集成電路產業含氟廢水處理方法技術

本發明專利技術涉及一種集成電路產業含氟廢水處理方法，采用三級反應一級沉淀的工藝，包括含氟廢水收集池、一級反應槽、二級反應槽、三級反應槽、沉淀槽、排放水槽、污泥槽和污泥脫水機。含氟廢水通過含氟廢水收集池的進水口進入含氟廢水收集池，含氟廢水收集池管道連接至一級反應槽，在一級反應槽中加入氫氧化鈣和氯化鈣，一級反應槽管道連接至二級反應槽，在二級反應槽中加入PAC，二級反應槽管道連接至三級反應槽，在三級反應槽中加入PAM，三級反應槽管道連接至沉淀槽，沉淀槽一根管道連接至排放水槽，一根管道連接至污泥槽，污泥槽管道連接至污泥脫水機。本發明專利技術具有結構簡單、方便實用的優點。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術屬于氟化工
，具體涉及一種。
技術介紹
氟是一種微量元素，長期服用氟含量大于1. 5mg/L的含氟水會給人帶來許多不利影響，嚴重的會引起氟斑牙和氟骨病，然而氟化物又是重要的化工原料，廣泛地應用于鋼鐵、有色金屬冶金、化工、電子等諸多行業中，因而產生了大量含氟廢水，對環境和人們的身體健康產生了威脅，我國1996年頒布的《污水綜合排放標準》(GB8789-1996)中規定企業對外排放含氟廢水，氟化物濃度不得超過10mg/L。芯片刻蝕過程 中排放二股含氟廢水高濃度含氟廢水和低濃度含氟廢水，其中高濃度含氟廢水為刻蝕初期排放的廢水，氟離子濃度可高達10000mg/L ;低濃度含氟廢水為后續沖洗廢水，氟離子濃度約為500mg/L。國內外含氟廢水的處理方法主要有沉淀法和吸附法兩大類。對于高濃度含氟廢水一般可采用鈣鹽沉淀法，而在實際工程運行中，要確保氟離子濃度(F_< 10mg/L)穩定達標，往往比較困難。
技術實現思路
為了克服上述所說的不足，本專利技術提供一種，用以解決現有確保氟離子濃度(F_< 10mg/L)穩定達標往往比較困難的問題。為達到上述目的，本專利技術，采用三級反應一級沉淀的工藝，包括含氟廢水收集池、一級反應槽、二級反應槽、三級反應槽、沉淀槽、排放水槽、污泥槽和污泥脫水機。含氟廢水通過含氟廢水收集池的進水口進入含氟廢水收集池，含氟廢水收集池管道連接至一級反應槽，在一級反應槽中加入氫氧化鈣和氯化鈣，一級反應槽管道連接至二級反應槽，在二級反應槽中加入PAC，二級反應槽管道連接至三級反應槽，在三級反應槽中加入PAM，三級反應槽管道連接至沉淀槽，沉淀槽一根管道連接至排放水槽，一根管道連接至污泥槽，污泥槽管道連接至污泥脫水機。所述的含氟廢水收集池采用鋼混凝土結構，內凈尺寸為4300mmX2200mmX3700mm，有效水深2. 20米，有效容積20. 8m3，水力停留時間4. 2h，池內設穿孔管進行空氣攪拌，池壁內襯玻璃鋼防腐，I座。廢水池內設置2臺CFY65-50-160型液下泵，I用I備。所述的化學反應系統共設三級反應槽,每級反應槽結構相同，反應槽槽體為鋼結構，且內襯玻璃鋼防腐。凈尺寸為1200mmX1200mmX2500mm，有效水深2. 35m，泥斗高0. 95m，有效容積3. 4m，水力停留時間0. 68h，附攪拌裝置。所述的斜管沉淀槽槽體為鋼結構，且內襯玻璃鋼防腐。凈尺寸為4000mmX 2500mmX 4400mm, I只。表面負荷0. 5m/ (m h),沉淀時間3h,重力排泥,分設2個泥斗。所述的排放水槽槽體為鋼結構，且為內襯玻璃鋼防腐。凈尺寸為2000mmX IOOOmmX 2500mm, I只。有效水深2. 00m，有效容積4. 0m3，槽內設穿孔管進行空氣攪拌。所述的污泥處理系統中污泥以含水率99. 5%計，總產量約為4m3/d，經廂式壓濾機(型號XM15/800-UB，l臺)脫水后，每天產生含水率80%的泥餅0. 15t左右，最終將其外運送有資質的固廢處理單位委托處置。