壓敏膠粘帶用膜和壓敏膠粘帶制造技術

本發明專利技術涉及壓敏膠粘帶用膜和壓敏膠粘帶。所述壓敏膠粘帶用膜包含設置在基材膜上的非壓敏膠粘層，在通過負壓下的吸附進行固定的情況下可以抑制過度密合的發生，通過在所述基材膜上設置所述非壓敏膠粘層而有效地抑制卷繞狀形式的膜的粘連，且所述膜在從所述卷繞狀形式退繞時沒有撕裂或破損，在所述非壓敏膠粘層與所述基材膜之間具有良好的相容性，且具有良好的對諸如拉伸的變形的追隨性。還提供了一種包含這種壓敏膠粘帶用膜的壓敏膠粘帶。所述壓敏膠粘帶用膜包含在塑料膜的一個表面上的非壓敏膠粘層，所述塑料膜根據JIS-K-7127測量具有100%以上的最大伸長率，其中所述非壓敏膠粘層具有0.1μm以上的算術平均表面粗糙度Ra。

【技術實現步驟摘要】
壓敏膠粘帶用膜和壓敏膠粘帶
本專利技術涉及壓敏膠粘帶用膜和壓敏膠粘帶。
技術介紹
在用于半導體切割的壓敏膠粘帶中，需要將在與晶片膠粘表面相反側上的帶表面固定到基底上以在切割時固定晶片。通常，這種固定通過真空吸附等在負壓下進行。當在負壓下進行這種固定時，壓敏膠粘帶可能由于過度施加負壓的狀態而過度膠粘到基底上或者由于在切割時產生熱而使壓敏膠粘帶熔化。這種過度膠粘的發生導致在將固定到基底上的帶剝離的情況下操作性劣化。例如，存在的問題在于包括切割的半導體制造工藝的平穩流動受到抑制。為了克服上述過度膠粘的問題，已經報道了用于在由兩層、即基材膜和壓敏膠粘劑層形成的晶片表面保護帶中，將在與壓敏膠粘劑層相反側上的基材膜的表面的中心線表面粗糙度Ra控制為預定值的技術(日本特開2009-239124號公報)。然而，用于半導體切割中的壓敏膠粘帶的基材膜需要具有半導體制造工藝所特有的延伸(拉伸)特性和階差追隨特性(stepfollowingcharacteristic)。也就是說，用于半導體切割中的壓敏膠粘帶的基材膜需要能夠在延伸步驟中良好地拉伸并且還需要良好地追隨半導體的階差。選擇由具有大伸長率的材料形成的基材膜作為可以滿足這些需求的基材膜。然而，這種基材膜的表面狀況易于受溫度影響。因此，存在如下問題：即使當如在日本特開2009-239124號公報中所報道的，將基材膜表面的中心線表面粗糙度Ra控制為預定值時，該控制為預定值的中心線表面粗糙度Ra也會因氣溫和工藝裝置溫度的變化而顯著變化，且不能表現日本特開2009-239124號公報中所述的專利技術效果。特別地在半導體切割中的LED切割中，所使用的半導體晶片由諸如氮化鎵、砷化鎵或碳化硅的非常脆的材料構成。因此，為了防止半導體晶片破損，壓敏膠粘帶的基材膜需要具有額外高的延伸(拉伸)特性和階差追隨特性。因此，上述問題在用于LED切割中的壓敏膠粘帶中顯著。通常，膜具有平滑表面。當將這種膜加工成卷繞形時，發生膜表面彼此接觸且密合、即粘連的現象。在發生粘連的卷中，例如，可能發生用于退繞(unwinding)所述膜的操作變得困難的缺陷。特別地，具有大伸長率的膜通常向其中加入了增塑劑。在這種膜中，粘連的不利影響顯著，因為增塑劑沉淀在膜表面上且填充膜表面之間的微小空隙。當利用壓敏膠粘劑對膜表面進行壓敏膠粘加工時，粘連的不利影響更加顯著，因為壓敏膠粘劑本身具有密合性。在將其中發生粘連的卷繞形膜進行退繞的情況下，需要額外的力來分離彼此處于緊密接觸狀態的膜表面。當施加這種額外的力時，膜經歷變形如拉伸，或者即使在膜不經歷變形時，所述力也累積為應力應變。當將出于上述原因而經歷變形的膜應用于壓敏膠粘帶時，難以以追隨(follow)被粘物的方式貼附壓敏膠粘帶。此外，當將出于上述原因而累積應力應變的膜應用于壓敏膠粘帶時，在壓敏膠粘帶貼附至被粘物之后該應力應變自發地釋放，因此被粘物可能破損。當將壓敏膠粘帶用于半導體加工時，作為被粘物的半導體晶片由脆性材料構成，由此其為脆性的且易于破裂。因此，當將出于上述原因而經歷變形的膜應用于壓敏膠粘帶時，難以以追隨半導體晶片的微細且精致的電路圖案的方式貼附壓敏膠粘帶。此外，當將出于上述原因而累積應力應變的膜應用于壓敏膠粘帶時，在壓敏膠粘帶貼附至半導體晶片之后該應力應變自發地釋放，因此半導體晶片易于破損。