本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及一種過(guò)流保護(hù)電路及用于其的降壓式開(kāi)關(guān)電源。本實(shí)用新型專利技術(shù)是抑制過(guò)流保護(hù)動(dòng)作時(shí)的發(fā)熱。過(guò)流保護(hù)電路(15)包括過(guò)流保護(hù)動(dòng)作部(153)，該過(guò)流保護(hù)動(dòng)作部(153)是在從降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置(1)的輸出電流Iout超過(guò)第1過(guò)流保護(hù)值I1時(shí)起到強(qiáng)制斷開(kāi)輸出晶體管(11)為止的期間，使輸出電流Iout降低到比第1過(guò)流保護(hù)值I1低的第2過(guò)流保護(hù)值I2為止。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及一種過(guò)流保護(hù)電路及使用過(guò)流保護(hù)電路的降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置。
技術(shù)介紹
以往，在同步整流方式的降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置中，設(shè)置著在過(guò)流檢測(cè)時(shí)使輸出晶體管(上側(cè)晶體管)及同步整流晶體管(下側(cè)晶體管)強(qiáng)制性地?cái)嚅_(kāi)而使輸出動(dòng)作停止(shutdown)的過(guò)流保護(hù)電路。如此一來(lái)，如果構(gòu)成為將輸出晶體管與同步整流晶體管均強(qiáng)制斷開(kāi)，那么，不論過(guò)流的產(chǎn)生原因(控制器IC(Integrated Circuit,集成電路)外部的狀態(tài))如何，均可阻斷過(guò)流可能流經(jīng)的路徑，將系統(tǒng)保持安全狀態(tài)。另外，作為與所述相關(guān)的先前技術(shù)的一例，可以列舉專利文獻(xiàn)I或?qū)＠墨I(xiàn)2。 專利文獻(xiàn)I :日本專利特開(kāi)2008-289308號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本專利特開(kāi)2002-153047號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
然而，在所述現(xiàn)有的降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置中，輸出段的線圈是在過(guò)流檢測(cè)時(shí)強(qiáng)制性地?cái)嚅_(kāi)輸出晶體管及同步整流晶體管之后，仍使自接地端經(jīng)由同步整流晶體管的體二極管(body diode)流向輸出端的電流流動(dòng)。因此，例如在使體二極管的順向下降電壓為O.7V，使流入體二極管中的電流最大值為IOA的情況下，由于體二極管消耗7W的大功率，而存在產(chǎn)生較大發(fā)熱，招致降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置(或裝載其的應(yīng)用)出現(xiàn)熱破壞的可能性。另外，不僅限于所述例示的同步整流方式的降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置，非同步整流方式的降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置也存在相同的課題。本技術(shù)是鑒于本申請(qǐng)案的專利技術(shù)者等人發(fā)現(xiàn)的所述問(wèn)題，而以提供一種可抑制過(guò)流保護(hù)動(dòng)作時(shí)的發(fā)熱的過(guò)流保護(hù)電路、及使用過(guò)流保護(hù)電路的降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置為目的。為了實(shí)現(xiàn)所述目的，本技術(shù)的過(guò)流保護(hù)電路構(gòu)成為包括過(guò)流保護(hù)動(dòng)作部，該過(guò)流保護(hù)動(dòng)作部是在從降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置的輸出電流超過(guò)第I過(guò)流保護(hù)值時(shí)起到強(qiáng)制斷開(kāi)輸出晶體管為止的期間，使所述輸出電流降低到比所述第I過(guò)流保護(hù)值低的第2過(guò)流保護(hù)值為止(第I構(gòu)成)。另外，在包括所述第I構(gòu)成的過(guò)流保護(hù)電路中，可構(gòu)成為所述過(guò)流保護(hù)動(dòng)作部多級(jí)地降低所述第2過(guò)流保護(hù)值(第2構(gòu)成)。