本發明專利技術屬植物栽培技術領域，涉及一種利用莫氏蘭腋芽組織培養組培苗的快速繁殖方法，包括腋芽誘導過程、原球莖增殖過程、原球莖誘導叢生芽過程、壯苗培養過程、生根培養過程。本發明專利技術以莫氏蘭腋芽組織為外植體，通過原球莖接分化快速繁殖莫氏蘭種苗，提高莫氏蘭種苗的繁殖速度和繁殖數量，建立了莫氏蘭組培的快速繁殖體系，為莫氏蘭種苗的大規模工廠化生產提供一條有效途徑，具有較大的經濟效益。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬植物栽培
，涉及一種植物生物技術中組培苗(試管苗)繁殖方法，具體涉及。
技術介紹
莫氏蘭(Mokara)是由新加坡高級蘭花育種家侯偉勵用萬代蘭、鳥舌蘭、蜘蛛蘭三個屬雜交出來的新型蘭花。近十幾年來莫氏蘭以它獨特的花姿，風靡世界各地，種植面積和市場需求逐年上漲，已上升為主要的蘭花切花品種之一。目前，莫氏蘭的繁殖方法主要采用傳統的單莖切離繁殖方法，是取生長3 4年以上的莫氏蘭植株，且植株健壯、根系健康發達，然后進行單莖切離，一個成株一次只可以切離I 2段，切離的小段植株要生長I 2 年才可以開花，產率低，耗時長，成本高，效率低。隨著花卉產業的不斷發展，人民生活水平的不斷提高，花卉在日常生活中的需求量不斷的增長，莫氏蘭傳統的單莖切離繁殖方法已不能滿足生產的需要，植物組織培養成為了莫氏蘭種苗快速繁殖的新途徑。植物組織培養即植物無菌培養技術，又稱離體培養，是利用植物體離體的器官(如根、莖、葉、莖尖、花、果實等)組織(如形成層、表皮、皮層、髓部細胞、胚乳等)或細胞(如大孢子、小孢子、體細胞等)以及原生質體，在無菌和適宜的人工培養基及光照、溫度等人工條件下，能誘導出愈傷組織、不定芽、不定根，最后形成完整的植株的學科。目前國內對莫氏蘭組織培養的研究報道很少，國外對于莫氏蘭的研究多處于對其花的研究，對植株組織培養的報道也相對較少。
技術實現思路
本專利技術的目的是針對現有技術的不足而提供，以莫氏蘭腋芽為外植體，通過誘導腋芽產生原球莖，再由原球莖分化成叢生芽，最后形成具有根系的組培苗，有效地提高了莫氏蘭工廠化育苗的繁殖效率，填補莫氏蘭組織培養的技術空白，無論從數量上還是時間上，該繁殖方法要明顯優于傳統的單莖切離的繁殖方法，具有較高的商業價值。本專利技術是采用的技術方案，包括腋芽誘導過程、原球莖增殖過程、原球莖誘導叢生芽過程、壯苗培養過程、生根培養過程，其具體步驟如下I、腋芽誘導過程將經過消毒的腋芽接種于誘導培養基上進行培養，培養條件暗培養，溫度23 270C ;培養至腋芽表面分化出原球莖。所述誘導培養基是在基礎培養基的基礎上添加椰子汁I 200ml/L、a_蔡乙酸O. 02 O. 5mg/L、6_節氛基嘿呤I 5mg/L、腺嘿呤O. 5 3mg/ L0所述基礎培養基的成分和含量分別為①大量元素KN03450 1000mg/L、 KH2PO4150 250mg/L、(Ca) 3P04150 250mg/L、MgSO4 · 7H20200 370mg/L、(NH) 2S04350 800 mg/L ;②微量元素FeS04 · 7H2018. 5 27. 8mg/L、Na2_EDTA24. 86 37. 3mg/L、 MnSO4 ·Η207· 5 14. 8mg/L、ZnS04 ·7Η201 3. 2mg/L、H3B03l 2. 5mg/L ;③肌醇 I 250mg/ L ;④糖 I 20g/L ;⑤瓊脂 4. 5 5. 5g/L ；pH 為 5· I 5· 4。2、原球莖增殖過程將原球莖接種于增殖培養基上進行增殖培養，培養條件暗培養，溫度23 27°C ； 40 50d轉移一次。