一種TOP LED金屬支架及其制造方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種TOP?LED金屬支架，包括正電極、負(fù)電極、分別設(shè)于該正電極、該負(fù)電極一側(cè)的引線及設(shè)于該正電極、該負(fù)電極上的反射杯，該正電極、該負(fù)電極的表面分別設(shè)有一凹陷區(qū)域，該凹陷區(qū)域表面覆蓋一防氧化處理層，該防氧化處理層延伸至該引線的表面，并經(jīng)由該正電極、該負(fù)電極的側(cè)面延伸至該正電極、該負(fù)電極及該引線的底面；所述反射杯設(shè)置在該防氧化處理層上。本發(fā)明專利技術(shù)所揭露的TOP?LED金屬支架，散熱性能好，采用環(huán)氧樹脂封裝，可靠性高。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及LED封裝
，具體的說是一種TOP LED金屬支架及其制造方法。
技術(shù)介紹
LED (Light emitting diode,發(fā)光二極管)由于具有低能耗、高亮度的優(yōu)點(diǎn),今年來已成為發(fā)展最為迅猛、最具潛力的新型光源器件。而在LED的發(fā)展中，方向性好，結(jié)構(gòu)簡單的TOP LED (頂部出光的LED)器件一直是一個主要研究方向。為了更好的控制LED器件的出光方向和發(fā)光角度，通常需要在LED芯片周圍設(shè)置反射杯，使得LED芯片發(fā)出的光只能朝向器件頂部(即反射杯開口方向)射出。這種具有反射杯、頂部出光的LED器件即被行業(yè)內(nèi)稱為TOP LED器件。TOP LED器件現(xiàn)在較為常用的一種普通TOP管支架，其中間是O. 2MM厚度的銅材，在制造過程中，用模具把正、負(fù)電極沖開后折彎；然后，通過注塑機(jī)用PPA (聚鄰苯二烯胺) 材料把銅材包裹，只露出正、負(fù)電極。此種結(jié)構(gòu)具有一些致命缺陷，因?yàn)镻PA材料直接附在銅材上，銅材與PPA材料的熱膨脹系數(shù)不同，很容易導(dǎo)致PPA材料與銅材之間出現(xiàn)縫隙，空氣中的水氣就很容易經(jīng)間隙進(jìn)入到器件內(nèi)部，導(dǎo)致器件短路或損壞；同時，該結(jié)構(gòu)中，銅材被包裹在PPA材料中間，因此，LED芯片發(fā)光時產(chǎn)生的熱量無法導(dǎo)出，在熱量聚集到一定的程度時，會導(dǎo)致封裝膠進(jìn)行二次熔化，熔化的膠體流動會拉斷金線，導(dǎo)致死燈。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
鑒于上述問題，本專利技術(shù)的目的在于提供了一種TOP LED金屬支架。本專利技術(shù)的另一目的在于提供了一種TOP LED金屬支架制造方法。為了達(dá)到上述目的，本專利技術(shù)采用了如下的技術(shù)方案—種TOP LED金屬支架,包括正電極、負(fù)電極、分別設(shè)于該正電極、該負(fù)電極一側(cè)的引線及設(shè)于該正電極、該負(fù)電極上的反射杯，該正電極、該負(fù)電極的表面分別設(shè)有一凹陷區(qū)域，該凹陷區(qū)域表面覆蓋一防氧化處理層，該防氧化處理層延伸至該引線的表面，并經(jīng)由該正電極、該負(fù)電極的側(cè)面延伸至該正電極、該負(fù)電極及該引線的底面；所述反射杯設(shè)置在該防氧化處理層上。作為本專利技術(shù)的優(yōu)選技術(shù)方案所述反射杯為環(huán)氧樹脂材料。作為本專利技術(shù)的優(yōu)選技術(shù)方案所述正電極、負(fù)電極間填充有環(huán)氧樹脂。