一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，包括：提供一襯底基板；在襯底基板上形成金屬薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括柵線的圖形；在形成柵線圖形的襯底基板上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和數(shù)據(jù)金屬層薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括圖案化的柵絕緣層、位于柵絕緣層上的有源層、摻雜半導(dǎo)體層的圖形，以及位于所述摻雜半導(dǎo)體層上的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形；在形成源電極電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形的襯底基板上形成鈍化層；在形成鈍化層的襯底基板上形成透明導(dǎo)電薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖形，像素電極通過(guò)貫穿鈍化層的第一過(guò)孔與漏電極連接。本發(fā)明專利技術(shù)可以減少一次掩模板工藝，降低陣列基板的制作成本。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及液晶顯示
，特別是指。
技術(shù)介紹
在4Mask (4次掩模板)工藝技術(shù)中，過(guò)孔工藝都是通過(guò)在陣列基板上進(jìn)行涂膠后，再先后的采用掩模板的掩膜、曝光、顯影、刻蝕工藝完成過(guò)孔，然后再利用過(guò)孔實(shí)現(xiàn)不同層的導(dǎo)電薄膜的良好接觸，這種工藝在實(shí)施過(guò)程中比較的復(fù)雜，工序比較的多。在過(guò)孔工藝的完成中耗費(fèi)了大量的資金，大大的提高了生產(chǎn)的成本。例如涂膠過(guò)程中的光刻膠、掩膜過(guò)程中的掩模板、顯影過(guò)程中的溶液和曝光、刻蝕設(shè)備等的成本都是很大的。在工序繁多的生產(chǎn)過(guò)程中，很容易帶來(lái)工藝的管控不良，直接導(dǎo)致生產(chǎn)出的面板的不良顯示。在實(shí)際的面板檢測(cè)和不良分析中，很多的不良顯示都是由于在過(guò)孔工藝時(shí)，容易在過(guò)孔處出現(xiàn)倒角、過(guò)刻等 工藝問(wèn)題產(chǎn)生，如果產(chǎn)生過(guò)刻或是出現(xiàn)倒角或者是刻蝕過(guò)程中又殘留，就會(huì)導(dǎo)致短路或者電阻過(guò)大，直接導(dǎo)致顯示不良。并且如果在刻蝕工藝中管控不良，出現(xiàn)上述的問(wèn)題將不是只是一個(gè)面板的問(wèn)題，而是整張玻璃或者是一批玻璃將全部報(bào)廢。另一方面由于干法刻蝕過(guò)孔的面積大，這樣就會(huì)影響液晶面板的開口率，直接影響顯示的亮度，影響產(chǎn)品的品質(zhì)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供，減少一次掩模板工藝，降低陣列基板的制作成本。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本專利技術(shù)的實(shí)施例提供，包括以下步驟SI I，提供一襯底基板；S12，在所述襯底基板上形成金屬薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括柵線的圖形；S13，在完成步驟S12的襯底基板上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和數(shù)據(jù)金屬層薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括圖案化的柵絕緣層、位于柵絕緣層上的有源層、摻雜半導(dǎo)體層的圖形，以及位于所述摻雜半導(dǎo)體層上的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形；S14,在完成步驟S13的襯底基板上形成鈍化層；S15，在完成步驟S14的襯底基板上形成透明導(dǎo)電薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖形，所述像素電極通過(guò)貫穿所述鈍化層的第一過(guò)孔與所述漏電極連接。其中，所述步驟S12包括在所述襯底基板上形成金屬薄膜；采用普通掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)所述金屬薄膜進(jìn)行處理，形成包括柵線的圖形。其中，所述步驟S13包括在所述柵線上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和數(shù)據(jù)金屬層薄膜；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)所述柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和數(shù)據(jù)金屬層薄膜進(jìn)行處理，形成包括圖案化的柵絕緣層、位于柵絕緣層上的有源層、摻雜半導(dǎo)體層的圖形，以及位于所述摻雜半導(dǎo)體層上的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形。其中，所述采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)所述柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和數(shù)據(jù)金屬層薄膜進(jìn)行處理，形成包括圖案化的柵絕緣層、位于柵絕緣層上的有源層、摻雜半導(dǎo)體層的圖形，以及位于所述摻雜半導(dǎo)體層上的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形的步驟包括在所述數(shù)據(jù)金屬層薄膜上涂敷一層光刻膠；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板通過(guò)灰化工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠；通過(guò)刻蝕工藝完全刻蝕掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的數(shù)據(jù)金屬層薄膜、摻雜半導(dǎo) 體層薄膜和有源層薄膜，露出柵絕緣層，以及完全刻蝕掉溝通區(qū)域的光刻膠、數(shù)據(jù)金屬層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜，露出有源層；剝離剩余的光刻膠，暴露出該區(qū)域的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形。其中，通過(guò)刻蝕工藝完全刻蝕掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的數(shù)據(jù)金屬層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜和有源層薄膜，露出柵絕緣層，以及完全刻蝕掉溝通區(qū)域的光刻膠、數(shù)據(jù)金屬層薄膜、摻雜半導(dǎo)體層薄膜，露出有源層的步驟包括通過(guò)第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的數(shù)據(jù)金屬層薄膜；通過(guò)第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉所述溝道區(qū)域的光刻膠，露出數(shù)據(jù)金屬層；通過(guò)第三次刻蝕工藝完全刻蝕掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層薄膜和有源層薄膜，露出柵絕緣層；通過(guò)第四次刻蝕工藝完全刻蝕所述掉溝道區(qū)域的數(shù)據(jù)金屬層，露出摻雜半導(dǎo)體層；通過(guò)第五次刻蝕工藝完全刻蝕掉所述溝道區(qū)域的摻雜半導(dǎo)體層，露出有源層。