改進(jìn)型盤式電機(jī)及其轉(zhuǎn)子組件制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及一種改進(jìn)型盤式電機(jī)及其轉(zhuǎn)子組件，所述改進(jìn)型盤式電機(jī)包括至少一套轉(zhuǎn)子組件和電機(jī)軸;每套轉(zhuǎn)子組件又都包括圓盤形的轉(zhuǎn)子框架和偶數(shù)塊永磁體;所述轉(zhuǎn)子框架上均勻間隔地設(shè)有與永磁體適配的、同等數(shù)量的通孔,以及其上設(shè)有中央通孔;借助中央通孔,轉(zhuǎn)子框架軸向固定在電機(jī)軸上;每一塊永磁體都包括第一塊永磁體單元至第K塊永磁體單元,各該第一塊永磁體單元至第K塊永磁體單元一起徑向固定在轉(zhuǎn)子框架的每一個(gè)通孔內(nèi),其中2≤K≤7,K為整數(shù)。本實(shí)用新型專利技術(shù)盤式電機(jī)具有渦流損耗小、效率高和材料利用率高等優(yōu)點(diǎn),是一種高效節(jié)能的電機(jī),成本也會(huì)相應(yīng)地降低。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

改進(jìn)型盤式電機(jī)及其轉(zhuǎn)子組件
本技術(shù)涉及擁有軸向磁路的盤式電機(jī)，特別是涉及制造盤式電機(jī)的磁路零部件，尤其涉及盤式電機(jī)中以磁性材料為特征的轉(zhuǎn)子本體。
技術(shù)介紹
盤式電機(jī)是1821年由法拉第技術(shù)，100多年來，由于材料和工藝水平的限制，始終未能得到進(jìn)一步發(fā)展。上世紀(jì)四五十年代，盤式電機(jī)重新受到重視，被應(yīng)用在計(jì)算機(jī)硬盤和微型磁帶錄音機(jī)等產(chǎn)品上。盤式電機(jī)與傳統(tǒng)徑向磁路電機(jī)相比較具有軸向尺寸短、運(yùn)動(dòng)部件少和電機(jī)效率高等優(yōu)點(diǎn)，特別適合于電機(jī)軸向安裝尺寸有嚴(yán)格限制的場合。傳統(tǒng)永磁電機(jī)米用徑向磁極結(jié)構(gòu)，它將繞組按一定的規(guī)律嵌放在鐵芯疊片中，但 這種電機(jī)軸向尺寸長，不適合在薄型的空間內(nèi)安裝。為此，以壓縮軸向尺寸為目標(biāo)，改變傳統(tǒng)電機(jī)徑向磁路為軸向磁路結(jié)構(gòu)的盤式電機(jī)越來越受到人們重視。隨著盤式電機(jī)技術(shù)的一步步發(fā)展，人們發(fā)現(xiàn)，盤式電機(jī)的利用率一直做得不是很理想。現(xiàn)有技術(shù)盤式電機(jī)包括至少一套轉(zhuǎn)子組件和電機(jī)軸；每套轉(zhuǎn)子組件又都包括圓盤形的轉(zhuǎn)子框架和偶數(shù)塊永磁體；所述轉(zhuǎn)子框架上均勻間隔地設(shè)有與所述永磁體適配的、同等數(shù)量的通孔，以及其上設(shè)有中央通孔；借助所述中央通孔，所述轉(zhuǎn)子框架軸向固定在所述電機(jī)軸上；各該永磁體固定在所述轉(zhuǎn)子框架的各通孔內(nèi)，N、S極交替排列；轉(zhuǎn)子框架的每個(gè)通孔中的永磁體為一整塊，在永磁體同等體積的情況下，其氣隙磁通密度相對(duì)較低，磁通利用率低，一整塊厚度較厚的永磁體生產(chǎn)時(shí)成本也比較高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)要解決的技術(shù)問題在于避免上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供一種改進(jìn)型盤式電機(jī)及其轉(zhuǎn)子組件，由于將現(xiàn)有技術(shù)轉(zhuǎn)子組件之轉(zhuǎn)子框架的每一個(gè)通孔中的永磁體沿著徑向方向分為多塊永磁體單元，該多塊永磁體單元再一起徑向固定在轉(zhuǎn)子框架的每一個(gè)通孔中，處于同一通孔中的多塊永磁體單元的磁性可相互疊加，可提高整個(gè)轉(zhuǎn)子組件的氣隙磁通密度，整個(gè)轉(zhuǎn)子組件的磁通利用率也提高了，從而使盤式電機(jī)具有渦流損耗小、效率高和材料利用率高等優(yōu)點(diǎn)，是一種高效節(jié)能的電機(jī)，成本也會(huì)相應(yīng)地降低。