【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
調(diào)控背電極從優(yōu)取向達(dá)到高效率銅銦鎵砸的技術(shù)
本專利技術(shù)關(guān)于一種可提升銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的方法，藉由調(diào)整背電極Mo的從優(yōu)取向，而調(diào)整吸收層的縱向結(jié)構(gòu)，并改善介面性質(zhì)，達(dá)到高效率的目標(biāo)。
技術(shù)介紹
目前由于石化能源的漸漸耗盡，核能發(fā)電的危險(xiǎn)性，火力發(fā)電的污染性，使得新興能源的發(fā)展逐漸獲得人們的關(guān)注，以太陽電池種類分類的話，可分為(I)單、多晶硅，因發(fā)展較早，目前市占率約80%;⑵新興的薄膜太陽電池約占市場10%，包括非晶硅、微晶硅、碲化鎘、銅銦鎵硒等；(3)其余材料，如染料敏化太陽電池等，則因大面積生產(chǎn)與衰竭問題尚待解決，故量非常少。而本專利技術(shù)技術(shù)背景為針對(duì)銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池的整體轉(zhuǎn)換效率做提高的方法，一般的銅銦鎵硒皆為(112)從優(yōu)取向的成長，此乃因?yàn)楸∧け韺拥你~空位缺陷所造成，而高效的銅銦鎵硒則應(yīng)為(220/204)取向，這可仰賴底層的背電極的結(jié)構(gòu)來做調(diào)整。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)為一種可改善銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池填充因子與電流密度的方法，藉由調(diào)整底層的背電極從優(yōu)取向?yàn)閬沓砷L銅銦鎵硒吸收層，主要是經(jīng)由調(diào)整背電極Mo的成長壓力來形成所需的(110)從優(yōu)取向強(qiáng)度，如此可增強(qiáng)銅銦鎵硒的(220/204)取向，而提升銅銦鎵硒(CIGS)太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。具體實(shí)施方式茲將本專利技術(shù)銅銦鎵硒(CIGS)組件結(jié)構(gòu)說明如附圖(一)，詳細(xì)說明如下首先我們利用濺射法來 成長背電極Mo薄膜，主要控制成長的壓力于2Pa 3Pa，如此可獲得晶格較大且較致密的Mo薄膜如圖(二)以及較強(qiáng)的(110)從優(yōu)取向強(qiáng)度。此將大幅的增強(qiáng)后續(xù)成長的銅銦鎵硒的...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
本專利技術(shù)關(guān)于一種可提升銅銦鎵硒太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的方法，藉由調(diào)整背電極?????????Mo的從優(yōu)取向，進(jìn)而調(diào)整吸收層的縱向結(jié)構(gòu)，并改善介面性質(zhì)，達(dá)到銅銦鎵硒組件高效????????????率的目標(biāo)。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鄭佳仁，劉幼海，劉吉人，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：吉富新能源科技上海有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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