本發(fā)明專利技術(shù)提供靜電卡盤以及半導(dǎo)體裝置或液晶顯示裝置的制造裝置，其課題是，在具備多個卡盤區(qū)域并且在設(shè)于其外側(cè)區(qū)域的凹面部中配置用于運送晶片的托盤的靜電卡盤中，提高可靠性。作為解決手段，該靜電卡盤包含：卡盤功能部(10)，其具有載置晶片(2)的多個卡盤區(qū)域(R)和設(shè)于卡盤區(qū)域(R)的外側(cè)區(qū)域中的凹面部(C)；以及電極(40、40a)，其分別配置在與卡盤區(qū)域(R)對應(yīng)的卡盤功能部(10)的內(nèi)部和與凹面部(C)對應(yīng)的卡盤功能部(10)的內(nèi)部。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及在吸附晶片等被吸附物的機構(gòu)中使用的靜電卡盤以及具有該靜電卡盤的半導(dǎo)體/液晶制造裝置。
技術(shù)介紹
一直以來，在半導(dǎo)體晶片工藝等中使用的干蝕刻裝置或CVD裝置等半導(dǎo)體制造裝置中，為了在各種工藝中控制晶片溫度而具備以靜電吸附方式載置晶片的靜電卡盤。例如，干蝕刻裝置具備受到冷卻的靜電卡盤，使得晶片溫度不因等離子處理而上升至規(guī)定溫度以上，并且晶片被冷卻成晶片溫度在某溫度下保持均衡。 專利文獻(xiàn)I日本特開2005-64460號公報專利文獻(xiàn)2日本特開2011-114178號公報如在后述的準(zhǔn)備事項一欄中說明的那樣，具有靜電卡盤，該靜電卡盤具備多個卡盤區(qū)域，在設(shè)于多個卡盤區(qū)域的外側(cè)區(qū)域的凹面部中配置用于運送晶片的托盤。在蝕刻裝置中應(yīng)用了這樣的靜電卡盤時，托盤未吸附于靜電卡盤，所以托盤的溫度大大高于晶片的溫度。因此，在晶片內(nèi)，周緣部的溫度變高，從而在晶片內(nèi)，蝕刻特性產(chǎn)生偏差，成為導(dǎo)致合格率降低的要因。另外，當(dāng)托盤成為高溫時，容易產(chǎn)生運送問題。因此，需要等待至托盤得到冷卻，所以存在吞吐量降低、生產(chǎn)效率變差的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的是，在具備多個卡盤區(qū)域并且在設(shè)于其外側(cè)區(qū)域的凹面部中配置用于運送被吸附物的托盤的靜電卡盤中，提高可靠性。根據(jù)以下公開的一個方面，提供一種靜電卡盤，該靜電卡盤具備卡盤功能部，其具有載置被吸附物的多個卡盤區(qū)域和設(shè)于所述卡盤區(qū)域的外側(cè)區(qū)域中的凹面部；以及電極，其分別配置在與所述卡盤區(qū)域?qū)?yīng)的所述卡盤功能部的內(nèi)部和與凹面部對應(yīng)的所述卡盤功能部的內(nèi)部。另外，根據(jù)所公開的另一方面，提供一種半導(dǎo)體/液晶制造裝置，該半導(dǎo)體/液晶制造裝置具備腔室；安裝于所述腔室的靜電卡盤；以及用于運送被吸附物的托盤，所述靜電卡盤具備卡盤功能部，其具有載置被吸附物的多個卡盤區(qū)域和設(shè)于所述卡盤區(qū)域的外側(cè)區(qū)域中的凹面部；電極，其分別配置在與所述卡盤區(qū)域?qū)?yīng)的所述卡盤功能部的內(nèi)部和與凹面部對應(yīng)的所述卡盤功能部的內(nèi)部，用于運送所述被吸附物的托盤在與所述卡盤區(qū)域?qū)?yīng)的部分處具有開口部，并且該托盤被配置于所述靜電卡盤的凹面部。根據(jù)以下所公開的內(nèi)容，靜電卡盤具備用于吸附運送用托盤的電極，所以托盤成為充分吸附于靜電卡盤的狀態(tài)。由此，在將靜電卡盤應(yīng)用于干蝕刻裝置的情況下，與晶片(被吸附物)同樣，從等離子體施加給托盤的熱量從靜電卡盤釋放到外部而得到充分冷卻。因此，晶片不會受到來自托盤的熱量的影響，所以能夠在晶片內(nèi)確保溫度的均勻性，提高晶片內(nèi)的蝕刻處理的合格率。另外，因為托盤在靜電卡盤上得到充分冷卻，所以在蝕刻處理結(jié)束之后，能夠立刻用臂部以高可靠性來運送托盤。由此，能夠提高蝕刻處理的吞吐量，有助于生產(chǎn)效率的提聞。 附圖說明圖I是說明準(zhǔn)備事項的剖視圖(之I)。圖2是說明準(zhǔn)備事項的剖視圖(之2)。圖3是示出第I實施方式的靜電卡盤的剖視圖。圖4是示出第I實施方式的靜電卡盤的俯視圖。圖5是示出在第I實施方式的靜電卡盤中用托盤將晶片向上側(cè)托起的狀態(tài)的剖視圖。圖6是示出第2實施方式的靜電卡盤的剖視圖。圖7是示出第3實施方式的靜電卡盤的剖視圖。圖8是示出第4實施方式的靜電卡盤的剖視圖。圖9是示出具有實施方式的靜電卡盤的干蝕刻裝置(半導(dǎo)體/液晶制造裝置)的剖視圖。符號說明I、la、lb、Ic…靜電卡盤,2…晶片，5…干蝕刻裝置，10----^盤功能部,20…基板(base plate), 22…冷卻水路，24…加熱電極，26…粘接劑，30、30a…氣孔，32、32a…凹部，34…凸部，40、40a...電極，50...托盤，50a…開口部，52…突出部，54...