【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及太陽能太陽能真空管的制備方法，特別涉及一種。
技術介紹
目前制備真空管吸收涂層的技術為干涉技術或者漸變技術，干涉技術的吸收率要高于漸變技術，但干涉技術由于有干涉波峰，有一部分波長的光吸收較差，而漸變技術雖然對各個波段吸收較平均，但是各個波段的吸收值很差。
技術實現思路
本專利技術針對上述現有技術的不足，提供一種融合了干涉與漸變技術的優點，平均吸收各個波段的光，并且提高各個波段的吸收率的太陽能真空管吸收涂層的制備方法。本專利技術的技術方案是，其特征在于在制備太陽能真空管吸收涂層的過程中，首先采用漸變結構設計工藝參數，然后采用干涉工藝參數，使之在800至IOOOnm時出現一個波峰，造成太陽能真空管吸收涂層整體光反射率下降。本專利技術的優點效果是該技術融合了干涉與漸變技術的優點，平均吸收各個波段的光，并且提高各個波段的吸收率。改良為新的光吸收技增加了光的吸收，使吸收涂層吸收率在92%以上。具體實施例方式下面結合實施 例和實驗數據對本專利技術作進一步的說明。實施例，在制備太陽能真空管吸收涂層的過程中，首先采用漸變結構設計工藝參數，然后采用干涉工藝參數，使之在800至IOOOnm時出現一個波峰，造成太陽能真空管吸收涂層整體光反射率下降。采用本專利技術，生產的陽能真空管吸收涂層與單獨用漸變和干涉方法的性能實驗數據對比如下表
【技術保護點】
一種太陽能真空管吸收涂層的制備方法，其特征在于：在制備太陽能真空管吸收涂層的過程中，首先采用漸變結構設計工藝參數，然后采用干涉工藝參數，使之在800至1000nm時出現一個波峰，造成太陽能真空管吸收涂層整體光反射率下降。
【技術特征摘要】
1.一種太陽能真空管吸收涂層的制備方法，其特征在于在制備太陽能真空管吸收涂層的過程中，首先采用漸變結構設計工藝...
【專利技術屬性】
技術研發人員：胡勤國，邱殿閣，
申請(專利權)人：山東耀國新能源科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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