本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種液晶顯示器的單位像素，至少包括下電極、絕緣層以及上電極。上電極包括若干個單位電極，相鄰的單位電極之間具有開口，上電極最鄰近外側(cè)的開口的外側(cè)邊緣與下電極的外側(cè)邊緣彼此縱向?qū)R。亦或上電極最鄰近外側(cè)的開口的外側(cè)邊緣與下電極的外側(cè)邊緣彼此具有距離，此距離等于或小于開口的寬度的二分之一。由于本發(fā)明專利技術(shù)所述的單位像素的最鄰近外側(cè)的單位電極與下電極之間并無縱向重疊，因而避免了串?dāng)_現(xiàn)象的產(chǎn)生。亦即本發(fā)明專利技術(shù)所述的單位像素不僅提升了出光效率也避免了串?dāng)_現(xiàn)象的產(chǎn)生。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種液晶顯示器的單位像素，具體是指一種提升了出光效率也避免了 串?dāng)_現(xiàn)象產(chǎn)生的液晶顯示器的單位像素。
技術(shù)介紹
首先，請參閱圖1所示，它是繪示現(xiàn)有邊界電場切換模式液晶顯示器的單位像素 的示意圖。邊界電場切換(Fringe Field Switching, FFS)液晶顯示器的現(xiàn)有單位像素I 至少包括下基板11、下電極12、絕緣層13、上電極14、液晶配置層15以及上基板16。下電 極12設(shè)于下基板11之上。絕緣層13設(shè)于下電極12之上。上電極14設(shè)于絕緣層13之上， 使得絕緣層13位于下電極12與上電極14之間。液晶配置層15設(shè)于上電極14之上。上 基板16設(shè)于液晶配置層15之上。前述上電極14由若干個單位電極141所構(gòu)成。而相鄰 的單位電極141之間具有開口 142 (Slit)。而單位像素的下電極12的外側(cè)邊緣121與上電 極14最鄰近外側(cè)的單位電極141的外側(cè)邊緣1411彼此為縱向?qū)R或近乎縱向?qū)R。請再參閱圖2所示，它是繪示現(xiàn)有邊界電場切換模式液晶顯示器的單位像素的光 學(xué)仿真結(jié)果示意圖。依據(jù)前述的單位像素結(jié)構(gòu)進行光學(xué)仿真，可得知這種單位像素結(jié)構(gòu)具 有高光穿透率，進一步提升了單位像素的出光效率。然而，這種單位像素結(jié)構(gòu)雖可提升單位 像素的出光效率，但其最鄰近外側(cè)的單位電極與下電極12之間因縱向重疊(overlap)，進 而產(chǎn)生了串?dāng)_(cross-talk)現(xiàn)象。前述為仍待解決的技術(shù)課題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的各項問題，本專利技術(shù)提出一種液晶顯示器的單位像素，以作為改 善上述缺點的實現(xiàn)方式與依據(jù)。本專利技術(shù)的其一目的在于，提供一種下電極的外側(cè)邊緣與上電極最鄰近外側(cè)的開口 的外側(cè)邊緣彼此縱向?qū)R的液晶顯示器的單位像素。本專利技術(shù)的另一目的在于，提供一種下電極的外側(cè)邊緣與上電極最鄰近外側(cè)的開口 的外側(cè)邊緣彼此具有距離，此距離等于或小于所述開口寬度的二分之一的液晶顯示器的單 位像素。本專利技術(shù)的再一目的在于，提供一種不僅提升了出光效率也避免了串?dāng)_現(xiàn)象產(chǎn)生的 液晶顯示器的單位像素。依據(jù)本專利技術(shù)的上述目的，本專利技術(shù)提供一種液晶顯示器的單位像素，至少包括下基 板、下電極、絕緣層、上電極、液晶配置層以及上基板。下電極設(shè)于下基板之上，絕緣層設(shè)于 下電極之上，上電極設(shè)于絕緣層之上，使得絕緣層位于下電極與上電極之間，液晶配置層設(shè) 于上電極之上。下電極具有外側(cè)邊緣，上電極包括若干個單位電極，相鄰的單位電極之間具 有開口，上電極最鄰近外側(cè)的開口的外側(cè)邊緣與下電極的外側(cè)邊緣彼此縱向?qū)R。亦或上 電極最鄰近外側(cè)的開口的外側(cè)邊緣與下電極的外側(cè)邊緣彼此具有距離，此距離等于或小于 開口的寬度的二分之一。依據(jù)本專利技術(shù)所述的單位像素的結(jié)構(gòu)設(shè)計，本專利技術(shù)所述的單位像素具有高光穿透 率，進一步提升了出光效率。