102上中心區域與基板101之間的曝光間距G2小于掩膜板102上邊緣區域與基板101之間的曝光間距Gl (如圖1所示)，通常在制作工藝過程中，由于接近式曝光機光學系統在曝光時受衍射角、光線平行度等因素的影響，基板上曝光出的圖形尺寸(CD)隨著各區域的曝光間距的增大而增大(如圖2所示，)，這樣一來，在曝光量相同的情況下，由于中心區域的曝光間距小，邊緣區域的曝光間距大，從而造成中心區域曝光出的圖形的尺寸較小，邊緣區域曝光出的圖形尺寸較大，即曝光出的圖形尺寸大小不均一(例如CD2 < CD1，如圖1所示)，也就是說，使用前述這種掩膜板曝光出的圖形尺寸的均一度較差。從上述制作方式可以看出，在接近式曝光機光學系統曝光時，由于掩膜板的彎曲導致各區域處的曝光間距發生變化，致使基板上曝光后的圖形尺寸的均一度較差，進而影響彩色濾光片的質量。
技術實現思路
本專利技術實施例提供了，用以解決現有掩膜板彎曲導致的曝光后的圖形尺寸均一度較差的問題。基于上述問題，本專利技術實施例提供的一種掩膜板，應用于大尺寸接近式曝光機光學系統，所述掩膜板包括多個區域，每個區域為以所述掩膜板的中心點為圓心且按照設定規則形成的區域，并且離所述掩膜板的中心點越近的區域，其對應的透過率越高；離所述掩膜板的中心點越遠的區域，其對應的透過率越低。本專利技術實施例提供的一種如上所述的掩膜板的制作方法，包括制備包括多個區域的光學薄膜，每個區域為以所述掩膜板的中心點為圓心且按照設定規則形成的區域，并且離所述掩膜板的中心點越近的區域，其對應的透過率越高；離所述掩膜板的中心點越遠的區域，其對應的透過率越低；將光學薄膜貼附于普通掩膜板上，制成掩膜板。本專利技術實施例的有益效果包括本專利技術實施例提供的，該掩膜板包括多個區域，每個區域為以掩膜板的中心點為圓心且按照設定規則形成的區域，并且離掩膜板的中心點越近的區域，其對應的透過率越高；離掩膜板的中心點越遠的區域，其對應的透過率越低，這樣一來，在接近式曝光機曝光時，曝光出的圖形尺寸通常是隨著曝光量的增大而增大，隨著曝光間距的減小而減小的，以掩膜板上離掩膜板的中心點最近的區域為例，此處的曝光間距最小，但是此處的透過率較高，這樣就使得此區域可以獲得較大的曝光量，相對彌補了曝光間距小對圖形尺寸的變化，在一定程度上提高了曝光出的圖形尺寸的均一度。附圖說明圖1為現有大尺寸接近式曝光機光學系統曝光時掩膜板的工作示意圖；圖2為現有大尺寸接近式曝光機光學系統中基板上曝光出的圖形尺寸與掩膜板上各個區域的曝光間距之間的關系曲線圖；圖3為本專利技術實施例提供的使用掩膜板制作濾光片時曝光出的圖形尺寸示意圖；圖4為本專利技術實施例提供的大尺寸接近式曝光機的掩膜板的結構圖；圖5為本專利技術實施例提供的掩膜板的中心點與掩膜板邊緣上的交點之間的距離的不意圖；圖6為本專利技術實施例提供的掩膜板上的選取點相對于離中心點最近的區域處曝光出的圖形的尺寸變化與該選取點相對于離中心點最近的區域的曝光量的變化量的關系示意圖；圖7為本專利技術實施例提供的掩膜板的制作方法流程圖。具體實施例方式由于現有的掩膜板在接近式曝光機光學系統曝光時會發生彎曲，由此使得彎曲后的掩膜板上中心區域的曝光間距(即此區域與接近式曝光機的基板在垂直方向上形成的距離)，較邊緣區域的曝光間距較小，這樣，在曝光量等其他條件確定的情況下，使得基板上中心區域曝光出的圖形尺寸較小，邊緣區域的圖形尺寸稍大，這樣就導致曝光出的圖形尺寸的均一度較差。基于上述問題，本專利技術提供，可以在一定程度上提高了曝光出的圖形尺寸的均一度。下面結合說明書附圖，對本專利技術實施例提供的的具體實施方式進行說明。本專利技術實施例提供一種掩膜板，應用于大尺寸接近式曝光機光學系統，它可以包括多個區域，每個區域為以掩膜板的中心點為圓心且按照設定規則形成的區域，并且離掩膜板的中心點越近的區域，其對應的透過率越高；離掩膜板的中心點越遠的區域，其對應的透過率越低。在本專利技術實施例中，例如每個區域可以是以掩膜板的中心點為圓心，按照半徑依次遞增的順序形成圓形區域，具體可以按照半徑為2Cm、3Cm、4Cm等的順序形成；也可以是以掩膜板的中心點為圓心，按照與掩膜板的短邊平行且短邊半徑依次遞增的順序形成橢圓形區域，當然還可以通過其他方式形成區域，在此不再一一枚舉。