所述增殖培養基是在基礎培養基的基礎上添加椰子汁I 200ml/L、 蛋白胨I 2. 00g/L、a-萘乙酸O. 02 O. 5mg/L、6_芐氨基嘌呤I 5mg/L、腺嘌呤O. 5 3mg/L。3、原球莖誘導叢生芽過程將增殖后的原球莖接種于叢生芽誘導培養基上進行叢生芽誘導培養，至分化形成小芽，培養條件光培養，光照強度為1000 2000LX，溫度23 27°C。所述叢生芽誘導培養基是在基礎培養基的基礎上添加椰子汁I 200ml/L、蛋白胨I 2. 00g/L、香蕉10 100g/L、馬鈴薯 10 100g/Lo4、壯苗培養過程將叢生芽接種于壯苗培養基上進行壯苗培養，培養條件光培養，光照強度為 2000 3000Lx，溫度26 29°C ;培養35 45d后，小芽長成3 5 cm高的小苗，植株健壯。所述壯苗培養基是在基礎培養基的基礎上添加香蕉10 100g/L、馬鈴薯10 IOOg/ L、活性炭I. O 2. 0g/L。5、生根培養過程將小苗轉入到生根培養基中進行生根培養，培養條件光培養，光照強度為 2000 3000Lx，溫度26 29°C;生根培養60d后，小苗基部產生大量的根系，形成完整的植株。所述生根培養基是在基礎培養基的基礎上添加香蕉10 100g/L、馬鈴薯10 IOOg/ L、a-萘乙酸 0. 02 0. 5mg/L、活性炭 I. O 2. 0g/L。按照常規組培苗移栽方法將生根苗進行煉苗、晾苗，然后移栽到大田進行種植。本專利技術以莫氏蘭腋芽組織為外植體，通過原球莖接分化快速繁殖莫氏蘭種苗，提高莫氏蘭種苗的繁殖速度和繁殖數量，建立了莫氏蘭組培的快速繁殖體系，為莫氏蘭種苗的大規模工廠化生產提供一條有效途徑，具有較大的經濟效益。附圖說明圖I是腋芽誘導效果圖。圖2是原球莖誘導效果圖。圖3是叢生芽誘導效果圖。圖4是壯苗培養效果圖。圖5是生根培養效果圖。具體實施方式下面結合實施例，對本專利技術的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本專利技術，但不用來限制本專利技術的范圍。下列實施例中未注明具體條件的實驗方法，通常按照常規條件，或按照制造廠商所建議的條件。4I、將基礎培養基中大量元素成分、微量元素成分、鐵鹽成分和有機物成分分別按 20倍、200倍、200倍和100倍濃度配制成儲備母液，生長調節劑6-芐氨基嘌呤、a_萘乙酸、 腺嘌呤分別配制成lmg/mL、0. 5mg/mL> lmg/mL的儲備母液,保存于4°C的冰箱中?；A培養基pH值的調節主要用lmol/L稀鹽酸、lmol/L氫氧化鈉。2、利用常規的培養基配制方法，配制各階段相應的培養基，其中基礎培養基按如下配方配制①大量元素=KNO3525mg/L ；KH2PO4 250mg/L ； (Ca)3PO4 200 mg/L ；MgS04 · 7H20 250 mg/L ； (NH) 2S04 5 00mg/L ;②微量元素:FeSO4 · 7H20 27. Omg/L ；Na2-EDTA 37. 0 mg/L ； MnSO4 .H2O 10. Omg/L ；ZnSO4 *7H201. Omg/L ；H3BO31. Omg/L ;③肌醇 lOOmg/L ;④糖 lOg/L ； 瓊脂粉5. Og/L ;pH調節為5.2。實施例一I、腋芽誘導截取莫氏蘭莖頂端30 cm，剝除所有葉片露出莖部，取各節上的腋芽作為外植體，用75%的酒精消毒30 S，用水沖洗I 2次，在用2%次氯酸鈉溶液消毒15 min, 用水沖洗3 4次,最后用2%次氯酸鈉溶液消毒3 min,用水沖洗3 4次,整個消毒過程中間歇搖動三角瓶，這樣會使外植體充分接觸消毒液，從而達到更好的消毒效果。