升降銷(liftpin)，56…對焦環(huán),60…腔室,70…下部電極,74…高頻電源,76…排氣管,78***APC閥,80…上部電極，82…氣體導(dǎo)入管，C…凹面部，L，LI，L2…氣體路徑，R…卡盤區(qū)域。具體實施例方式以下，參照附圖來說明實施方式。在說明實施方式之前，對基礎(chǔ)的準(zhǔn)備事項進(jìn)行說明。如圖I所示，靜電卡盤100具備多個卡盤區(qū)域R，在各卡盤區(qū)域R中載置晶片200。在靜電卡盤100的各卡盤區(qū)域R的內(nèi)部分別設(shè)置有電極300。另外，靜電卡盤100的各卡盤區(qū)域R的外側(cè)區(qū)域為凹面部C。并且，在靜電卡盤100的凹面部C中配置有一體型的托盤400，該托盤400在與靜電卡盤100的各卡盤區(qū)域R對應(yīng)的部分處分別設(shè)有開口部400a。 在托盤400的開口部400a的側(cè)壁上，在厚度方向的下部設(shè)有向內(nèi)側(cè)突出的環(huán)狀突出部420。在靜電卡盤100的周緣部，環(huán)狀地配置有用于使托盤400上下移動的多個升降銷500。此外，靜電卡盤100在下側(cè)具備設(shè)有冷卻水路的基板(未圖示)，通過在冷卻水路中流過冷卻水，來對各卡盤區(qū)域R進(jìn)行冷卻。并且，當(dāng)對靜電卡盤100的電極300施加電壓時，通過靜電引力將晶片200吸附于靜電卡盤100。例如，在將靜電卡盤100安裝于干蝕刻裝置的情況下，在腔室內(nèi)產(chǎn)生等離子體，在對載置于靜電卡盤100上的多個晶片200進(jìn)行冷卻的狀態(tài)下同時進(jìn)行蝕刻。如圖2所示，當(dāng)蝕刻結(jié)束時，通過使升降銷500向上側(cè)移動來使托盤400向上側(cè)移動，各晶片200的周緣部搭載于托盤400的突出部420上而向上側(cè)升起。此外，利用臂部(未圖示)將搭載著晶片200的托盤400從腔室中運送到外部。當(dāng)在圖I的狀態(tài)下對晶片200進(jìn)行蝕刻時，托盤400也被暴露于等離子體中。此時，因為在托盤400下不存在靜電卡盤100的電極300，所以托盤400成為被單純地放置在靜電卡盤100上的狀態(tài)。因此，托盤400的冷卻未得到充分實施，因此托盤400從等離子體中吸收熱量而成為高溫。由于成為高溫的托盤400的影響，晶片200周緣側(cè)的溫度變高，各晶片200內(nèi)的溫 度的均勻性變差。由此，在晶片200內(nèi)容易產(chǎn)生蝕刻速率、抗蝕劑或者基底的選擇比的偏差，成為導(dǎo)致晶片200內(nèi)的蝕刻處理的合格率降低的要因。另外，當(dāng)托盤400成為100°C以上的高溫時，從托盤400向運送托盤400的臂部進(jìn)行熱傳導(dǎo)，有時因臂部發(fā)生熱膨脹而引起運送問題。因此，在蝕刻處理結(jié)束之后，需要等待至托盤400得到冷卻，所以，隨著蝕刻處理的吞吐量(每單位時間的晶片處理能力)的降低，生產(chǎn)效率變差。以下說明的實施方式的靜電卡盤能夠消除上述問題。(第I實施方式)圖3是示出第I實施方式的靜電卡盤的剖視圖，圖4是示出第I實施方式的靜電卡盤的俯視圖。如圖3所示，第I實施方式的靜電卡盤I具備基板20和卡盤功能部10，該卡盤功能部10通過硅樹脂等粘接劑26粘接在基板20上。基板20例如由鋁等金屬形成，在內(nèi)部設(shè)有冷卻水路22作為冷卻機構(gòu)。卡盤功能部10例如由氧化鋁等陶瓷形成，在表面上具備載置晶片(被吸附物)的多個卡盤區(qū)域R。在各卡盤區(qū)域R中，在表面設(shè)有用于提供傳熱用氣體的氣孔30和與該氣孔30連通且在水平方向上延伸的凹部32，在凹部32中島狀地配置有多個凸部34。在靜電卡盤I的各卡盤區(qū)域R表面的多個凸部34上接觸地載置晶片2。這樣，靜電卡盤I的各卡盤區(qū)域R的表面設(shè)有與氣孔30連通的凹部32和多個凸部34而成為凹凸形狀(emboss形狀)。由此，傳熱用氣體從包含氣孔30的氣體路徑L經(jīng)過凹部32均勻地提供到晶片2的整個背面。在靜電卡盤I的各卡盤區(qū)域R的內(nèi)部分別設(shè)有用于施加電壓來吸附晶片2的電極40。電極40優(yōu)選由鎢(W)本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種靜電卡盤，其特征在于，該靜電卡盤具備：卡盤功能部，其具有載置被吸附物的多個卡盤區(qū)域和設(shè)于所述卡盤區(qū)域的外側(cè)區(qū)域中的凹面部；以及電極，其分別配置在與所述卡盤區(qū)域?qū)?yīng)的所述卡盤功能部的內(nèi)部和與凹面部對應(yīng)的所述卡盤功能部的內(nèi)部。
【技術(shù)特征摘要】
...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：白巖則雄，
申請(專利權(quán))人：新光電氣工業(yè)株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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