如圖3所示，在使用大尺寸接近式曝光機光學系統中的基板301、上述掩模板302和光刻膠303制作濾光片時，掩膜板302上離中心點最遠的區域(例如邊緣區域)的曝光間距Gl較大，離中心點最近的區域的曝光間距G2較小，由于邊緣區域的透過率較低，這就使得此處區域的曝光量也較低；由于離中心點最近的區域的透過率較高，這就使得此處的曝光量也較高，這樣一來，在基板上邊緣區域與離中心點最近的區域處曝光出的圖形尺寸大小相近(如圖3所示，⑶I與⑶2大小相近)，從而提高了圖形尺寸的均一度。較佳地，如圖4所示，上述掩膜板可以包括普通掩膜板401和光學薄膜402。上述光學薄膜402，貼附于普通掩膜板401上，且光學薄膜402可以包括多個區域，每個區域為以光學薄膜的中心點為圓心且按照設定規則形成的區域，并且離光學薄膜的中心點越近的區域，其對應的透過率越高；離光學薄膜的中心點越遠的區域，其對應的透過率越低。較佳地，上述透過率的數值范圍可以為60% 100%，例如，掩膜板上離中心點最近的區域的曝光間距最小，那么此區域的透過率可以為最大，例如透過率可以為100%，然后依次向偏離中心點的區域遞減，這樣離中心點最近的區域較高的透過率可以相對彌補此區域的曝光間距小對圖形尺寸的影響。當然，上述透過率的數值范圍還可以是其他數值范圍，可以根據接近式曝光機對掩膜板的實際需求來確定，在此不對掩膜板的透過率范圍做具體限定。較佳地，對于掩膜板上離中心點最近的區域之外的其他區域而言，它與離中心點最近的區域的透過率(100%)的差值，可以通過這些區域中選取點與離中心點最近的區域的透過率的差值來得到。進一步地，為了避免出現較大誤差，可以將這些區域中選取點與離中心點最近的區域的透過率的差值的平均值，作為其他區域與離中心點最近的區域的透過率(100%)的差值。在這里，對于選取點，例如在每個區域為圓形區域的情況下，可以隨意選取幾個點來計算(例如4個點)；在每個區域為橢圓形區域的情況下，可以選取橢圓形區域中長邊上幾個點以及短邊上幾個點來計算，當然還可以使用其他選取方式，在此不再贅述。具體地，針對其他區域中每個選取點，它與離中心點最近的區域的透過率(100%)的差值為本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種掩膜板，應用于大尺寸接近式曝光機光學系統，其特征在于，所述掩膜板包括多個區域，每個區域為以所述掩膜板的中心點為圓心且按照設定規則形成的區域，并且離所述掩膜板的中心點越近的區域，其對應的透過率越高；離所述掩膜板的中心點越遠的區域，其對應的透過率越低。

【技術特征摘要】
1.一種掩膜板,應用于大尺寸接近式曝光機光學系統，其特征在于，所述掩膜板包括多個區域，每個區域為以所述掩膜板的中心點為圓心且按照設定規則形成的區域，并且離所述掩膜板的中心點越近的區域，其對應的透過率越高；離所述掩膜板的中心點越遠的區域，其對應的透過率越低。2.如權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，該掩膜板，具體包括普通掩膜板和光學薄膜； 所述光學薄膜，貼附于所述普通掩膜板上，所述光學薄膜包括多個區域，每個區域為以所述光學薄膜的中心點為圓心且按照設定規則形成的區域，并且離所述光學薄膜的中心點越近的區域，其對應的透過率越高；離所述光學薄膜的中心點越遠的區域，其對應的透過率越低。3.如權利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述透過率為60% 100%。4.如權利要求1-3中任一項所述的掩膜板，其特征在于，所述每個區域為圓形區域或橢圓形區域。5.如權利要求4所述的掩膜板，其特征在于，離所述掩膜板的中心點最近的區域的透過率為100%。6.如權利...

【專利技術屬性】
技術研發人員：黎敏，吳洪江，姜晶晶，張思凱，萬冀豫，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，北京京東方顯示技術有限公司，
類型：發明
國別省市：