【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及，屬于聲表面波器件的光刻技術(shù)。
技術(shù)介紹
濕法腐蝕是最早用于微機(jī)械結(jié)構(gòu)制造的加工方法，其是將晶片置于液態(tài)的化學(xué)腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，在腐蝕過程中，腐蝕液將把它所接觸的材料通過化學(xué)反應(yīng)逐步腐蝕溶掉。現(xiàn)有聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法如圖I所示，依次進(jìn)行涂光刻膠、曝光、顯影、濕法刻蝕以及去膠的操作。目前對于鋁膜厚且占空比大的設(shè)計(jì)要求來看，由于鋁膜的濕法腐蝕存在測向腐蝕問題，故當(dāng)鋁膜濕法腐蝕過程中濕法刻蝕的溶液溫度較高時，所涂的光刻膠就容易熔化，會出現(xiàn)過腐蝕現(xiàn)象而損壞光刻膠下面的其他材料。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)提供了一種濕法腐蝕的方法，以解決當(dāng)鋁膜濕法腐蝕過程中濕法刻蝕的溶液溫度較高時，所涂的光刻膠就容易熔化，會出現(xiàn)過腐蝕現(xiàn)象而損壞光刻膠下面的其他材料的問題，為此本專利技術(shù)采用如下的技術(shù)方案，當(dāng)鋁膜厚度(U m)與聲表面波器件的聲波長(m/s)之比大于10%時，將經(jīng)過涂光刻膠和曝光處理后的晶片進(jìn)行預(yù)烘烤和提高溫度的第二次烘烤。本專利技術(shù)實(shí)施方式提供的技術(shù)方案中增加烘烤工序可以使得在濕法刻蝕的溶液溫度較高時光刻膠不易熔化，使其既滿足了鋁膜厚且占空比大的設(shè)計(jì)要求，又增強(qiáng)了光刻膠的性能，從而保證了鋁膜的線條寬度。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術(shù)實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術(shù)的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I是本專利技術(shù)所述的現(xiàn)有聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法流程中晶片的效果示意圖；圖2是本專利...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法，其特征在于，當(dāng)鋁膜厚度（μm）與聲表面波器件的聲波長（m/s）之比大于10％時，將經(jīng)過涂光刻膠和曝光處理后的晶片進(jìn)行預(yù)烘烤和提高溫度的第二次烘烤。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法，其特征在于，當(dāng)鋁膜厚度(U m)與聲表面波器件的聲波長(m/s)之比大于10%時，將經(jīng)過涂光刻膠和曝光處理后的晶片進(jìn)行預(yù)烘烤和提高溫度的第二次烘烤。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法，其特征在于，所述預(yù)烘烤的溫度在100攝氏度至130攝氏度之間，烘焙時間在25分鐘到35分鐘之間。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的聲表面波器件中的鋁膜濕法腐蝕方法，其特征在于，所述提高溫度的第二次烘烤的溫度在...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：董啟明，
申請(專利權(quán))人：北京中訊四方科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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