本發明專利技術涉及單晶硅晶圓片的包裝工藝，尤其涉及一種提高單晶硅晶圓拋光片保質期的包裝工藝。本工藝將熱塑包裝機設定真空度-5Kpa；設定包裝的加熱溫度為140℃；設定包裝的冷卻溫度為70℃；設定冷卻時間為3s；其步驟是：一、將潔凈的拋光片放入片盒內，扣好盒蓋；二、將片盒纏好白膠帶后放入內包袋進行包裝；三、對內包袋進行熱塑封裝后，抽真空；四、在內包袋外固定干燥劑；五、將內包袋再放入外包袋中，對外包袋進行熱塑封裝后，抽真空。采用本工藝包裝拋光片能解決拋光片顆粒增長問題，可以使拋光片保質期穩定延長，達到表面0.3μm以上顆?！?個、保質期一年以上的國際領先水平，由此制備出了具有市場競爭力的高保質期的單晶硅晶圓拋光片。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及單晶硅晶圓片的包裝工藝，尤其涉及一種提高單晶硅晶圓拋光片保質期的包裝工藝。本工藝主要應用于功率器件用單晶硅晶圓拋光片的包裝過程。
技術介紹
功率半導體器件，驅動電路簡單、驅動功率小，由于其多數載流子導電，無少子存儲效應，開關速率快、聞頻特性好，主要應用于開關電源、 聞頻感應加熱等聞頻場合。功率晶體管中一個單管包含有成千上萬個元胞，任何一個元胞的失效都會導致整個器件失效，因此對外延片的表面顆粒要求極高，進而對外延襯底一單晶硅晶圓片的顆粒要求更高。對于6英寸(直徑150mm)的單晶娃晶圓拋光片，目前國標規定指標(SEMI標準)為“表面O. 3 μ m以上顆粒小于15個”，而國際上領先的單晶硅晶圓拋光片廠商(如日本信越Shinetu公司和德國瓦克Siltixmic公司)提供的拋光片的指標為“表面O. 3 μ m以上顆粒小于5個”。單晶硅晶圓拋光片表面檢驗合格后就要放入片盒中并進行封裝。因此，在作為外延襯底的單晶硅晶圓片表面顆粒除了受到拋光片本身表面顆粒的影響之外，在包裝后表面顆粒的增長狀況也是至關重要的，它直接影響了客戶使用時的產品表面質量。測試合格的單晶硅晶圓拋光片在包裝一段時間后重新測試仍然合格，該時間稱為單晶硅晶圓拋光片的保質期。目前國內單晶硅晶圓拋光片的保質期通常在3-6個月，距離國際上一年以上的領先水平有明顯的差距。為了適應集成電路工藝技術的高速發展，急需找到一種能提高硅片保質期的硅片包裝工藝，以保證潔凈的單晶硅晶圓拋光片不受到二次污染。
技術實現思路
本專利技術的目的是改變傳統的單晶硅晶圓拋光片包裝工藝，提供一種提高單晶硅晶圓拋光片保質期的包裝工藝。從而具有國際領先的包裝水平，本工藝填補國內拋光廠商在該領域的技術空白。本專利技術是通過這樣的技術方案實現的一種提高單晶硅晶圓拋光片保質期的包裝工藝，其特征在于，將熱塑包裝機設定真空度_5Kpa ;設定包裝的加熱溫度為140°C ;設定包裝的冷卻溫度為70°C ;設定冷卻時間為3s ;所述工藝包括如下次序的步驟 一、將潔凈的單晶硅晶圓拋光片放入片盒內，扣好盒蓋； 二、將片盒纏好白膠帶后放入內包袋進行包裝； 三、熱塑包裝機對內包袋進行熱塑封裝后，抽真空； 四、在內包袋外固定干燥劑； 五、將內包袋再放入外包袋中，用熱塑包裝機對外包袋進行熱塑封裝后，抽真空。本專利技術產生的有益效果是通過對包裝工藝參數進行了優化，將傳統的單晶硅晶圓拋光片包裝真空度_18Kpa提高至_5Kpa，在較高氣壓條件下，硅片片盒不易發生變形，從而減少了來自吸附在片盒中上的顆粒沾污影響；通過較高的加熱溫度，減少了在片盒中空氣的濕度，而較低的冷卻溫度降低了包裝后包裝盒內外的溫度差，從而減少了因水汽凝結造成的拋光片表面顆粒沾污。采用本方法包裝單晶硅晶圓拋光片能解決拋光片顆粒增長問題，可以使拋光片保質期穩定延長，達到表面O. 3 μ m以上顆粒< 5個、保質期一年以上的國際領先水平，由此制備出了具有市場競爭力的高保質期的單晶硅晶圓拋光片。由于提高了硅襯底片的質量，對器件和集成電路的電學性能、合格率有著極其重要的影響。其技術對滿足器件和大規模集成電路對襯底硅片越來越高的要求具有重大意義和實用價值。附圖說明 圖I為不同真空度包裝的拋光片6個月后復測平均顆粒度對比趨勢圖；圖中一 一真空度為-ISkPa包裝的拋光片6個月后復測的O. 3um顆粒平均數目；一■一真空度為-5kPa包裝的拋光片6個月后復測的O. 3um顆粒平均數目。圖2為不同真空度包裝的拋光片12個月份后復測平均顆粒度增長趨勢；一 一真空度為-ISkPa包裝的拋光片12個月后復測的O. 3um顆粒平均數目；一■一真空度為-5kPa包裝的拋光片12個月后復測的O. 