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    一種高性能半導體器件制造技術

    技術編號:8474703 閱讀:215 留言:0更新日期:2013-03-24 19:56
    本實用新型專利技術涉及半導體器件技術領域,特別涉及一種高性能半導體器件,其結構包括有電路基板和管腳,還包括分別設置于對應的電路基板上的MOS芯片和IC芯片,所述MOS芯片通過銅線與管腳和電路基板電連接,所述IC芯片通過金線與MOS芯片、管腳和電路基板電連接。由于IC芯片的導電要求較高,所以采用了金線作為導電介質,而MOS芯片的導電要求相對較低,因此采用銅線即可滿足要求。與現有技術相比,本實用新型專利技術在同一半導體器件中同時采用金線和銅線作為導電介質,可在較低的生產成本下滿足高性能半導體芯片的,獲得低成本,高性能的半導體器件。(*該技術在2022年保護過期,可自由使用*)

    【技術實現步驟摘要】

    一種高性能半導體器件
    本技術涉及半導體器件
    ,特別涉及一種高性能半導體器件。
    技術介紹
    隨著社會的進步,科技的發展,半導體集成電路芯片因其體積小,處理能力強而得到越來越廣泛的使用。而在半導體器件中,特別是具有多個半導體電子元件的半導體器件中,需要采用接合線使電路基板或者管腳與芯片電連接。在現有的半導體器件中,為了滿足高性能半導體電子元件的導電要求,一般采用導電性能良好的金線作為接合線,但眾所周知,金線價格昂貴,大大增加了半導體器件的生產成本。因此,有人采用銅線或者鋁線替代金線作為連接線,這可大大降低成本,但是銅線的導電性能和可靠性等常常無法滿足高性能半導體器件的要求,影響半導體器件的整體性倉泛。因此,為解決現有技術中的不足之處,提供一種既能節約生產成本,同時能滿足高性能芯片的導電要求的高性能半導體器件顯得尤為重要。
    技術實現思路
    本技術的目的在于避免上述現有技術中的不足之處而提供一種既能不影響高性能芯片的性能,同時又能有效降低生產成本的高性能半導體器件。本技術的目的通過以下技術方案實現提供了一種高性能半導體器件,包括電路基板和管腳,還包括分別設置于對應的電路基板上的MOS芯片和IC芯片,所述MOS芯片通過銅線分別與管腳和電路基板電連接, 所述IC芯片通過金線分別與MOS芯片、管腳和電路基板電連接。其中,還包括有引線框架,所述管腳和電路基板設置于引線框架的焊接區上。其中,所述引線框架的焊接區對應的外部設置有散熱片。其中,所述銅線和金線表面均包覆有包覆層。本技術的有益效果本技術提供了一種高性能半導體器件,包括有電路基板和管腳,還包括分別設置于對應的電路基板上的MOS芯片和IC芯片,所述MOS芯片通過銅線與管腳和電路基板電連接,所述IC芯片通過金線與MOS芯片、管腳和電路基板電連接。由于IC芯片的導電要求較高,所以采用了金線作為導電介質,而MOS芯片的導電要求相對較低,因此采用銅線即可滿足要求。與現有技術相比,本技術在同一半導體器件中同時采用金線和銅線作為導電介質,可在較低的生產成本下滿足高性能半導體芯片的,獲得低成本,高性能的半導體器件。附圖說明利用附圖對本技術作進一步說明,但附圖中的實施例不構成對本技術的任何限制,對于本領域的普通技術人員,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據以下附圖獲得其它的附圖。圖I為本技術一種高性能半導體器件的實施例的內部結構示意圖。圖2為本技術一種高性能半導體器件的實施例的結構示意圖。在圖I和圖2中包括有I——電路基板、2——管腳、3——MOS芯片、4——IC芯片、5——銅線、6——金線、 7——引線框架、8——散熱片。具體實施方式結合以下實施例對本技術作進一步描述。本技術一種高性能半導體器件的具體實施方式,如圖I至圖2所示,包括有電路基板I和管腳2,還包括分別設置于對應的電路基板I上的MOS芯片3和IC芯片4,所述 MOS芯片3通過銅線5分別與管腳2和電路基板I電連接,所述IC芯片4通過金線6分別與MOS芯片3、管腳2和電路基板I電連接。由于IC芯片4的導電要求較高,所以采用了金線6作為連接線,而MOS芯片3的導電要求相對較低,因此,采用銅線5即可滿足要求。與現有技術相比,本技術在同一半導體器件中同時采用金線6和銅線5作為連接線,可在較低的生產成本下,滿足高性能半導體芯片的要求,從而獲得低成本,高性能的半導體器件。本實施例中,還包括有引線框架7,所述管腳2和電路基板I設置于引線框架7的焊接區上。使各個芯片能夠更好的定位以及固定,便于進行封裝。本實施例中,所述引線框架7的焊接區對應的外部設置有散熱片8。由于在半導體電子元件工作時會產生大量的熱量,如不及時散熱會嚴重影響半導體元件的性能甚至燒壞元件。通過設置散熱片8能有效將半導體元件產生的熱量向外傳導,達到散熱的目的,使得高性能半導體元件能正常工作,不影響性能。本實施例中,所述銅線5和金線6表面均包覆有包覆層。通過設置包覆層能有效提高銅線5以及金線6的耐高溫特性,耐遷移特性等,提高半導體器件的穩定性,同時也減少了連接線之間可能產生的寄存性電容,提高半導體器件質量。最后應當說明的是,以上實施例僅用以說明本技術的技術方案,而非對本技術保護范圍的限制,盡管參照較佳實施例對本技術作了詳細地說明,本領域的普通技術人員應當理解,可以對本技術的技術方案進行修改或者等同替換,而不脫離本技術技術方案的實質和范圍。本文檔來自技高網...

    【技術保護點】
    一種高性能半導體器件,包括電路基板(1)和管腳(2),其特征在于:還包括分別設置于對應的電路基板(1)上的MOS芯片(3)和IC芯片(4),所述MOS芯片(3)通過銅線(5)分別與管腳(2)和電路基板(1)電連接,所述IC芯片(4)通過金線(6)分別與MOS芯片(3)、管腳(2)和電路基板(1)電連接。

    【技術特征摘要】
    1.一種高性能半導體器件,包括電路基板(1)和管腳(2),其特征在于還包括分別設置于對應的電路基板(1)上的MOS芯片(3 )和IC芯片(4),所述MOS芯片(3 )通過銅線(5 ) 分別與管腳(2)和電路基板(1)電連接,所述IC芯片(4)通過金線(6)分別與MOS芯片(3)、 管腳(2)和電路基板(1)電連接。2.如權利要求1所...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:羅艷玲
    申請(專利權)人:杰群電子科技東莞有限公司
    類型:實用新型
    國別省市:

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