本發明專利技術提供一種可提升基材型硅薄膜太陽能電池效率的激光處理背電極方法，此技術方法包括玻璃、第一透明導電層薄膜、第一金屬層薄膜、第二金屬層薄膜、激光退火處理、與第二透明導電層薄膜。先在玻璃上依序沉積第一透明導電層薄膜、第一金屬層薄膜、第二金屬層薄膜、以激光處理第二金屬層薄膜表面平整化后、最后沉積第二透明導電層。本發明專利技術可將基材型硅薄膜薄膜太陽能電池的背電極表面平整化，進而改善微晶硅吸收層結構，提升基材型硅薄膜太陽能電池效率。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術關於一種可提升基材型硅薄膜太陽能電池效率的激光處理背電極技術方法，其目的系將基材型硅薄膜太陽能的背電極金屬薄膜表面平整化，以提升薄膜太陽能電池效率。
技術介紹
目前，業界關於基材型微晶硅薄膜太陽能電池的背電極，其金屬層薄膜在鍍膜后并無任何的處理，但如此缺點是微晶硅薄膜在背電極上不易形成大晶粒的結構。微晶硅薄膜成長於基材型太陽能電池的背電極時，對於背電極膜面的平整程度相當敏感，完全平坦的背電極膜面雖易形成大晶粒的微晶硅薄膜，但由於反射率過高會導致吸收變小轉換效率 較低；相對的薄膜表面過於粗糙的背電極雖然吸收較高，但微晶硅薄膜沉積時卻不易形成大晶粒的結構。
技術實現思路
本專利技術關於一種可提升基材型硅薄膜太陽能電池效率的激光退火處理背電極方法，此技術方法包括玻璃、第一透明導電層薄膜、第一金屬層薄膜、第二金屬層薄膜、激光退火處理、與第二透明導電層薄膜。先在玻璃上依序沉積第一透明導電層薄膜、第一金屬層薄膜、第二金屬層薄膜、以激光處理第二金屬層薄膜表面平整化后、最后沉積第二透明導電層薄膜。本專利技術可將薄膜太陽能電池背電極表面平整化，進而改善微晶硅吸收層結構，提升基材型硅薄膜太陽能電池效率。具體實施方示茲將本專利技術配合附圖，詳細說明如下請參閱第一圖，為本專利技術之動作流程方塊示意圖。由圖中可知，先在玻璃上依序沉積第一透明導電層薄膜、第一金屬層薄膜、第二金屬層薄膜、以激光處理第二金屬層薄膜表面平整化后、最后沉積第二透明導電層薄膜。請參閱第二圖，第二圖是薄膜沉積前之玻璃示意圖。圖中為薄膜沉積前之玻璃I。請參閱第三圖，第三圖是玻璃上沉積第一透明導電層薄膜之示意圖。即在玻璃I上沉積上第一透明導電層薄膜2。請參閱第四圖，第四圖是在第一透明導電層薄膜上沉積第一金屬層薄膜之示意圖。即在第一透明導電層薄膜2上接著沉積第一金屬層薄膜3。請參閱第五圖，第五圖是在第一金屬層薄膜上沉積第二金屬層薄膜之示意圖。即在第一金屬層薄膜3上沉積第二金屬層薄膜4。請參閱第六圖，第六圖為激光退火第二金屬層薄膜之示意圖。激光器61所發出的激光62,在經過透鏡63后發散成激光64,激光64的能量會在第二金屬層薄膜4的表面退火，使得第二金屬層薄膜4的表面平整化。請參閱第七圖，第七圖是激光器在第二金屬層上X-Y軸平面的行進動線。激光器61會在第二金屬層薄膜4的表面上，沿著激光器行進動線65移動，使其在第二金屬層薄膜4上整面完成退火，使得第二金屬層薄膜4的整面膜面表面平整化。請參閱第八圖，第八圖是激光退火第二金屬層后薄膜表面平整化之示意圖。請參閱第九圖，第九圖是在表面平整化的第二金屬層上沉積第二透明導電層之示意圖。即在平整化后的第二金屬層薄膜4上沉積第二透明導電層5。附圖說明 下面結合附圖與實施例對本專利技術進一步說明。第一圖是本專利技術之動作流程方塊示意圖。第二圖是薄膜沉積前之玻璃示意圖。第三圖是玻璃上沉積第一透明導電層薄膜之示意圖。第四圖是在第一透明導電層薄膜上沉積第一金屬層薄膜之示意圖。第五圖是在第一金屬層薄膜上沉積第二金屬層薄膜之示意圖。第六圖為激光退火第二金屬層薄膜之示意圖。第七圖是激光器在第二金屬層上X-Y軸平面的行進動線。