一種直拉單晶法的冷卻工藝制造技術

一種直拉單晶法的冷卻工藝，即在冷卻時，停止向爐體內通入冷卻氣體，與此同時，關閉真空泵，這樣，就形成了一個密閉的空間，爐體內的氣體作為介質就可以把更多的熱傳給爐壁流動的水，冷卻效率更高。本發明專利技術在保證直拉單晶硅棒質量、成晶率以及生產周期的前提下，不僅使直拉法冷卻工藝更加高效明顯，還大大降低了冷卻氣體的使用量，從而較大程度上降低直拉法的生產成本。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種直拉單晶法的冷卻工藝，屬太陽能光伏領域。
技術介紹
全球所生廣的太陽能電池有80%以上是使用晶體娃,其中單晶娃約占40%,單晶娃最大的優勢就是其轉換效率高，但是生產成本較高，因此，怎樣在保證硅片質量的前提下， 降低生產成本成為了業界共同努力和關于的方向。正常情況下直拉單晶法的冷卻工藝是在通入冷卻氣體(一般為氬氣)的環境下進行的，由于整個系統處于開啟狀態，通入的氬氣在爐體內停留時間較短，最終帶走的熱量為全部熱量的80%—85%，冷卻效果一般且冷卻氣體成本大。
技術實現思路
本專利技術目的是提供一種直拉單晶法的冷卻工藝，即在冷卻時，停止向爐體內通入冷卻氣體,與此同時,關閉真空泵,這樣,就形成了一個密閉的空間,爐體內的氣體作為介質就可以把更多的熱傳給爐壁流動的水，冷卻效率更高。一種直拉單晶法的冷卻工藝，是在冷卻階段進行O. 8-1. 2h后，爐內溫度降到 1220-1280°C，壓力在30-34Pa時，停止向爐內通入氬氣，并關閉真空泵，爐內形成一個保壓的狀態，壓力為50-56Pa，維持4. 2-4. 8h，直至整個直拉法單晶制備工藝結束。本專利技術在保證直拉單晶硅棒質量、成晶率以及生產周期的前提下，不僅使直拉法冷卻工藝更加高效明顯，還大大降低了冷卻氣體的使用量，從而較大程度上降低直拉法的生產成本。具體實施例方式實施例I:一種直拉單晶法的冷卻工藝，是在冷卻階段進行O. 8h后，爐內溫度降到1220°C，壓力在30Pa時，停止向爐內通入氬氣，并關閉真空泵，爐內形成一個保壓的狀態，壓力為50Pa， 維持4. 2h，直至整個直拉法單晶制備工藝結束。實施例2 一種直拉單晶法的冷卻工藝，是在冷卻階段進行I. Oh后，爐內溫度降到1250°C，壓力在32Pa時，停止向爐內通入氬氣，并關閉真空泵，爐內形成一個保壓的狀態，壓力為53Pa， 維持4. 5h，直至整個直拉法單晶制備工藝結束。實施例3 一種直拉單晶法的冷卻工藝，是在冷卻階段進行I. 2h后，爐內溫度降到1280°C，壓力在34Pa時，停止向爐內通入氬氣，并關閉真空泵，爐內形成一個保壓的狀態，壓力為56Pa， 維持4. 8h，直至整個直拉法單晶制備工藝結束。實施例4:一種直拉單晶法的冷卻工藝，是在冷卻階段不停止通入氬氣，在壓力為32Pa時維持5. 5h，直至整個直拉法單晶制備工藝結束。在拉制6. 5寸單晶時，分別采用實施例1-4的冷卻工藝，其所得的單晶的成晶率和氬氣總消耗量如下表所示本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種直拉單晶法的冷卻工藝，其特征在于：在冷卻階段進行0.8?1.2h后，爐內溫度降到1220?1280℃，壓力在30?34Pa時，停止向爐內通入氬氣，并關閉真空泵，爐內形成一個保壓的狀態，壓力為50?56Pa，維持4.2?4.8h，直至整個直拉法單晶制備工藝結束。

【技術特征摘要】
1.一種直拉單晶法的冷卻工藝，其特征在于在冷卻階段進行0.8-1. 2h后，爐內溫度降到1220-1280°C，壓力在30-34Pa時，停止向爐內通入氬氣，并關閉真空泵，爐內形成一個保壓的狀態，壓力為50-56Pa，維持4. 2-4. 8h，直至整個直拉法單晶制...

【專利技術屬性】
技術研發人員：周慧敏，高俊偉，汪奇，徐志群，
申請(專利權)人：晶科能源有限公司，
類型：發明
國別省市：