將消毒好的莖段切成4cm且中部至少有2個腋芽的莖段，然后將莖段上的腋芽小心摘出，不要破損生長點，接種到誘導培養基上進行培養，每瓶培養基接種2個腋芽，經過15 d左右的誘導培養，腋芽開始膨大，培養30 d左右腋芽膨大明顯，有芽點逐漸形成突起，在45 d后膨大的腋芽萌動長成小芽，腋芽四周發生脫分化，其本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種利用莫氏蘭腋芽組織培養組培苗的快速繁殖方法，包括腋芽誘導過程、原球莖增殖過程、原球莖誘導叢生芽過程、壯苗培養過程、生根培養過程，其具體步驟如下：1）、腋芽誘導過程將經過消毒的腋芽接種于誘導培養基上進行培養，培養條件：暗培養，溫度23～27℃；培養至腋芽表面分化出原球莖；所述誘導培養基是在基礎培養基的基礎上添加椰子汁1～200ml/L、a?萘乙酸0.02～0.5mg/L、6?芐氨基嘌呤1～5mg/L、腺嘌呤0.5～3mg/L；所述基礎培養基的成分和含量分別為：①大量元素：KNO3450～1000mg/L、KH2PO4150～250mg/L、(Ca)3PO4150～250mg/L、MgSO4·7H2O200～370mg/L、(NH)2SO4350～800?mg/L；②微量元素：FeSO4·7H2O18.5～27.8mg/L、Na2?EDTA24.86～37.3mg/L、MnSO4·H2O7.5～14.8mg/L、ZnSO4?·7H2O1～3.2mg/L、H3BO31～2.5mg/L；③肌醇1～250mg/L；④糖1～20g/L；⑤瓊脂4.5～5.5g/L；pH為5.1～5.4；2）、原球莖增殖過程將原球莖接種于增殖培養基上進行增殖培養，培養條件：暗培養，溫度23～27℃；40～50d轉移一次；所述增殖培養基是在基礎培養基的基礎上添加椰子汁1～200ml/L、蛋白胨1～2.00g/L、a?萘乙酸0.02～0.5mg/L、6?芐氨基嘌呤1～5mg/L、腺嘌呤0.5～3mg/L；3）、原球莖誘導叢生芽過程將增殖后的原球莖接種于叢生芽誘導培養基上進行叢生芽誘導培養，至分化形成小芽，培養條件：光培養，光照強度為1000～2000Lx，溫度23～27℃；所述叢生芽誘導培養基是在基礎培養基的基礎上添加椰子汁1～200ml/L、蛋白胨1～2.00g/L、香蕉10～100g/L、馬鈴薯10～100g/L；4）、壯苗培養過程將叢生芽接種于壯苗培養基上進行壯苗培養，培養條件：光培養，光照強度為2000～3000Lx，溫度26～29℃；培養35～45d后，小芽長成3～5?cm高的小苗；所述壯苗培養基是在基礎培養基的基礎上添加香蕉10～100g/L、馬鈴薯10～100g/L、活性炭1.0～2.0g/L；5）、生根培養過程將小苗轉入到生根培養基中進行生根培養，培養條件：光培養，光照強度為2000～3000Lx，溫度26～29℃；生根培養60d后，小苗基部產生大量的根系，形成完整的植株；所述生根培養基是在基礎培養基的基礎上添加香蕉10～100g/L、馬鈴薯10～100g/L、a?萘乙酸0.02～0.5mg/L、活性炭1.0～2.0g/L。...
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：刑孔惠，孫崇格，
申請(專利權)人：三亞柏盈熱帶蘭花產業有限公司，
類型：發明
國別省市：
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