本發明專利技術公開了一種存儲器編程方法及應用其的閃存裝置。其中，存儲器編程方法，應用于包括第一及第二存儲器層面(Plane)的閃存，包括下列步驟：接收包括編程邏輯地址的編程指令；建立第一邏輯至實體(Logic-to-Physical，L2P)對照表將編程邏輯地址對應至第一存儲器層面中的主存儲空間；判斷閃存是否操作于隨取操作(Random?Access)模式；若是，建立第二L2P對照表將編程邏輯地址對應至第二存儲器層面中的備份存儲空間；將編程數據同時寫入主存儲空間及第二存儲器層面的備份存儲空間；然后判斷主存儲空間是否編程成功；若否，將對應至主存儲空間的地址指向備份存儲空間。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術是有關于一種存儲器編程方法及應用其的閃存裝置，且特別是有關于一種針對數據編程錯誤進行錯誤回復的存儲器編程方法及應用其的閃存裝置。
技術介紹
在科技發展日新月異的現今時代，非易失性存儲器裝置被廣泛地應用在多種電子產品中；舉例來說，閃存為最為廣泛使用的非易失性存儲器之一。一般來說，閃存中的存儲單元具有可編程的閾值電壓，此可編程的閾值電壓用以指示此存儲單元中儲存的數據數值?！ぴ陂W存的數據編程操作中，偶發地會發生編程失敗的情形。據此，需執行諸如錯誤更正碼(Error Correction Code, ECC),以進行相關的回復操作。然而在一些嚴重的編程錯誤中，即便執行ECC仍無法對編程失敗的數據進行回復，而將導致數據損失。據此，如何針對閃存提出更完善的編程方法，以在編程失敗發生時有效地對編程失敗的數據進行回復，為業界不斷致力方向之一。
技術實現思路
本專利技術有關于一種存儲器編程方法及應用其的閃存裝置，其是應用于具有第一及第二存儲器層面(Memory Plane)的閃存中。本專利技術相關的存儲器編程方法及應用其的閃存裝置更在此閃存操作于隨取操作(Random Access)模式時，則建立第一邏輯至實體(Logic-to-Physical,L2P)對照表來將接收的編程邏輯地址對應至第一存儲器層面中的主存儲空間、建立第二 L2P對照表來將編程邏輯地址對應至第二存儲器層面中的備份存儲空間并據以同時將編程數據寫入此主存儲空間及此備份存儲空間中。當主存儲空間發生編程失敗時，本專利技術相關的存儲器編程方法及應用其的閃存裝置可將對應至主存儲空間的地址指向備份存儲空間，以此對閃存進行錯誤修補。據此，相較于傳統閃存，本專利技術相關的存儲器編程方法及應用其的閃存裝置據此可有效地對編程失敗的數據進行回復的優點。根據本專利技術的第一方面，提出一種存儲器編程方法，應用于閃存，其中閃存包括第一及第二存儲器層面(Plane)，存儲器編程方法包括下列步驟首先接收包括編程邏輯地址的編程指令；接著建立第一邏輯至實體(Logic-to-Physical，L2P)對照表將編程邏輯地址對應至第一存儲器層面中的主存儲空間；然后判斷閃存是否操作于隨取操作(RandomAccess)模式；若是，建立第二 L2P對照表將編程邏輯地址對應至第二存儲器層面中的備份存儲空間；接著對第一及第二存儲器層面同時進行編程以將編程數據寫入主存儲空間及第二存儲器層面的備份存儲空間；然后判斷主存儲空間是否編程成功；若否，將對應至主存儲空間的地址指向備份存儲空間。根據本專利技術的第二方面，提出一種閃存裝置，響應于編程指令進行數據編程操作，編程指令包括編程邏輯地址。閃存裝置包括閃存、緩存器及存儲器控制器。閃存包括第一及第二存儲器層面。緩存器暫存對應至編程指令的編程數據。存儲器控制器響應于編程指令建立第一 L2P對照表，以將編程邏輯地址對應至第一存儲器層面的主存儲空間；存儲器控制器更判斷該閃存是否操作于隨取操作模式；若是，則建立第二 L2P對照表，將編程邏輯地址對應至第二存儲器層面的備份存儲空間。存儲器控制器更對第一及第二存儲器層面同時進行編程，以將編程數據寫入主存儲空間及備份存儲空間。存儲器控制器更判斷主存儲空間是否編程成功，若否，則將對應至主存儲空間的地址指向備份存儲空間。為了對本專利技術的上述及其它方面有更佳的了解，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。附圖說明圖I繪示依照本專利技術實施例的閃存裝置的方塊圖。圖2繪示依照邏輯至實體對照表L2P_1的操作示意圖。 圖3繪示依照邏輯至實體對照表L2P_2的操作示意圖。圖4繪示依照本專利技術實施例的存儲器編程方法的流程圖。圖5繪示依照本專利技術實施例的存儲器編程方法的部份流程圖。