其中，所述步驟S14包括在露出的所述柵絕緣層上、所述源電極上、所述漏電極上、所述溝道上形成鈍化層。其中，所述步驟S15包括在完成步驟S14的襯底基板上形成透明導(dǎo)電薄膜；采用普通掩模板通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)所述透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行處理，形成包括像素電極的圖形；其中，所述像素電極通過(guò)貫穿所述鈍化層的第一過(guò)孔與所述漏電極連接。其中，在形成柵線時(shí)還包括形成公共電極線；在形成像素電極時(shí)，還包括形成公共電極；所述公共電極通過(guò)穿過(guò)所述鈍化層以及所述柵絕緣層的第二過(guò)孔與所述公共電極線連接。其中，所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔均采用激光器打孔焊接工藝形成。其中，所述第一過(guò)孔和所述第二過(guò)孔均在形成所述鈍化層后形成或者在形成所述透明導(dǎo)電薄膜后形成。本專利技術(shù)的上述技術(shù)方案的有益效果如下上述方案中，省去了制備工藝中的一張掩模板，去除了傳統(tǒng)的過(guò)孔工藝所應(yīng)用的涂膠、掩膜、曝光、顯影、刻蝕工藝等一系列的工藝，替而代之的是激光打孔焊接工藝，完成了從4掩模板到3掩模板工藝技術(shù)的過(guò)度，降低陣列基板的生產(chǎn)成本，且采用激光打孔，過(guò)孔的面積比傳統(tǒng)的掩模板工藝制備的孔面積小的多，因此，還可以增大每個(gè)亞像素的面積，從而增大開口率，提聞了面板的整體顯不売度，提聞廣品的品質(zhì)。附圖說(shuō)明圖1A為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，柵金屬薄膜沉積后的平面圖；圖1B為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，柵金屬薄膜沉積后的剖面圖；圖2A為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，第一次掩模板工藝形成柵線的平面圖；圖2B為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，第一次掩模板工藝形成柵線的剖面圖； 圖3A為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，形成柵絕緣層、有源層、摻雜半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)金屬層的平面圖；圖3B為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，形成柵絕緣層、有源層、摻雜半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)金屬層的剖面圖；圖4A為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，沉積光刻膠后的平面圖；圖4B為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，沉積光刻膠后的剖面圖；圖5A為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，第二次掩模板工藝形成灰化處理后的光刻膠的平面圖；圖5B為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，第二次掩模板工藝形成灰化處理后的光刻膠的剖面圖；圖6A為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，數(shù)據(jù)金屬層第一次刻蝕后的平面圖；圖6B為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，數(shù)據(jù)金屬層第一次刻蝕后的剖面圖；圖7A為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，光刻膠刻蝕后的平面圖；圖7B為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，光刻膠刻蝕后的剖面圖；圖8A為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，有源層第一次刻蝕后的平面圖；圖SB為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，有源層第一次刻蝕后的剖面圖；圖9A為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，數(shù)據(jù)金屬層第二次刻蝕后的平面圖；圖9B為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，數(shù)據(jù)金屬層第二次刻蝕后的剖面圖；圖1OA為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，摻雜半導(dǎo)體層刻蝕后的平面圖；圖1OB為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，摻雜半導(dǎo)體層刻蝕后的剖面圖；圖1lA為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，光刻膠去除后的平面圖；圖1lB為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，光刻膠去除后的剖面圖；圖12A為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，沉積鈍化層后的平面圖；圖12B為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，沉積鈍化層后的剖面圖；圖13A為本專利技術(shù)的陣列基板的制作方法中，沉積透明導(dǎo)電薄膜后的平面圖；圖1本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：S11，提供一襯底基板；S12，在所述襯底基板上形成金屬薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括柵線的圖形；S13，在完成步驟S12的襯底基板上形成柵絕緣層、半導(dǎo)體薄膜、摻雜半導(dǎo)體薄膜和數(shù)據(jù)金屬層薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括圖案化的柵絕緣層、位于柵絕緣層上的有源層、摻雜半導(dǎo)體層的圖形，以及位于所述摻雜半導(dǎo)體層上的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形；S14，在完成步驟S13的襯底基板上形成鈍化層；S15，在完成步驟S14的襯底基板上形成透明導(dǎo)電薄膜，由構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖形，所述像素電極通過(guò)貫穿所述鈍化層的第一過(guò)孔與所述漏電極連接。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：胡海琛，郤玉生，林鴻濤，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：京東方科技集團(tuán)股份有限公司，北京京東方顯示技術(shù)有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：