而且，在包括所述第I或第2構(gòu)成的過(guò)流保護(hù)電路中，可構(gòu)成為所述過(guò)流保護(hù)動(dòng)作部在所述輸出電流超過(guò)所述第I過(guò)流保護(hù)值后，立刻將所述輸出電流降低到所述第2過(guò)流保護(hù)值為止(第3構(gòu)成)。而且，在包括所述第I至第3中任一構(gòu)成的過(guò)流保護(hù)電路中，可構(gòu)成為所述過(guò)流保護(hù)動(dòng)作部在從所述輸出電流超過(guò)所述第I過(guò)流保護(hù)值時(shí)起到經(jīng)過(guò)第I時(shí)間為止的期間，將所述輸出電流的上限值鉗制為所述第I過(guò)流保護(hù)值，在經(jīng)過(guò)所述第I時(shí)間后進(jìn)而到又經(jīng)過(guò)第2時(shí)間為止的期間，將所述輸出電流的上限值鉗制為所述第2過(guò)流保護(hù)值，且在經(jīng)過(guò)所述第2時(shí)間的時(shí)間點(diǎn)，將所述輸出晶體管強(qiáng)制性地?cái)嚅_(kāi)(第4構(gòu)成)。而且，在包括所述第4構(gòu)成的過(guò)流保護(hù)電路中，可構(gòu)成為所述過(guò)流保護(hù)動(dòng)作部包括計(jì)量所述第I時(shí)間及所述第2時(shí)間的計(jì)時(shí)器(第5構(gòu)成) 。而且，包括所述第I至第5中任一構(gòu)成的過(guò)流保護(hù)電路可構(gòu)成為包括電流監(jiān)控部，監(jiān)控所述輸出電流；及保護(hù)值設(shè)定部，設(shè)定所述第I過(guò)流保護(hù)值及所述第2過(guò)流保護(hù)值；且，所述過(guò)流保護(hù)動(dòng)作部將所述電流監(jiān)控部的輸出與所述保護(hù)值設(shè)定部的輸出進(jìn)行比較，實(shí)施過(guò)流保護(hù)動(dòng)作(第6構(gòu)成)。而且，本技術(shù)的降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置構(gòu)成為具有包括所述第I至第6中任一構(gòu)成的過(guò)流保護(hù)電路(第7構(gòu)成)。另外，包括所述第7構(gòu)成的降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置可構(gòu)成為包括同步整流晶體管作為整流元件(第8構(gòu)成)。而且，在包括所述第8構(gòu)成的降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置中，可構(gòu)成為所述過(guò)流保護(hù)動(dòng)作部在將所述輸出晶體管強(qiáng)制斷開(kāi)時(shí)，同時(shí)也將所述同步整流晶體管強(qiáng)制斷開(kāi)(第9構(gòu)成)。而且，包括所述第7構(gòu)成的降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置可構(gòu)成為包括整流二極管作為整流元件(第10構(gòu)成)。根據(jù)本技術(shù)，能夠提供一種可抑制過(guò)流保護(hù)動(dòng)作時(shí)的發(fā)熱的過(guò)流保護(hù)電路、及使用過(guò)流保護(hù)電路的降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置。附圖說(shuō)明圖I是表示降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置的一構(gòu)成例的圖。圖2是表示過(guò)流保護(hù)電路15的一構(gòu)成例的圖。圖3是表示過(guò)流保護(hù)動(dòng)作的第I例的時(shí)序圖。圖4是表示過(guò)流保護(hù)動(dòng)作的第2例的時(shí)序圖。圖5是表示過(guò)流保護(hù)動(dòng)作的第3例的時(shí)序圖。圖6是表示降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置的一變形例的圖。圖7是表示裝載著開(kāi)關(guān)電源裝置的電視機(jī)的一構(gòu)成例的框圖。圖8A 圖SC分別是裝載著開(kāi)關(guān)電源裝置的電視機(jī)的前視圖、側(cè)視圖、及后視圖。本構(gòu)成例的視圖。I降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置10 半導(dǎo)體裝置11 輸出晶體管12同步整流晶體管13驅(qū)動(dòng)器14控制器15過(guò)流保護(hù)電路151電流監(jiān)控部152保護(hù)值設(shè)定部153過(guò)流保護(hù)動(dòng)作部154計(jì)時(shí)器16整流二極管LI線圈Cl電容器Rl電阻R2電阻具體實(shí)施方式<降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置>圖I是表示降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置的一構(gòu)成例的圖。