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本發(fā)明公開了一種減少窄溝道效應(yīng)的工藝方法，包括步驟：在襯底上刻蝕出淺槽；在淺槽中依次淀積底部隔離介質(zhì)、摻雜多晶硅和頂部隔離介質(zhì)；刻蝕部分摻雜多晶硅；淀積第三隔離介質(zhì)并將摻雜多晶硅埋于淺溝槽隔離內(nèi)部；形成金屬接觸將摻雜多晶硅從淺溝槽隔離內(nèi)部引...該專利屬于上海華虹NEC電子有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過上海華虹NEC電子有限公司授權(quán)不得商用。