3um顆粒平均數目。具體實施例方式為了更清楚的理解本專利技術，以下結合實施例作進一步詳細描述 本工藝應用于但不限于4英寸(直徑100mm)、5英寸(直徑125mm)或6英寸(直徑150mm)的單晶硅晶圓拋光片，而且厚度不限，摻雜劑為As，P，Sb或B，晶向為〈100〉或〈111〉，電阻率不限。實施例6英寸(直徑150mm)區熔硅化腐片，電阻率0· 002-0. 004 Ω · cm，厚度625 μ m，數量:240 片(10 盒)。加工設備熱塑包裝機。輔助材料白膠帶(美商衛利)、包裝片盒(英特格PP材質)、內包裝袋(南通達凈PE復合)、外包裝袋(南通達凈鋁塑復合)、透明膠帶(美商衛利)、干燥劑(杜邦紙加硅膠顆粒)。工藝參數熱塑包裝機抽真空設定真空度_5Kpa ;包裝的加熱溫度為140°C ;設定包裝的冷卻溫度為70°C ;設定冷卻時間為3s。具體包括如下次序的步驟一、將潔凈的單晶硅晶圓拋光片放入片盒內，扣好盒蓋；二、將片盒纏好白膠帶后放入內包袋進行包裝；三、熱塑包裝機加熱溫度為140°C對內包袋進行熱塑封裝后，抽真空_5Kpa ;四、冷卻溫度為70°C、設冷卻時間為3s后，在內包袋外固定干燥劑；貼透明膠帶整理內包袋；五、將內包袋再放入外包袋中，熱塑包裝機加熱溫度為140°C對外包袋進行熱塑封裝后，抽真空_5Kpa ；冷卻溫度為70°C、設冷卻時間為3s后，貼透明膠帶整理外包袋。將經上述工藝包裝的10盒240片單晶硅晶圓拋光片和經傳統工藝包裝的10盒240片單晶硅晶圓拋光片6個月后分別進行復測，其每盒平均表面顆粒情況見圖I。從圖I中可以看出真空度_5Kpa包裝的顆粒情況明顯優于真空度-18Kpa的包裝。通過以上實施例可以得出6英寸(150mm)硅拋光片技術指標遠遠超過SEMI標準；達到國際領先企業水平；滿足或超過客戶要求的技術指標，對比數據見表I :權利要求1.一種提高單晶硅晶圓拋光片保質期的包裝工藝，其特征在于，將熱塑包裝機設定真空度-5Kpa ;設定包裝的加熱溫度為140°C ;設定包裝的冷卻溫度為70°C ;設定冷卻時間為3s ;所述工藝包括如下次序的步驟 一、將潔凈的單晶硅晶圓拋光片放入片盒內，扣好盒蓋； 二、將片盒纏好白膠帶后放入內包袋進行包裝； 三、熱塑包裝機對內包袋進行熱塑封裝后，抽真空； 四、在內包袋外固定干燥劑； 五、將內包袋再放入外包袋中，用熱塑包裝機對外包袋進行熱塑封裝后，抽真空。全文摘要本專利技術涉及單晶硅晶圓片的包裝工藝，尤其涉及一種提高單晶硅晶圓拋光片保質期的包裝工藝。本工藝將熱塑包裝機設定真空度-5Kpa；設定包裝的加熱溫度為140℃；設定包裝的冷卻溫度為70℃；設定冷卻時間為3s；其步驟是一、將潔凈的拋光片放入片盒內，扣好盒蓋；二、將片盒纏好白膠帶后放入內包袋進行包裝；三、對內包袋進行熱塑封裝后，抽真空；四、在內包袋外固定干燥劑；五、將內包袋再放入外包袋中，對外包袋進行熱塑封裝后，抽真空。采用本工藝包裝拋光片能解決拋光片顆粒增長問題，可以使拋光片保質期穩定延長，達到表面0.3μm以上顆?！?個、保質期一年以上的國際領先水平，由此制備出了具有市場競爭力的高保質期的單晶硅晶圓拋光片。文檔編號B65D85/38GK102963622SQ20121053462公開日2013年3月13日 申請日期2012年12月12日 優先權日2012年12月12日專利技術者呂瑩, 劉園, 齊釗, 李諾, 吉敏 申請人:天津中環領先材料技術有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種提高單晶硅晶圓拋光片保質期的包裝工藝，其特征在于，將熱塑包裝機設定真空度？5Kpa；設定包裝的加熱溫度為140℃；設定包裝的冷卻溫度為70℃；設定冷卻時間為3s；所述工藝包括如下次序的步驟：一、將潔凈的單晶硅晶圓拋光片放入片盒內，扣好盒蓋；二、將片盒纏好白膠帶后放入內包袋進行包裝；三、熱塑包裝機對內包袋進行熱塑封裝后，抽真空；四、在內包袋外固定干燥劑；五、將內包袋再放入外包袋中，用熱塑包裝機對外包袋進行熱塑封裝后，抽真空。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：呂瑩，劉園，齊釗，李諾，吉敏，
申請(專利權)人：天津中環領先材料技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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