特別地，用于LED的晶片由諸如氮化鎵、砷化鎵或碳化硅的非常脆的材料構成。因此，防止在用于LED切割等的壓敏膠粘帶中的粘連是極其重要的。給出了兩種主要的常規技術以作為用于防止粘連的常規技術的實例。一種常規技術涉及對膜的背面進行諸如壓花整理的物理處理(國際公開WO2009/028068A)。然而，該技術的問題在于，在膜的背面上形成的不規則具有應力集中結構，由此在將卷繞狀形式的膜退繞時，膜因退繞力而由該不規則處開始撕裂或破損。另一常規技術涉及將聚硅氧烷脫模劑涂布到膜的背面上(日本特開2010-201836號公報)。然而，該技術的問題在于，聚硅氧烷脫模劑由于其表面張力而與膜背面的化學親合性低，且因此與膜背面的相容性差。另外，當將已對其背面涂布了聚硅氧烷脫模劑的膜應用于壓敏膠粘帶時，可能出現的問題是，在對壓敏膠粘帶進行諸如延伸的拉伸時，用聚硅氧烷脫模劑處理的層可能不會追隨拉伸，且處理過的層可能破損，這引起污染。應注意，還已知涉及施用交聯型聚硅氧烷脫模劑以增加聚硅氧烷脫模劑與膜背面的化學親合性的技術。然而，交聯型聚硅氧烷通常具有極小的伸長率。因此，當將已對其背面涂布了交聯型聚硅氧烷脫模劑的膜應用于壓敏膠粘帶時，存在的問題是，在對壓敏膠粘帶進行諸如延伸的拉伸時，用交聯型聚硅氧烷脫模劑處理的層不能追隨拉伸，因此不能維持錨固(anchoring)性能。
技術實現思路
本專利技術的一個目的在于提供一種壓敏膠粘帶用膜，所述壓敏膠粘帶用膜包含設置在基材膜上的非壓敏膠粘層，在通過負壓下的吸附進行固定的情況下可以抑制過度密合的發生，通過在所述基材膜上設置所述非壓敏膠粘層而有效地抑制卷繞狀形式的膜的粘連，且所述膜在從所述卷繞狀形式退繞時沒有撕裂或破損，在所述非壓敏膠粘層與所述基材膜之間具有良好的相容性，且具有良好的對諸如拉伸的變形的追隨性。本專利技術的另一目的在于提供包含這種壓敏膠粘帶用膜的壓敏膠粘帶。本專利技術的壓敏膠粘帶用膜包含在塑料膜的一個表面上的非壓敏膠粘層，所述塑料膜根據JIS-K-7127測量具有100%以上的最大伸長率，其中所述非壓敏膠粘層具有0.1μm以上的算術平均表面粗糙度Ra。在一個優選實施方式中，所述非壓敏膠粘層具有小于1.0N/20mm的非壓敏膠粘試驗剝離強度。在一個優選實施方式中，所述非壓敏膠粘層包含聚硅氧烷和(甲基)丙烯酸類聚合物的混合層。在一個優選實施方式中，在所述非壓敏膠粘層中，所述聚硅氧烷與所述(甲基)丙烯酸類聚合物之間的混合比“聚硅氧烷：(甲基)丙烯酸類聚合物”以重量比計為1:50~50:1。在一個優選實施方式中，所述非壓敏膠粘層包含其中聚硅氧烷含量高于(甲基)丙烯酸類聚合物含量的富聚硅氧烷相和其中(甲基)丙烯酸類聚合物含量高于聚硅氧烷含量的富(甲基)丙烯酸類聚合物相。在一個優選實施方式中，所述塑料膜具有20μm~200μm的厚度。在一個優選實施方式中，所述非壓敏膠粘層具有0.01μm~10μm的厚度。在一個優選實施方式中，所述塑料膜包含聚氯乙烯。在本專利技術的另一實施方式中，提供一種壓敏膠粘帶。本專利技術的壓敏膠粘帶包含在本專利技術的壓敏膠粘帶用膜中所述塑料膜的與非壓敏膠粘層相反的表面上的壓敏膠粘劑層。在一個優選實施方式中，所述壓敏膠粘劑層包含(甲基)丙烯酸類聚合物。在一個優選實施方式中，所述壓敏膠粘劑層具有9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5的SP值。在一個優選實施方式中，所述壓敏膠粘帶進一步包含在所述壓敏膠粘劑層的表面上的剝離襯墊。在一個優選實施方式中，本專利技術的壓敏膠粘帶用于半導體加工。在一個優選實施方式中，所述半導體加工包括LED切割。根據本專利技術，可以提供一種壓敏膠粘帶用膜，所述壓敏膠粘帶用膜包含設置在基材膜上的非壓敏膠粘層，在通過負壓下的吸附進行固定的情況下可以抑制過度密合的發生，通過在所述基材膜上設置所述非壓敏膠粘層而有效地抑制本文檔來自技高網...