主要元件符號說明I:閃存裝置2 :主機10:閃存20:緩存器30:存儲器控制器10_P1、10_P2 :存儲器層面Page_M :主存儲分頁Page_T :備份存儲分頁B(L):邏輯存儲器區塊P(L_N)-P(L_N+M):邏輯存儲器分頁B (P)、B (P_X)-B (P_Z):物理存儲器區塊P (P_N) -P (P_N+M):物理存儲器分頁具體實施例方式請參照圖I，其繪示依照本專利技術實施例的閃存裝置的方塊圖。本實施例的閃存裝置I響應于主機2提供的編程指令CMD進行數據編程操作，編程指令CMD包括編程邏輯地址Addr_P。閃存裝置I包括閃存10、緩存器20及存儲器控制器30。緩存器20暫存對應至編程指令CMD的編程數據Data。閃存10包括存儲器層面(Plane) 10_P1及10_P2。舉例來說，存儲器層面10_P1包括多個存儲區塊(Block)，而各存儲區塊包括存儲分頁(Page);存儲器層面10_P2包括備份存儲區塊。進一步來說，存儲區塊為與非門(NAND)閃存的清除操作(Erase)的操作單位，而存儲分頁為NAND閃存的編程操作(Program)及讀取操作(Read)的操作單元。存儲器控制器30響應于編程指令CMD建立邏輯至實體(Logic-to-Physical，L2P)對照表L2P_1，以將編程邏輯地址Addr_P對應至存儲器層面10_P1中的主存儲空間。舉例來說，L2P對照表L2P_1對應至區塊操作模式(Block Mode)，其用以將編程邏輯地址Addr_P對應至特定的存儲區塊中的主存儲分頁Page_M。舉例來說，對應至區塊操作模式的L2P對照表L2P_1是以區塊為單位，來將邏輯層面的分頁地址對應至物理存儲器分頁，如圖2所示。進一步來說，對于邏輯層面同屬一個邏輯存儲器區塊B (L)的多個邏輯存儲器分頁P (L_N)、P (L_N+1).....P (L_N+M)來說，其于實體層面中亦對應至一個相同的物理存儲器區塊B(P)中的多個物理存儲器分頁P(P_N)、P (P_N+1)、. . .、P (P_N+M)，其中 N 及 M 為自然數。存儲器控制器30更判斷閃存10是否操作于隨取操作(Random Access)模式。舉例來說，存儲器控制器30是參考編程指令CMD及存儲器層面10_P1及10_P2的容量，來判斷閃存10是否操作于隨取操作模式中。 當閃存10操作于隨取操作模式時，存儲器控制器30建立L2P對照表L2P_2，以將編程邏輯地址CMD對應至存儲器層面10_P2中的備份存儲空間。舉例來說，L2P對照表L2P_2是對應至分頁操作模式(Page Mode)，其用以將編程邏輯地址Addr_P對應至存儲器層面10_P2中一個暫存區塊Block_T中的暫存存儲分頁Page_T。在建立L2P對照表L2P_1及LTP_2之后，存儲器控制器30更對存儲器層面10_P1及10_P2同時進行編程，以將編程數據Data寫入存儲器層面10_P1的主存儲分頁Page_M及寫入存儲器層面10_p2的備份存儲分頁Page_T。舉例來說，對應至分頁操作模式的L2P對照表L2P_2是以分頁為單位，來將邏輯層面的分頁地址對應至物理存儲器分頁，如圖3所示。進一步來說，對于邏輯層面同屬一個邏輯存儲器區塊B_L的多個邏輯存儲器分頁P (L_N)、P (L_N+1).....P (L_N+M)來說，其于實體層面中可能對應至不同的存儲器區塊B (P_X)、B (P_Y)及B (Ρ_Ζ)中的部本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種存儲器編程方法，應用于一閃存，其中該閃存包括一第一存儲器層面(Plane)及一第二存儲器層面，該存儲器編程方法包括：接收一編程指令，包括一編程邏輯地址；建立一第一邏輯至實體(Logic?to?Physical，L2P)對照表，以將該編程邏輯地址對應至該第一存儲器層面中的一主存儲空間；判斷該閃存是否操作于一隨取操作(Random?Access)模式；當該閃存操作于該隨取操作模式時，建立一第二L2P對照表，以將該編程邏輯地址對應至該第二存儲器層面中的一備份存儲空間；以及對該第一及該第二存儲器層面同時進行編程，以將一編程數據寫入該第一存儲器層面的該主存儲空間及寫入該第二存儲器層面的該備份存儲空間。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：高龍毅，洪俊雄，陳漢松，何信義，
申請(專利權)人：旺宏電子股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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