一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、電極、發(fā)光二極管芯片和封裝體。所述電極形成于基板表面，所述發(fā)光二極管芯片位于基板上，并與所述電極電性連接。該封裝體覆蓋所述基板并包覆所述發(fā)光二極管芯片于其內(nèi)部。該封裝體包含一本體及環(huán)繞該本體的一光散射區(qū)域。該本體包括與基板貼設(shè)的結(jié)合面及與結(jié)合面相對的出光面。該光散射區(qū)域由在部分本體內(nèi)摻雜散射粒子形成，該光散射區(qū)域圍繞所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
—般將發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)封裝結(jié)構(gòu)用于作為直下式背光模組的光源時(shí)，通常要求其具有寬光場的出光，以減少顯示屏上的光點(diǎn)和亮暗帶的產(chǎn)生。如圖I所示為一種產(chǎn)生寬光場的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100，在該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100的上部出光面形成有一 V型的透鏡102，該透鏡102將發(fā)光二極管芯片103出射的部分光線折射向該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100的四周，從而產(chǎn)生較寬的光場。但是由于該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100的上部還形成有透鏡102，使得其厚度和體積較大，而且制作成本也較高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
有鑒于此，有必要提供一種低成本且輕薄的具有寬光場的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、電極、發(fā)光二極管芯片和封裝體。所述電極形成于基板表面，所述發(fā)光二極管芯片位于基板上，并與所述電極電性連接。該封裝體覆蓋所述基板并包覆所述發(fā)光二極管芯片于其內(nèi)部。該封裝體包含一本體及環(huán)繞該本體的一光散射區(qū)域。該本體包括與基板貼設(shè)的結(jié)合面及與結(jié)合面相對的出光面。該光散射區(qū)域由在部分本體內(nèi)摻雜散射粒子形成，該光散射區(qū)域圍繞所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置。上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，封裝體包含一個(gè)光散射區(qū)域于該封裝體周圍，該光散射區(qū)域內(nèi)摻雜有較高濃度的散射粒子，從而能夠增加光線的散射，增加側(cè)向出光，提升該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的光場范圍，同時(shí)這種光散射區(qū)域是通過在封裝體內(nèi)摻雜散射粒子形成，因此不會增大該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的厚度和體積，制作成本也較低，從而使得該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在增加側(cè)向出光的同時(shí)還能夠滿足低成本且輕薄的要求。附圖說明圖I是現(xiàn)有技術(shù)中的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本專利技術(shù)第一實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是圖2所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖4是圖2所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的配光曲線圖。圖5是本專利技術(shù)第二實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是本專利技術(shù)第三實(shí)施方式提供的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)示意圖。主要元件符號說明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100，10，20，30透鏡102基板11上表面111下表面11權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、電極、發(fā)光二極管芯片和封裝體，所述電極形成于基板表面，所述發(fā)光二極管芯片位于基板上，并與所述電極電性連接，該封裝體覆蓋所述基板并包覆所述發(fā)光二極管芯片于其內(nèi)部，其特征在于，該封裝體包含一本體及環(huán)繞該本體的一光散射區(qū)域，該本體包括與基板貼設(shè)的結(jié)合面及與結(jié)合面相對的出光面，該光散射區(qū)域由在部分本體內(nèi)摻雜散射粒子形成，該光散射區(qū)域圍繞所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置。2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述本體內(nèi)摻雜散射粒子，但是所述光散射區(qū)域內(nèi)散射粒子的摻雜濃度高于本體內(nèi)散射粒子的摻雜濃度。3.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述光散射區(qū)域位于所述出光面附近。4.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述光散射區(qū)域位于所述發(fā)光二極管芯片的出光角度為45°到90°之間的范圍。5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述光散射區(qū)域呈環(huán)狀。6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該光散射區(qū)域的厚度自所述光擴(kuò)散面與上出光面的連接處分別向所述光擴(kuò)散面與所述側(cè)出光面的連接處逐漸增大。7.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述散射粒子為二氧化鈦顆粒或氧化硅顆粒中的任意一種。8.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述本體大致呈半球體狀，所述光散射區(qū)域覆蓋于該本體的外周緣部分。9.如權(quán)利要求I至8任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述封裝體為透鏡或封裝膠。10.如權(quán)利要求I至8任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述發(fā)光二極管芯片通過粘貼或覆晶的方式固定于基板表面。全文摘要一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、電極、發(fā)光二極管芯片和封裝體。所述電極形成于基板表面，所述發(fā)光二極管芯片位于基板上，并與所述電極電性連接。該封裝體覆蓋所述基板并包覆所述發(fā)光二極管芯片于其內(nèi)部。該封裝體包含一本體及環(huán)繞該本體的一光散射區(qū)域。該本體包括與基板貼設(shè)的結(jié)合面及與結(jié)合面相對的出光面。該光散射區(qū)域由在部分本體內(nèi)摻雜散射粒子形成，該光散射區(qū)域圍繞所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置。文檔編號H01L33/54GK102956792SQ20111025043公開日2013年3月6日 申請日期2011年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月29日專利技術(shù)者林新強(qiáng), 曾文良 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、電極、發(fā)光二極管芯片和封裝體，所述電極形成于基板表面，所述發(fā)光二極管芯片位于基板上，并與所述電極電性連接，該封裝體覆蓋所述基板并包覆所述發(fā)光二極管芯片于其內(nèi)部，其特征在于，該封裝體包含一本體及環(huán)繞該本體的一光散射區(qū)域，該本體包括與基板貼設(shè)的結(jié)合面及與結(jié)合面相對的出光面，該光散射區(qū)域由在部分本體內(nèi)摻雜散射粒子形成，該光散射區(qū)域圍繞所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：林新強(qiáng)，曾文良，
申請(專利權(quán))人：展晶科技深圳有限公司，榮創(chuàng)能源科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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