作為本專利技術(shù)的優(yōu)選技術(shù)方案所述正電極、負(fù)電極的底面分別設(shè)有一凸出的熱沉，該熱沉一側(cè)的臺階處設(shè)有環(huán)氧樹脂封裝。作為本專利技術(shù)的優(yōu)選技術(shù)方案所述凹陷區(qū)域的深度為O. 1-1.0_。一種TOP LED金屬支架制造方法，包括以下步驟a、提供一厚度為O. 3-2. Omm的金屬板；b、在金屬板上預(yù)設(shè)正電極、負(fù)電極及引線圖案；C、采用防腐蝕材料覆蓋上述預(yù)設(shè)的正電極、負(fù)電極及引線圖案；d、采用蝕刻或者模具沖壓的方法去掉預(yù)設(shè)的正電極、負(fù)電極及引線圖案以外的金屬材料，形成具有正電極、負(fù)電極及引線的金屬支架；e、除去正電極、負(fù)電極及引線表面的防腐蝕材料；f、在引線表面涂覆防腐蝕材料；g、在未覆蓋防腐蝕材料的正電極、負(fù)電極表面蝕刻減薄，分別在正電極與負(fù)電極上形成一凹陷區(qū)域；h、去除引線表面的防腐蝕材料；i、對正電極、負(fù)電極及引線進(jìn)行電鍍防氧化處理，在凹陷區(qū)域表面形成一防氧化處理層，該防氧化處理層延伸至該引線的表面，并經(jīng)由該正電極、該負(fù)電極的側(cè)面延伸至該·正電極、該負(fù)電極及該引線的底面；j、采用模具注塑的方式在防氧化處理層上成型反射杯。作為本專利技術(shù)的優(yōu)選技術(shù)方案所述反射杯為環(huán)氧樹脂材料。作為本專利技術(shù)的優(yōu)選技術(shù)方案所述正電極、負(fù)電極間填充有環(huán)氧樹脂。作為本專利技術(shù)的優(yōu)選技術(shù)方案所述正電極、負(fù)電極的底面分別設(shè)有一凸出的熱沉，該熱沉一側(cè)的臺階處設(shè)有環(huán)氧樹脂封裝。作為本專利技術(shù)的優(yōu)選技術(shù)方案所述凹陷區(qū)域的深度為O. 1-1. 0_。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)所揭露的TOP LED金屬支架，其底部的熱沉部分直接露在外面，沒有PPA材料包裹，LED芯片發(fā)光的熱量直接從其背面導(dǎo)出，避免了熱量聚集，另外封裝的材料采用高TG (玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度)的環(huán)氧樹脂進(jìn)行注塑，高TG的環(huán)氧樹脂熱膨脹系數(shù)與銅材相近，并且可耐300度的高溫；因此，用此支架制造的器件很好的解決了由于芯片、封裝膠體、金線、金屬支架、固晶膠等熱膨脹系數(shù)不同而導(dǎo)致器件可靠性不高的問題。附圖說明圖I為本專利技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本專利技術(shù)的工藝流程圖。具體實(shí)施例方式請參閱圖1，包括正電極101、負(fù)電極102、分別設(shè)于該正電極101、該負(fù)電極102 —側(cè)的引線103及設(shè)于該正電極101、該負(fù)電極102上的反射杯104 ;該正電極101、該負(fù)電極102的表面分別設(shè)有一凹陷區(qū)域105，該凹陷區(qū)域105的深度為O. 1-1. Omm ;在該凹陷區(qū)域105的表面覆蓋一防氧化處理層106，該防氧化處理層106延伸至該引線103的表面，并經(jīng)由該正電極101、該負(fù)電極102的側(cè)面延伸至該正電極101、該負(fù)電極102及該引線103的底面；所述反射杯104設(shè)置在該防氧化處理層106的表面，該反射杯104采用高TG的環(huán)氧樹脂材料，通過模具注塑成型。所述正電極101、負(fù)電極102間填充有高TG的環(huán)氧樹脂107。