第八圖是激光退火第二金屬層后薄膜表面平整化之示意圖。第九圖是在表面平整化的第二金屬層上沉積第二透明導電層之示意圖。主要元件符號說明I…玻璃2...第一透明導電層薄膜3...第一金屬層薄膜4.第二金屬層薄膜5...第二透明導電層薄膜61...激光器62…激光63...光學透鏡64...發散的激光65...激光器行進動線權利要求1.一種可提升基材型硅薄膜太陽能電池效率的激光退火處理背電極方法，此技術方法包括玻璃、第一透明導電層薄膜、第一金屬層薄膜、第二金屬層薄膜、激光退火處理、與第二透明導電層薄膜。先在玻璃上依序沉積第一透明導電層薄膜、第一金屬層薄膜、第二金屬層薄膜、以激光處理第二金屬層薄膜表面平整化后、最后沉積第二透明導電層薄膜。本專利技術可將薄膜太陽能電池背電極表面平整化，進而改善微晶硅吸收層結構，提升基材型硅薄膜太陽能電池效率。2.根據權利要求1所述的一種可提升基材型硅薄膜太陽能電池效率的激光退火處理背電極方法，，其中該第一透明導電層薄膜，薄膜材料涵蓋銦錫氧化物(Indium TimOxide)、招鋒氧化物(Aluminum Zinc Oxide)、二氧化錫(Sn02:F)與嫁鋒氧化物(GalliumZinc Oxide)。3.根據權利要求1所述的一種可提升基材型硅薄膜太陽能電池效率的激光退火處理背電極方法，其中該第二透明導電層薄膜，薄膜材料涵蓋銦錫氧化物(Indium Tim Oxide)、招鋒氧化物(Aluminum Zinc Oxide)、二氧化錫(Sn02:F)與嫁鋒氧化物(Gallium ZincOxide)。4.根據權利要求1所述的一種可提升基材型硅薄膜太陽能電池效率的激光退火處理背電極方法，其中該第一金屬層薄膜，薄膜材料涵蓋鈦(Ti)、銀(Ag)、金(Au)與鋁(Al)。5.根據權利要求1所述的一種可提升基材型硅薄膜太陽能電池效率的激光退火處理背電極方法，其中該第二金屬層薄膜，薄膜材料涵蓋鈦(Ti)、銀(Ag)、金(Au)與鋁(Al)。全文摘要本專利技術提供一種可提升基材型硅薄膜太陽能電池效率的激光處理背電極方法，此技術方法包括玻璃、第一透明導電層薄膜、第一金屬層薄膜、第二金屬層薄膜、激光退火處理、與第二透明導電層薄膜。先在玻璃上依序沉積第一透明導電層薄膜、第一金屬層薄膜、第二金屬層薄膜、以激光處理第二金屬層薄膜表面平整化后、最后沉積第二透明導電層。本專利技術可將基材型硅薄膜薄膜太陽能電池的背電極表面平整化，進而改善微晶硅吸收層結構，提升基材型硅薄膜太陽能電池效率。文檔編號B23K26/00GK103000746SQ20111022940公開日2013年3月27日 申請日期2011年8月11日 優先權日2011年8月11日專利技術者陳宏昌, 劉幼海, 劉吉人 申請人:吉富新能源科技(上海)有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種可提升基材型硅薄膜太陽能電池效率的激光退火處理背電極方法，此技術方法包括玻璃、第一透明導電層薄膜、第一金屬層薄膜、第二金屬層薄膜、激光退火處理、與第二透明導電層薄膜。先在玻璃上依序沉積第一透明導電層薄膜、第一金屬層薄膜、第二金屬層薄膜、以激光處理第二金屬層薄膜表面平整化后、最后沉積第二透明導電層薄膜。本專利技術可將薄膜太陽能電池背電極表面平整化，進而改善微晶硅吸收層結構，提升基材型硅薄膜太陽能電池效率。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳宏昌，劉幼海，劉吉人，
申請(專利權)人：吉富新能源科技上海有限公司，
類型：發明
國別省市：
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