【技術保護點】
壓敏膠粘帶用膜，包含在塑料膜的一個表面上的非壓敏膠粘層，所述塑料膜根據JIS?K?7127測量具有100%以上的最大伸長率，其中所述非壓敏膠粘層具有0.1μm以上的算術平均表面粗糙度Ra。

【技術特征摘要】
2011.10.17 JP 2011-227601;2012.08.01 JP 2012-17091.壓敏膠粘帶用膜，包含在塑料膜的一個表面上的非壓敏膠粘層，所述塑料膜根據JIS-K-7127測量具有100％以上的最大伸長率，其中所述非壓敏膠粘層具有0.1μm以上的算術平均表面粗糙度Ra，其中所述非壓敏膠粘層包含聚硅氧烷和(甲基)丙烯酸類聚合物的混合層，且其中所述非壓敏膠粘層包含其中聚硅氧烷含量高于(甲基)丙烯酸類聚合物含量的富聚硅氧烷相和其中(甲基)丙烯酸類聚合物含量高于聚硅氧烷含量的富(甲基)丙烯酸類聚合物相。2.根據權利要求1所述的壓敏膠粘帶用膜，其中所述非壓敏膠粘層具有小于1.0N/20mm的非壓敏膠粘試驗剝離強度。3.根據權利要求1所述的壓敏膠粘帶用膜，其中在所述非壓敏膠粘層中，所述聚硅氧烷與所述(甲基)丙烯酸類聚合物之間的混合比“聚硅氧烷：(甲基)丙烯酸類...

【專利技術屬性】
技術研發人員：鈴木俊隆，由藤拓三，白井稚人，
申請(專利權)人：日東電工株式會社，
類型：發明
國別省市：