且由于本專利技術(shù)所述的單位像素最鄰近外側(cè)的單位電極與下電 極之間并無縱向重疊，因而避免了串?dāng)_現(xiàn)象的產(chǎn)生。亦即本專利技術(shù)所述的液晶顯示器的單位 像素不僅提升了出光效率也避免了串?dāng)_現(xiàn)象的產(chǎn)生。為使本領(lǐng)域技術(shù)人員對本專利技術(shù)所述的技術(shù)特征及所達(dá)到的功效有更進一步的了 解與認(rèn)識，謹(jǐn)佐以優(yōu)選的實施例及配合詳細(xì)的說明如后。附圖說明圖1為現(xiàn)有的邊界電場切換模式液晶顯示器的單位像素的示意圖2為現(xiàn)有的邊界電場切換模式液晶顯示器的單位像素的光學(xué)仿真結(jié)果示意圖3為本專利技術(shù)液晶顯示器的單位像素的第一優(yōu)選實施例示意圖4為本專利技術(shù)液晶顯示器的單位像素的第一優(yōu)選實施例的光學(xué)仿真結(jié)果示意圖5為本專利技術(shù)液晶顯示器的單位像素的第二優(yōu)選實施例示意圖6為本專利技術(shù)液晶顯示器的單位像素的第二優(yōu)選實施例的光學(xué)仿真結(jié)果示意圖7為本專利技術(shù)液晶顯示器的單位像素的第三優(yōu)選實施例示意圖；以及圖8為本專利技術(shù)液晶顯示器的單位像素的第三優(yōu)選實施例的光學(xué)仿真結(jié)果示意圖。附圖標(biāo)記說明1-現(xiàn)有單位像素；11-下基板；12-下電極；121-外側(cè)邊緣；13-絕緣層；14-上電 極；141-單位電極；1411_外側(cè)邊緣；142-開口 ；15_液晶配置層；16_上基板；2_單位像 素；21_下基板；22_下電極；221-下電極的外側(cè)邊緣；23_絕緣層；24_上電極；241_單位 電極；242_開口 ；2421_最鄰近外側(cè)的開口的外側(cè)邊緣；25_液晶配置層；26_上基板；W-寬 度；A-距離；以及B-距離。具體實施方式以下將參照相關(guān)附圖，說明本專利技術(shù)液晶顯示器的單位像素，為便于理解，下述實施 例中的相同組件以相同的符號標(biāo)示來說明。首先，請參閱圖3所示，它是繪示本專利技術(shù)液晶顯示器的單位像素的第一優(yōu)選實施 例示意圖。本專利技術(shù)液晶顯示器的單位像素2由下而上至少包括下基板21、下電極22、絕緣層23、上電極24、液晶配置層25以及上基板26。下電極22設(shè)于下基板21之上。絕緣層23設(shè) 于下電極22之上。絕緣層23的材質(zhì)為氮化物或氧化物等材質(zhì)，前述氮化物例如為氮化硅， 氧化物例如為二氧化硅。上電極24設(shè)于絕緣層23之上，使得絕緣層23位于下電極22與 上電極24之間。液晶配置層25設(shè)于上電極24之上。上基板26設(shè)于液晶配置層25之上。 前述上電極24包括若干個單位電極241。而相鄰的單位電極241之間具有開口(Slit) 242。 各開口 242的寬度W為相等或不相等，在本實施例中，僅舉各開口 242的寬度W相等為例， 但僅為舉例不為所限。而單位像素2的下電極22的外側(cè)邊緣221與上電極24最鄰近外側(cè) 的開口 242的外側(cè)邊緣2421彼此縱向?qū)R。請再參閱圖4所示，它是繪示本專利技術(shù)液晶顯示器的單位像素第一優(yōu)選實施例的光 學(xué)仿真結(jié)果示意圖。依據(jù)本專利技術(shù)的第一優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)進行光學(xué)仿真，可得知本專利技術(shù)的 第一優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)具有高光穿透率，進而提升了單位像素2的出光效率。請再參閱圖5所示，它是繪示本專利技術(shù)液晶顯示器的單位像素的第二優(yōu)選實施例示 意圖。本專利技術(shù)液晶顯示器的單位像素2由下而上至少包括下基板21、下電極22、絕緣層23、 上電極24、液晶配置層25以及上基板26。而與前述第一優(yōu)選實施例的不同處在于，單位像 素2的下電極22的外側(cè)邊緣221與上電極24最鄰近外側(cè)的開口 242的外側(cè)邊緣2421彼 此具有距離A，此距離A約小于所述開口 242的寬度W的二分之一。