液晶顯示裝置、多晶硅陣列基板及制作方法制造方法及圖紙

本發明專利技術實施例公開了液晶顯示裝置、多晶硅陣列基板及制作方法，涉及液晶顯示領域，簡化陣列基板的層間結構和陣列基板的生產工藝。本發明專利技術實施例多晶硅陣列基板包括多晶硅TFT，還包括：與多晶硅TFT的有源層同層設置的像素電極，與多晶硅TFT的柵極同層設置的公共電極，公共電極與像素電極相對設置，公共電極和像素電極中位于上方的電極為狹縫狀電極。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及液晶顯示領域，尤其涉及一種。
技術介紹
近年來，隨著液晶顯示產品的應用越來越廣泛，液晶顯示技術也越來越完善。TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜場效應晶體管-液晶顯不器)以其高品質的圖像顯示、低能耗、環保等優勢在顯示領域占據著十分重要位置。作為TFT-LCD 的一種新型制造工藝，LTPS (Low TemperaturePoly-Silicon,低溫多晶硅)技術利用準分子激光退火工藝將非晶硅(a-Si)薄膜層轉變為多晶硅(Poly-Si)薄膜層。相比非晶硅材料，多晶硅材料的電子遷移率有100倍以上的增加，因此使用LTPS技 術可使TFT-LCD具有更快的響應時間，具有更高的分辨率，更佳的畫面顯示品質。另外使用LTPS技術，能夠減少集成電路1C，簡化顯示裝置的外圍，實現窄邊框技術。作為TFT-LCD 的另一種新型制造工藝，ADS (Advanced SuperDimension Switch,高級超維場開關)技術利用同一平面內狹縫電極層的邊緣電場以及狹縫電極層與板狀電極層間的電場產生形成多維電場，使狹縫電極間以及電極正上方所有取向的液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。結合上述兩種制造工藝，現有技術LTPS的陣列基板結構如圖1所示，包括基板I以及依次設置于基板I上的緩沖層2、有源層3、柵極絕緣層5、柵電極7、層間絕緣層9、源電極10以及漏電極11、有機層113、有機層113上設置的過孔114、連接電極115、公共電極6、鈍化層12、像素電極4。上述LTPS陣列基板的制作工藝序較為復雜，需要至少10次構圖工藝，因此整個顯示面板的制作成本較高。
技術實現思路
本專利技術的實施例提供一種，簡化陣列基板的層間結構和陣列基板的生產工藝。為解決上述技術問題，本專利技術的實施例采用如下技術方案本專利技術提供了一種多晶硅陣列基板，包括多晶硅TFT，還包括與所述多晶硅TFT的有源層同層設置的像素電極，與所述多晶硅TFT的柵極同層設置的公共電極，所述公共電極與所述像素電極相對設置，所述公共電極和像素電極中位于上方的電極為狹縫狀電極。進一步的，所述多晶硅TFT為頂柵型TFT，所述公共電極為狹縫狀電極。進一步的，所述多晶硅TFT為底柵型TFT，所述像素電極為狹縫狀電極。 優選的，所述公共電極上方或下方設置有與所述公共電極接觸的公共電極線。優選的，所述源電極及所述漏電極的厚度為]000A -5000Λ.另一方面，本專利技術還提供一種液晶顯示裝置，包括上述的陣列基板。再一方面，本專利技術還提供了一種陣列基板的制作方法，包括形成多晶硅有源層和像素電極；形成柵極絕緣層；形成柵極和公共電極；形成有源層摻雜區域；形成源電極用孔，漏電極用孔以及像素電極過孔；形成源電極及漏電極，所述漏電極與所述像素電極通過所述像素電極過孔相連接。進一步的，陣列基板的制作方法，還包括在所述基板上形成緩沖層。進一步的，陣列基板的制作方法還包括所述公共電極上方或下方設置有與所述公共電極接觸的公共電極線。進一步的，在形成所述源電極及所述漏電極之后，還包括形成鈍化層，通過一次構圖工藝形成外圍連接孔。本專利技術實施例的，通過調整多晶硅陣列基板內像素電極以及公共電極的層間位置，省去了現有技術中有機層和過孔結構，簡化了陣列基板的層間結構，簡化了陣列基板的生產工藝，降低了制作成本。另外，公共電極和像素電極位于上方電極為狹縫狀電極，使得電極間相互配合產生多維電場，提高了陣列基板的顯示效果。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現有技術陣列基板的結構示意圖之一。圖2a_2g為本專利技術一種具體實施例的陣列基板分解結構示意圖，其中，圖2g為該實施例陣列基板的最終結構示意圖。圖3a_3f為本專利技術另一種具體實施例的陣列基板分解結構示意圖，其中，圖3f為該實施例陣列基板的最終結構示意圖。圖4為本專利技術實施例中陣列基板制作工藝的流程示意圖之一。圖5為本專利技術實施例中陣列基板制作工藝的流程示意圖之二。