本技術(shù)解決所述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是提供一種改進(jìn)型盤式電機(jī)，包括至少一套轉(zhuǎn)子組件和電機(jī)軸；每套轉(zhuǎn)子組件又都包括圓盤形的轉(zhuǎn)子框架和偶數(shù)塊永磁體；所述轉(zhuǎn)子框架上均勻間隔地設(shè)有與所述永磁體適配的、同等數(shù)量的通孔，以及其上設(shè)有中央通孔；借助所述中央通孔，所述轉(zhuǎn)子框架軸向固定在所述電機(jī)軸上；每一塊所述永磁體都包括第一塊永磁體單元至第K塊永磁體單元，各該第一塊永磁體單元至第K塊永磁體單元一起徑向固定在所述轉(zhuǎn)子框架的每一個(gè)通孔內(nèi)，其中2 < K < 7，K為整數(shù)，即K=2、3、4、5、6或7。所述第一塊永磁體單元至第K塊永磁體單元的軸向?qū)挾韧龋夹∮诨虻扔谒鲛D(zhuǎn)子框架之通孔的軸向深度。所述第一塊永磁體單元至第K塊永磁體單元的徑向厚度都同等。Κ=3,所述轉(zhuǎn)子框架的每一個(gè)通孔內(nèi)都同時(shí)徑向固定有第一塊永磁體單元、第二塊永磁體單元和第三塊永磁體單元。所述第一塊永磁體單元、第二塊永磁體單元和第三塊永磁體單元的軸向?qū)挾韧龋夹∮诨虻扔谒鲛D(zhuǎn)子框架之通孔的軸向深度。所述第一塊永磁體單元、第二塊永磁體單元和第三塊永磁體單元的徑向厚度都同等。還提供一種改進(jìn)型盤式電機(jī)，包括中空的環(huán)形殼體、兩套定子組件、與兩套所述定子組件適配的轉(zhuǎn)子組件、兩只軸承和電機(jī)軸；每套所述定子組件都包括圓盤形的定子固定塊、多塊定子鐵芯和固定在每塊定子鐵芯上的各定子繞組，多塊定子鐵芯均勻間隔地固定在定子固定塊上；所述轉(zhuǎn)子組件包括圓盤形的轉(zhuǎn)子框架和偶數(shù)塊永磁體，所述轉(zhuǎn)子框架上均勻間隔地設(shè)有與所述永磁體適配的、同等數(shù)量的通孔，以及其上設(shè)有中央通孔，借助所述中央通孔，所述轉(zhuǎn)子框架軸向固定在所述電機(jī)軸上；兩定子固定塊分別軸向固定在環(huán)形殼體的兩端面上；借助兩軸承，所述電機(jī)軸可轉(zhuǎn)動(dòng)地支承在兩定子固定塊的中央通孔內(nèi)；所述轉(zhuǎn)子組件之轉(zhuǎn)子框架的兩端面分別平行地靠近兩所述定子組件之各定子鐵芯的端面而與之形成兩軸向氣隙；每一塊所述永磁體都包括第一塊永磁體單元至第K塊永磁體單元，各該第一塊永磁體單元至第K塊永磁體單元一起徑向固定在所述轉(zhuǎn)子框架的每一個(gè)通孔內(nèi)，其中2彡K彡7，K為整數(shù)，即K=2、3、4、5、6或7。再提供一種改進(jìn)型盤式電機(jī)的轉(zhuǎn)子組件，包括圓盤形的轉(zhuǎn)子框架和偶數(shù)塊永磁 體；所述轉(zhuǎn)子框架上均勻間隔地設(shè)有與所述永磁體適配的、同等數(shù)量的通孔，以及其上設(shè)有中央通孔；借助所述中央通孔，所述轉(zhuǎn)子框架軸向固定在盤式電機(jī)的電機(jī)軸上；每一塊所述永磁體都包括第一塊永磁體單元至第K塊永磁體單元，各該第一塊永磁體單元至第K塊永磁體單元一起徑向固定在所述轉(zhuǎn)子框架的每一個(gè)通孔內(nèi)，其中2 < K < 7，K為整數(shù)，即 Κ=2、3、4、5、6 或 7。同現(xiàn)有技術(shù)相比較，本技術(shù)改進(jìn)型盤式電機(jī)及其轉(zhuǎn)子組件的有益效果在于在轉(zhuǎn)子組件之轉(zhuǎn)子框架的每一個(gè)通孔內(nèi)都徑向固定有多塊永磁體單元，也就是將現(xiàn)有技術(shù)轉(zhuǎn)子組件之轉(zhuǎn)子框架的每一個(gè)通孔中的永磁體沿著徑向方向分為多塊永磁體單元，該多塊永磁體單元再一起徑向固定在轉(zhuǎn)子框架的每一個(gè)通孔中，這樣處于同一通孔中的多塊永磁體單元的磁性可相互疊加，可提高整個(gè)轉(zhuǎn)子組件的氣隙磁通密度，整個(gè)轉(zhuǎn