本發(fā)明專利技術(shù)實施例公開了一種廣視角液晶顯示器及顯示方法,用于改善廣視角液晶顯示器顯示時產(chǎn)生的色偏問題,可以通過在對應(yīng)像素電極的公共電極上掏空設(shè)置兩種或兩種以上方向的ITO掏槽,使得液晶分子能夠多疇顯示,從不同視角進(jìn)行補償,減小傾斜角度下的透光率的波動,從而改善廣視角液晶顯示器的顯示效果。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及液晶顯示
,具體涉及。
技術(shù)介紹
薄膜場效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor,簡稱IFT)在現(xiàn)在生活中有著越來越多的使用,如手機(jī)顯示屏、GPS顯示屏、電腦顯示屏、MP3顯示屏等。TFT是指廣視角液晶顯示器上的每一個液晶像素點都是由集成在其后的薄膜晶體管來驅(qū)動,從而可以高速亮度高對比度顯示屏幕信息。在現(xiàn)有TFT廣視角液晶顯示器中,公共電極對應(yīng)每個像素電極進(jìn)行掏空處理,被掏空處沒有ΙΤ0,形成間隔排列的ITO掏槽,如圖1所示,ITO掏槽平行排列,使得公共電極和像素電極所形成的平面電場方向單一。因此,被驅(qū)動的液晶分子為單疇模式,即單個像素內(nèi)液晶分子取向設(shè)計具有單一性。而在這種單疇模式下,當(dāng)液晶分子排列定向后,在不同角度觀看時,由于液晶分子的透過率不同,從而產(chǎn)生色偏。
技術(shù)實現(xiàn)思路
針對上述缺陷,本專利技術(shù)實施例提供了,用于改善廣視角液晶顯示器顯示時產(chǎn)生的色偏問題。本專利技術(shù)實施例一方面提供了一種廣視角液晶顯示器,包括第一基板、液晶分子、公共電極、像素電極、保護(hù)層、第二基板、Gate線、Source線,其中,在與每個像素電極對應(yīng)的公共電極上間隔掏空設(shè)置兩種或兩種以上方向的ITO掏槽。優(yōu)選地,所述像素形狀可為菱形。本專利技術(shù)實施例第二方面提供了一種廣視角顯示方法,包括在與每個像素電極對應(yīng)的公共電極上間隔掏空得到兩種或兩種以上方向的ITO掏槽。從以上技術(shù)方案可以看出,本專利技術(shù)實施例具有以下優(yōu)點本專利技術(shù)實施例通過在對應(yīng)像素電極的公共電極上間隔掏空設(shè)置兩種或兩種以上方向的ITO掏槽,改變傳統(tǒng)上單一的梳子狀I(lǐng)TO掏槽排列方式,使得公共電極和像素電極形成多種方向的電場,進(jìn)而驅(qū)動液晶分子多疇顯示,液晶分子取向具有多向性,提高液晶分子在不同角度的透光率,從而有效改善廣視角液晶顯示器的色偏問題。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術(shù)實施例的技術(shù)方案,下面將對本專利技術(shù)實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本專利技術(shù)的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中對應(yīng)像素電極上的公共電極的ITO排布圖2為本專利技術(shù)實施例中對應(yīng)像素電極上的公共電極的ITO排布圖;圖3為本專利技術(shù)實施例中對應(yīng)像素電極上的公共電極的另一 ITO排布圖;圖4為本專利技術(shù)實施例中對應(yīng)像素電極上的公共電極的另一 ITO排布圖;圖5為本專利技術(shù)實施例中對應(yīng)像素電極上的公共電極的另一 ITO排布圖。具體實施例方式下面將結(jié)合本專利技術(shù)實施例的附圖,對本專利技術(shù)實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本專利技術(shù)一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本專利技術(shù)中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本專利技術(shù)保護(hù)的范圍。本專利技術(shù)實施例提供了,用于改善廣視角液晶顯 示器顯示時產(chǎn)生的色偏問題,可以應(yīng)用于手機(jī)、筆記本顯示屏、電視顯示屏、GPS顯示屏等,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解,還可以使用在其它使用廣視角液晶顯示器的設(shè)備上,在此不作限定。本專利技術(shù)實施例提供了一種廣視角液晶顯示器,包括第一基板、液晶分子、公共電極、像素電極、保護(hù)層、第二基板、Gate線、Source線,其中,在與每個像素電極對應(yīng)的公共電極上間隔掏空設(shè)置兩種或兩種以上方向的ITO掏槽。具體地,每個所述像素電極包括紅色子像素電極、綠色子像素電極和藍(lán)色子像素電極,或者每個像素電極包括黑色子像素電極和白色子像素電極。