減少窄溝道效應(yīng)的工藝方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種減少窄溝道效應(yīng)的工藝方法，包括步驟：在襯底上刻蝕出淺槽；在淺槽中依次淀積底部隔離介質(zhì)、摻雜多晶硅和頂部隔離介質(zhì)；刻蝕部分摻雜多晶硅；淀積第三隔離介質(zhì)并將摻雜多晶硅埋于淺溝槽隔離內(nèi)部；形成金屬接觸將摻雜多晶硅從淺溝槽隔離內(nèi)部引出并與晶體管的源極和背柵的金屬接觸短接并接地。本發(fā)明專利技術(shù)能屏蔽淺溝槽隔離上的柵極對晶體管的溝道區(qū)的影響，從而能解決窄溝道效應(yīng)造成的漏電流增大和閾值電壓減小的問題。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護點】
一種減少窄溝道效應(yīng)的工藝方法，其特征在于，在制作淺溝槽隔離時包括如下步驟：步驟一、在襯底上刻蝕出淺槽；步驟二、在所述淺槽中依次淀積底部隔離介質(zhì)、摻雜多晶硅和頂部隔離介質(zhì)，所述底部隔離介質(zhì)、所述摻雜多晶硅和所述頂部隔離介質(zhì)將所述淺槽完全填充；步驟三、刻蝕部分所述摻雜多晶硅；步驟四、淀積第三隔離介質(zhì)，所述第三隔離介質(zhì)將被刻蝕掉的部分所述摻雜多晶硅的位置完全填充并最后形成所述淺溝槽隔離，剩余的部分所述摻雜多晶硅被埋于所述淺溝槽隔離內(nèi)部；步驟五、形成金屬接觸將所述摻雜多晶硅從所述淺溝槽隔離內(nèi)部引出并與晶體管的源極和背柵的金屬接觸短接并都保持接地電位。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：韓峰，段文婷，
申請(專利權(quán))人：上海華虹NEC電子有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：