在本實施例中，距離A 例如約為所述開口 242的寬度W的四分之一。請再參閱圖6所示，它是繪示本專利技術(shù)液晶顯示器的單位像素第二優(yōu)選實施例的光 學(xué)仿真結(jié)果示意圖。依據(jù)本專利技術(shù)的第二優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)進行光學(xué)仿真，可得知本專利技術(shù)的 第二優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)亦具有高光穿透率，進而提升了單位像素2的出光效率。請再參閱圖7所示，它是繪示本專利技術(shù)液晶顯示器的單位像素的第三優(yōu)選實施例示 意圖。本專利技術(shù)液晶顯示器的單位像素2由下而上至少包括下基板21、下電極22、絕緣層23、 上電極24、液晶配置層25以及上基板26。而與前述第一優(yōu)選實施例或第二優(yōu)選實施例的 不同處在于，單位像素2的下電極22的外側(cè)邊緣221與上電極24最鄰近外側(cè)的開口 242 的外側(cè)邊緣2421彼此具有距離B，此距離B約為所述開口 242的寬度W的二分之一。請再參閱圖8所示，它是繪示本專利技術(shù)液晶顯示器的單位像素第三優(yōu)選實施例的光 學(xué)仿真結(jié)果示意圖。依據(jù)本專利技術(shù)的第三優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)進行光學(xué)仿真，可得知本專利技術(shù)的 第三優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)亦具有高光穿透率，進而提升了單位像本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種液晶顯示器的單位像素，其特征在于，至少包括：一下電極，所述下電極設(shè)于一下基板之上，所述下電極具有一外側(cè)邊緣；一絕緣層，所述絕緣層設(shè)于所述下電極之上；一上電極，所述上電極設(shè)于所述絕緣層之上，使得所述絕緣層位于所述下電極與所述上電極之間，所述上電極包括若干個單位電極，相鄰的各所述單位電極之間具有一開口，所述上電極最鄰近外側(cè)的所述開口的外側(cè)邊緣與所述下電極的外側(cè)邊緣彼此縱向?qū)R；以及一液晶配置層，所述液晶配置層設(shè)于所述上電極之上。
【技術(shù)特征摘要】
2011.09.22 TW 1001342011.一種液晶顯示器的單位像素，其特征在于，至少包括一下電極，所述下電極設(shè)于一下基板之上，所述下電極具有一外側(cè)邊緣；一絕緣層，所述絕緣層設(shè)于所述下電極之上；一上電極，所述上電極設(shè)于所述絕緣層之上，使得所述絕緣層位于所述下電極與所述上電極之間，所述上電極包括若干個單位電極，相鄰的各所述單位電極之間具有一開口，所述上電極最鄰近外側(cè)的所述開口的外側(cè)邊緣與所述下電極的外側(cè)邊緣彼此縱向?qū)R；以及一液晶配置層，所述液晶配置層設(shè)于所述上電極之上。2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的單位像素，其特征在于，還包括一上基板及所述下基板，所述下電極設(shè)于所述下基板之上，所述上基板設(shè)于所述液晶配置層之上。3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的單位像素，其特征在于，各所述開口的一寬度相坐寸ο4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的單位像素，其特征在于，各所述開口的一寬度不相等。5.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器的單位像素，其特征在于，所述絕緣層的...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：游家華，曾俊欽，王義方，李昆政，郭豐瑋，趙廣雄，
申請(專利權(quán))人：瀚宇彩晶股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。