在與每個子像素對應(yīng)的公共電極上間隔掏空設(shè)置至少兩種或兩種以上方向的ITO掏槽,還可以加以將像素電極改成菱形。而所述Gate線、Source線在像素區(qū)間對應(yīng)呈Z形或N形排布。請參閱圖疒圖5,其中,I表示ITO掏槽,ITO掏槽是在像素顯示區(qū),對應(yīng)像素電極的公共電極上將ITO掏空而成,ITO掏槽至少具有兩種不同方向。2表示子像素電極,在每一層像素顯示區(qū)上,相鄰三個可以分別是紅色子像素電極、綠色子像素電極和藍(lán)色子像素電極,或者相鄰兩個可以分別是黑色子像素電極和白色子像素電極。通過兩種或兩種以上的不同方向的ITO掏槽設(shè)計,實現(xiàn)液晶分子的多疇顯示效果。在圖2和圖3所示中,像素形狀加以改變?yōu)榱庑危淖儌鹘y(tǒng)上像素形狀為矩形的設(shè)計方式,能夠保證液晶分子翻轉(zhuǎn)的實用面積,使更大視角得到補償。在本專利技術(shù)實施例中,加電后,液晶分子能夠形成多疇顯示,間接保證了高開口率,有效提高廣視角液晶顯示器的顯示效果,改善廣視角液晶顯示器顯示產(chǎn)生的色偏問題。本專利技術(shù)實施例還提供了一種廣視角顯示方法,包括在與每個像素電極對應(yīng)的公共電極上間隔掏空得到至少兩種或兩種以上方向的ITO掏槽,還可以通過加以改變像素形狀。可以理解地是,每個所述像素電極包括紅色子像素電極、綠色子像素電極和藍(lán)色子像素電極,或者是每個像素電極包括黑色子像素電極和白色子像素電極,進(jìn)而所述在與每個像素電極對應(yīng)的公共電極上間隔掏空得到至少兩種方向的ITO掏槽,具體還可以是在與每個子像素對應(yīng)的公共電極上間隔掏空設(shè)置至少兩種方向的ITO掏槽。優(yōu)選地,可以將像素的形狀改為梯形,能夠保證高開口率,使更大視角得到補充,有效提高廣視角液晶顯示器的顯示效果。本專利技術(shù)實施例通過在對應(yīng)像素電極的公共電極上間隔掏空設(shè)置至少兩種方向的ITO掏槽,改變傳統(tǒng)上單一的梳子狀公共電極排布,并且通過加以改變像素的形狀,保證液晶分子的實際翻轉(zhuǎn)面積,保證高開口率,從不同視角進(jìn)行補充,減小傾斜角度下的透光率的波動,進(jìn)而有效改善色偏問題。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解,圖2 圖5所示僅為本專利技術(shù)實施例中對應(yīng)像素電極的公共電極上的ITO排布方式,但不僅限于這4種排布方式,其它能達(dá)到本專利技術(shù)實施例目的排布方式均屬于本專利技術(shù)的技術(shù)范疇,在此不作限定。以上對本專利技術(shù)所提供的進(jìn)行了詳細(xì)介紹,對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員,依據(jù)本專利技術(shù)實施例的思想,在具體實施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處,綜上所述,本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本專利技術(shù)的限制。本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
一種廣視角液晶顯示器,包括第一基板、液晶分子、公共電極、像素電極、保護(hù)層、第二基板、Gate線、Source線,其中,其特征在于,在與每個像素電極對應(yīng)的公共電極上間隔掏空設(shè)置兩種或兩種以上方向的ITO掏槽。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種廣視角液晶顯示器,包括第一基板、液晶分子、公共電極、像素電極、保護(hù)層、第二基板、Gate線、Source線,其中,其特征在于,在與每個像素電極對應(yīng)的公共電極上間隔掏空設(shè)置兩種或兩種以上方向的ITO掏槽。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的廣視角液晶顯示器,其特征在于,每個所述像素電極包括紅色子像素電極、綠色子像素電極和藍(lán)色子像素電極,或者每個像素電極包括黑色子像素電極和白色子像素電極,具體地,在與每個子像素對應(yīng)的公共電極上間隔掏空設(shè)置至少兩種或兩種以上方向的ITO掏槽。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的廣視角液晶顯示器,其特征在于,所述像素形狀可為菱形,所述Gate線...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:李林,胡君文,洪勝寶,張澤鵬,何基強,
申請(專利權(quán))人:信利半導(dǎo)體有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:
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