所述正電極101、負(fù)電極102的底面分別設(shè)有一凸出的熱沉109，該熱沉109 —側(cè)的臺階處設(shè)有聞TG的環(huán)氧樹脂108封裝。請參閱圖2，制造上述TOP LED金屬支架，包括以下步驟提供一厚度為O. 3-2. Omm的金屬板110(實(shí)施過程中，以導(dǎo)熱性好的銅板為較佳方案)。在金屬板110上預(yù)設(shè)正電極、負(fù)電極及引線圖案。采用防腐蝕材料覆蓋上述預(yù)設(shè)的正電極、負(fù)電極及引線圖案。采用蝕刻或者模具沖壓的方法去掉預(yù)設(shè)的正電極、負(fù)電極及引線圖案以外的金屬材料，形成具有正電極101、負(fù)電極102及引線103的金屬支架；為增強(qiáng)支架的散熱性能，在該步驟中，在該正電極101、負(fù)電極102的底面分別預(yù)留一凸臺109，分別作為正電極101、負(fù)電極102的熱沉。 除去正電極101、負(fù)電極102及引線103表面的防腐蝕材料。在引線103表面涂覆防腐蝕材料。在未覆蓋防腐蝕材料的正電極101、負(fù)電極102表面蝕刻減薄，分別在正電極101與負(fù)電極102上形成一凹陷區(qū)域105，該凹陷區(qū)域105的深度為O. 1-1. 0mm，使引線103的厚度大于正電極101與負(fù)電極102的厚度，故引線103與正電極101、負(fù)電極102形成的臺階處為引線處。去除引線103表面的防電鍍材料；對正電極101、負(fù)電極102及引線103進(jìn)行電鍍防氧化處理，在凹陷區(qū)域表面形成一防氧化處理層106，該防氧化處理層106延伸至該引線103的表面，并經(jīng)由該正電極101、該負(fù)電極102的側(cè)面延伸至該正電極101、該負(fù)電極102及該引線103的底面。采用模具注塑的方式在防氧化處理層106上成型反射杯104 ;該反射杯104采用高TG (玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度)的環(huán)氧樹脂；成型反射杯104的同時，在正電極101、負(fù)電極102間及熱沉109 —側(cè)的臺階處填充入環(huán)氧樹脂107、108進(jìn)行封裝。以上所述僅為本專利技術(shù)的較佳實(shí)施例，并非用來限定本專利技術(shù)的實(shí)施范圍；凡是依本專利技術(shù)所作的等效變化與修改，都被本專利技術(shù)權(quán)利要求書的范圍所覆蓋。權(quán)利要求1.一種TOP LED金屬支架,包括正電極、負(fù)電極、分別設(shè)于該正電極、該負(fù)電極一側(cè)的引線及設(shè)于該正電極、該負(fù)電極上的反射杯，其特征在于該正電極、該負(fù)電極的表面分別設(shè)有一凹陷區(qū)域，該凹陷區(qū)域表面覆蓋一防氧化處理層，該防氧化處理層延伸至該引線的表面，并經(jīng)由該正電極本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種TOP?LED金屬支架，包括正電極、負(fù)電極、分別設(shè)于該正電極、該負(fù)電極一側(cè)的引線及設(shè)于該正電極、該負(fù)電極上的反射杯，其特征在于：該正電極、該負(fù)電極的表面分別設(shè)有一凹陷區(qū)域，該凹陷區(qū)域表面覆蓋一防氧化處理層，該防氧化處理層延伸至該引線的表面，并經(jīng)由該正電極、該負(fù)電極的側(cè)面延伸至該正電極、該負(fù)電極及該引線的底面；所述反射杯設(shè)置在該防氧化處理層上。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：孫百榮，
申請(專利權(quán))人：孫百貴，
類型：發(fā)明
國別省市：