本構(gòu)成例的降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置I包括半導(dǎo)體裝置10、及外置于半導(dǎo)體裝置10的各種分立零件(線圈LI、電容器Cl、電阻Rl及R2)。半導(dǎo)體裝置10至少包括外部端子X(jué)l X3，以確立與外部的電性連接。在半導(dǎo)體裝置10的外部，外部端子(電源端子)X1與輸入電壓Vin的施加端連接。外部端子(開(kāi)關(guān)端子)X2是與線圈LI的第I端連接。線圈LI的第2端、電容器Cl的第I端、及電阻Rl的第I端均與輸出電壓Vout的施加端連接。電容器Cl的第2端是與接地端連接。電阻Rl的第2端、及電阻R2的第I端均與半導(dǎo)體裝置10的外部端子(反饋端子)X3連接。電阻R2的第2端是與接地端連接。電阻Rl及R2是作為從相互的連接節(jié)點(diǎn)將分壓輸出電壓Vout的反饋電壓Vfb輸出的反饋電壓生成部發(fā)揮功能。線圈LI及電容器Cl是作為將外部端子X(jué)2中呈現(xiàn)的矩形波狀開(kāi)關(guān)電壓Vsw平滑化，生成輸出電壓Vout的輸出平滑部發(fā)揮功能。半導(dǎo)體裝置10是將晶體管11、晶體管12、驅(qū)動(dòng)器13、控制器14、及過(guò)流保護(hù)電路15集成化所得的所謂開(kāi)關(guān)電源控制器1C。晶體管11是連接在外部端子X(jué)l與外部端子X(jué)2之間，且根據(jù)從驅(qū)動(dòng)器13輸入的柵極信號(hào)Gl，受到接通/斷開(kāi)控制的輸出晶體管(上側(cè)晶體管)。在由NMOSFET 形成晶體管11的情況下，晶體管11中以圖示的方向寄生著體二極管D1。晶體管12是連接在外部端子X(jué)2與接地端之間，且根據(jù)從驅(qū)動(dòng)器13輸入的柵極信號(hào)G2受到接通/斷開(kāi)控制的同步整流晶體管(下側(cè)晶體管)。另外，在由NMOSFET形成晶體管12的情況下，晶體管12中以圖示的方向寄生著體二極管D2。驅(qū)動(dòng)器13是根據(jù)從控制器14輸入的開(kāi)關(guān)控制信號(hào)S0，生成柵極信號(hào)Gl及G2，且以特定的驅(qū)動(dòng)頻率(例如500kHz)對(duì)晶體管11及12互補(bǔ)性(互斥性)地進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制。另外，本說(shuō)明書(shū)中使用的所謂「互補(bǔ)性(互斥性)」的術(shù)語(yǔ)不僅包含晶體管11及12接通/斷開(kāi)完全反轉(zhuǎn)的情況，也包括就防止導(dǎo)通電流的觀點(diǎn)而言，對(duì)晶體管11及12的接通/斷開(kāi)過(guò)渡時(shí)序賦予特定的延遲的情況(設(shè)置同時(shí)斷開(kāi)期間的情況)。通過(guò)互補(bǔ)性(互斥性)地接通/斷開(kāi)晶體管11及12，而在外部端子X(jué)2中生成矩形波狀的開(kāi)關(guān)電壓Vsw。控制器14是以輸入到外部端子X(jué)3的反饋電壓Vfb與特定的目標(biāo)值一致的方式，生成開(kāi)關(guān)控制信號(hào)S0。另外，作為控制器14對(duì)晶體管11及12的驅(qū)動(dòng)方式，也可以采用PWM驅(qū)動(dòng)方式或PFM驅(qū)動(dòng)方式等任一方式。過(guò)流保護(hù)電路15是監(jiān)控流入降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置I中的輸出電流Iout是否為過(guò)流狀態(tài)，且將本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種過(guò)流保護(hù)電路，其特征在于包括：過(guò)流保護(hù)動(dòng)作部，該過(guò)流保護(hù)動(dòng)作部是在從降壓式開(kāi)關(guān)電源裝置的輸出電流超過(guò)第1過(guò)流保護(hù)值時(shí)起到強(qiáng)制斷開(kāi)輸出晶體管為止的期間，使所述輸出電流降低到比所述第1過(guò)流保護(hù)值低的第2過(guò)流保護(hù)值為止。
【技術(shù)特征摘要】
...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：原 英夫，東田 吉生，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：羅姆股份有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：
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