采用上述結構后，使用時，車間排放的含氟廢水通過管路系統自流進入含氟廢水收集池，含氟廢水通過廢水泵提升后進入一級反應槽，在該槽內投加Ca(OH)2溶液和CaCl2溶液，使氟離子生成CaF2沉淀，并粗調pH值至8 9 ;然后廢水自流入二級反應槽，在該槽內投加混凝劑PAC、NaOH溶液或H2SO4溶液，使CaF2沉淀生成較大顆粒，并將pH值調至6 7 ;然后廢水自流入三級反應槽，在該槽內投加絮凝劑PAM，增加CaF2沉淀效果。經絮凝反應后的廢水自流入斜管沉淀池，通過沉淀作用達到固液分離，同時使污泥得到沉淀和濃縮。斜管沉淀池出水自流入排放水槽，當氟離子濃度達標時排入廠區廢水排水管網，當氟離子濃度超過排放標準時回流至含氟廢水收集池繼續處理。本專利技術的優點是結構簡單，方便實用，有效地解決了現有確保氟離子濃度(F_< 10mg/L)穩定達標往往比較困難的問題。附圖說明圖1為本專利技術結構示意圖。圖中1、含氟廢水收集池，2、一級反應槽，3、二級反應槽，4、三級反應槽， 5、沉淀槽，6、排放水槽，7、污泥槽，8、污泥脫水機。具體實施例方式如圖1所示，一種，采用三級反應一級沉淀的工藝，包括含氟廢水收集池1、一級反應槽2、二級反應槽3、三級反應槽4、沉淀槽5、排放水槽6、污泥槽7和污泥脫水機8。含氟廢水通過含氟廢水收集池I的進水口進入含氟廢水收集池1，含氟廢水收集池I管道連接至一級反應槽2，在一級反應槽2中加入氫氧化鈣和氯化鈣，一級反應槽2管道連接至二級反應槽3，在二級反應槽3中加入PAC，二級反應槽3管道連接至三級反應槽4，在三級反應槽4中加入PAM，三級反應槽4管道連接至沉淀槽5，沉淀槽5 —根管道連接至排放水槽6，一根管道連接至污泥槽7，污泥槽7管道連接至污泥脫水機8。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種集成電路產業含氟廢水處理方法，采用三級反應一級沉淀的工藝，包括含氟廢水收集池、一級反應槽、二級反應槽、三級反應槽、沉淀槽、排放水槽、污泥槽和污泥脫水機，其特征是：含氟廢水通過含氟廢水收集池的進水口進入含氟廢水收集池，含氟廢水收集池管道連接至一級反應槽，在一級反應槽中加入氫氧化鈣和氯化鈣，一級反應槽管道連接至二級反應槽，在二級反應槽中加入PAC，二級反應槽管道連接至三級反應槽，在三級反應槽中加入PAM，三級反應槽管道連接至沉淀槽，沉淀槽一根管道連接至排放水槽，一根管道連接至污泥槽，污泥槽管道連接至污泥脫水機。

【技術特征摘要】
1.一種集成電路產業含氟廢水處理方法，采用三級反應一級沉淀的工藝，包括含氟廢水收集池、一級反應槽、二級反應槽、三級反應槽、沉淀槽、排放水槽、污泥槽和污泥脫水機，其特征是含氟廢水通過含氟廢水收集池的進水口進入含氟廢水收集池，含氟廢水收集池管道連接至一級反應槽，在一級反應槽中加入氫氧化鈣和氯化鈣，一級反應槽管道連接至二級反應槽，在二級反應槽中加入PAC，二級反應槽管道連接至三級反應槽，在三級反應槽中加入PAM，三級反應槽管道連接至沉淀槽，沉淀槽一根管道連接至排放水槽，一根管道連接至污泥槽，污泥槽管道連接至污泥脫水機。2.根據權利要求1所述的集成電路產業含氟廢水處理方法，其特征是含氟廢水收集池采用鋼混凝土結構，內凈尺寸為4300mmX 2200mmX 3700mm，有效水深2. 20米，有效容積20. 8m3，水力停留時間4. 2h，池內設穿孔管進行空氣攪拌，池壁內襯玻璃鋼防腐，I座。廢水池內設置2臺CFY65-50-160型液下泵，I用I備。3.根據權利要求1所述的集成電路產業含氟廢水處理方法，其特征是:化學反應系統共設三級反應槽，每...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李建雄，方程冉，陶松壘，喬靜兵，鄭彬理，石偉峰，
申請(專利權)人：浙江科技學院，
類型：發明
國別省市：