具體實施例方式本專利技術實施例提供了一種，用以簡化了陣列基板的層間結構，克服了現有技術中陣列基板生產工藝較為復雜的缺陷。以下描述中，為了說明而不是為了限定，提出了諸如特定系統結構、接口、技術之類的具體細節，以便透切理解本專利技術。然而，本領域的技術人員應當清楚，在沒有這些具體細節的其它實施例中也可以實現本專利技術。在其它情況中，省略對眾所周知的裝置、電路以及方法的詳細說明，以免不必要的細節妨礙本專利技術的描述。下面結合下述附圖對本專利技術實施例做詳細描述。本實施例提供一種多晶硅陣列基板，如圖2g或如圖3f所示，該陣列基板包括與多晶硅TFT的有源層3同層設置的像素電極4，與多晶硅TFT的柵極7同層設置的公共電極6，其中，公共電極6與像素電極4相對設置，公共電極6和像素電極4中位于上方的電極為狹縫狀電極。進一步的，多晶硅TFT為頂柵型TFT，公共電極為狹縫狀電極。作為本專利技術的一種具體實施方式，頂柵型TFT多晶硅陣列基板，如圖2g所示基板I以及依次設置于基板I上的緩沖層2、有源層3、與有源層3同層設置的像素電極4、柵極絕緣層5、公共電極6、與公共電極6同層設置的柵電極7、公共電極線8、層間絕緣層9、源電極10以及漏電極11。其中，柵電極7位于有源層3的上方，公共電極6位于像素電極4的上方，公共電極6為 狹縫狀電極，像素電極4上設置有像素電極過孔，像素電極4通過像素電極過孔與漏電極11相連。帶狹縫的公共電極6與像素電極4可以產生多維電場，利用多維電場用以增大顯示裝置的視角。進一步的，多晶硅TFT為底柵型TFT，像素電極為狹縫狀電極。作為本專利技術的另一種具體實施方式，底柵型TFT多晶硅陣列基板，如圖3g所示，其結構與上述具體實施方式中的頂柵型TFT多晶硅陣列基板的結構相類似。其中的區別在于，在底柵型TFT多晶硅陣列基板中，柵電極7位于有源層3的下方，像素電極4位于公共電極6的上方，像素電極4為狹縫狀電極。帶狹縫的像素電極4與公共電極6可以產生多維電場，利用多維電場用以增大顯示裝置的視角。本專利技術實施例的多晶硅陣列基板，通過調整多晶硅陣列基板內像素電極以及公共電極的層間位置，省去了現有技術中的有機層和過孔結構，簡化了陣列基板的層間結構，簡化了陣列基板的生產工藝，降低了制作成本。另外，公共電極和像素電極位于上方電極為狹縫狀電極，使得電極間相互配合產生多維電場，提高了陣列基板的顯示效果。進一步的，公共電極6上方或下方設置有與所述公共電極接觸的公共電極線8，公共電極線8用以傳輸公共電極6信號，當然，公共電極線8可以根據情況進行設置，使用的時機可根據加載信號進行判斷，比如當液晶顯示裝置的尺寸較大時，公共電極信號較弱的時候可設置公共電極線8。而當陣列基板公共電極信號可以滿足顯示裝置的正常使用時，可將公共電極線8結構省去，用以進一步的增加陣列基板的開口率。優選的，源電極10及漏電極Ii的厚度為1000A ^soooA0本專利技術實施例的公共電本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種多晶硅陣列基板，包括多晶硅TFT，其特征在于，還包括：與所述多晶硅TFT的有源層同層設置的像素電極，與所述多晶硅TFT的柵極同層設置的公共電極，所述公共電極與所述像素電極相對設置，所述公共電極和像素電極兩者中位于上方的電極為狹縫狀電極。

【技術特征摘要】
1.一種多晶硅陣列基板，包括多晶硅TFT，其特征在于，還包括與所述多晶硅TFT的有源層同層設置的像素電極，與所述多晶硅TFT的柵極同層設置的公共電極，所述公共電極與所述像素電極相對設置，所述公共電極和像素電極兩者中位于上方的電極為狹縫狀電極。2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述多晶硅TFT為頂柵型TFT，所述公共電極為狹縫狀電極。3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述多晶硅TFT為底柵型TFT，所述像素電極為狹縫狀電極。4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極上方或下方設置有與所述公共電極接觸的公共電極線。5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源電極及所述漏電極的厚度為1000A 5000A 6.一種液晶顯...

【專利技術屬性】
技術研發人員：辛燕霞，樸承翊，楊玉清，石天雷，楊慧光，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，成都京東方光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：