)子組件的磁通利用率也提聞了，從而使盤式電機(jī)具有潤流損耗小、效率聞和材料利用率聞等優(yōu)點(diǎn)，是一種高效節(jié)能的電機(jī)；而且本技術(shù)的每塊永磁體單元比現(xiàn)有技術(shù)所用每塊永磁體的厚度要薄，生產(chǎn)該永磁體單元時(shí)，燒結(jié)爐內(nèi)的溫度可相應(yīng)地低一些，永磁體單元的材料鍶或鋇鐵氧體在燒結(jié)爐內(nèi)也容易控制，這樣本技術(shù)的每塊永磁體單元的生產(chǎn)成本也會(huì)相應(yīng)地降低，整個(gè)盤式電機(jī)的成本也會(huì)相應(yīng)地降低。附圖說明圖I是本技術(shù)改進(jìn)型盤式電機(jī)之優(yōu)選實(shí)施例分解后的軸測投影示意圖，圖中沒有畫出各定子繞組；圖2是圖I所示盤式電機(jī)的軸測投影示意圖；圖3是圖2所示盤式電機(jī)的整體結(jié)構(gòu)正投影主視剖視示意圖，圖中沒有畫出各定子繞組；圖4是所述盤式電機(jī)之轉(zhuǎn)子組件30和電機(jī)軸50裝配在一起時(shí)的軸測投影示意圖；圖5是圖4所示轉(zhuǎn)子組件30和電機(jī)軸50分解后的軸測投影示意圖；圖6是圖4所示轉(zhuǎn)子組件30和電機(jī)軸50裝配在一起時(shí)的正投影左視示意圖；圖7是圖6的A-A剖視示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合各附圖對(duì)本技術(shù)作進(jìn)一步詳細(xì)說明。參見圖I至圖7，提供一種改進(jìn)型盤式電機(jī)，包括至少一套轉(zhuǎn)子組件30和電機(jī)軸50;每套轉(zhuǎn)子組件30又都包括圓盤形的轉(zhuǎn)子框架31和偶數(shù)塊永磁體32;所述轉(zhuǎn)子框架31上均勻間隔地設(shè)有與所述永磁體32適配的、同等數(shù)量的通孔315，以及其上設(shè)有中央通孔311;借助所述中央通孔311，所述轉(zhuǎn)子框架31軸向固定在所述電機(jī)軸50上；每一塊所述永磁體32都包括第一塊永磁體單元32-1至第K塊永磁體單元32-K,各該第一塊永磁體單元32-1至第K塊永磁體單元32-K —起徑向固定在所述轉(zhuǎn)子框架31的每一個(gè)通孔315內(nèi)，其中2彡K彡7，K為整數(shù)，即K=2、3、4、5、6或7。所述第一塊永磁體單元32_1至第K塊永 磁體單元32-Κ的軸向?qū)挾韧龋夹∮诨虻扔谒鲛D(zhuǎn)子框架31之通孔315的軸向深度，也就是說，第一塊永磁體單元32-1至第K塊永磁體單元32-Κ都不高于轉(zhuǎn)子框架31的兩端面319，一般是與該兩端面319平齊。所述第一塊永磁體單元32-1至第K塊永磁體單元32-Κ的徑向厚度T1本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種改進(jìn)型盤式電機(jī),包括至少一套轉(zhuǎn)子組件(30)和電機(jī)軸(50);每套轉(zhuǎn)子組件(30)又都包括圓盤形的轉(zhuǎn)子框架(31)和偶數(shù)塊永磁體(32);所述轉(zhuǎn)子框架(31)上均勻間隔地設(shè)有與所述永磁體(32)適配的、同等數(shù)量的通孔(315),以及其上設(shè)有中央通孔(311);借助所述中央通孔(311),所述轉(zhuǎn)子框架(31)軸向固定在所述電機(jī)軸(50)上;其特征在于：每一塊所述永磁體(32)都包括第一塊永磁體單元(32?1)至第K塊永磁體單元(32?K),各該第一塊永磁體單元(32?1)至第K塊永磁體單元(32?K)一起徑向固定在所述轉(zhuǎn)子框架(31)的每一個(gè)通孔(315)內(nèi),?其中2≤K≤7,K為整數(shù)。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：曾文穩(wěn)，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：深圳市樂豐科技有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：