磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)的名稱是磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器被配置為讀/寫存儲(chǔ)器，并且所述磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的至少第一區(qū)段被配置為轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備、用于配置磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的方法以及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。
技術(shù)介紹
在嵌入式系統(tǒng)和電池供電設(shè)備領(lǐng)域中，很多時(shí)候采用包括片上存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的處理器芯片。在例如移動(dòng)電話的情況下，這樣的設(shè)備通常包含微處理器或微控制器以及數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)，其中它們兩者均可包括它們自己的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。這樣的片上存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)通常包括ROM結(jié)構(gòu)以及RAM結(jié)構(gòu)，特別是SRAM結(jié)構(gòu)。片上ROM被選擇用于像存儲(chǔ)因例如安全原因而必須不再可改變的數(shù)據(jù)或代碼那樣的片上應(yīng)用，對(duì)于支持安全啟動(dòng)特征的啟動(dòng)R0M，情況就是這樣的。片上ROM結(jié)構(gòu)還可以被用于穩(wěn)定且無需被改變或更新的明確定義的信號(hào) 處理核心算法。另一方面，片上SRAM結(jié)構(gòu)例如被選擇用于起用于讀和寫數(shù)據(jù)或者用于可能需要被改變或更新的某些其他數(shù)據(jù)或代碼的工作存儲(chǔ)器的作用。一個(gè)重要的方面在于，在這些片上存儲(chǔ)器中，提供了對(duì)片上SRAM或ROM明確定義的劃分，使得某些區(qū)域被預(yù)定義為SRAM區(qū)域和ROM區(qū)域。這種預(yù)定義的劃分以及SRAM和ROM存儲(chǔ)器的大小以后在不重置(re-spin)半導(dǎo)體芯片的情況下不能被改變。另一方面，可能出現(xiàn)期望具有靈活地?cái)U(kuò)展或取代SRAM和/或ROM存儲(chǔ)器的可能性的情形。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)提供了一種磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中所述磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器被配置為讀/寫存儲(chǔ)器，并且所述磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的至少第一區(qū)段被配置為轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器。本專利技術(shù)還提供了一種磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備，其包括磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其被配置為讀/寫存儲(chǔ)器，以及轉(zhuǎn)換電路，其被配置為將所述磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的至少第一區(qū)段轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器。本專利技術(shù)還提供了一種數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其包括處理單元，磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，以及總線系統(tǒng)，所述總線系統(tǒng)將所述處理單元和所述磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器相互連接。本專利技術(shù)還提供了一種用于重新配置磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的方法，其包括將所述磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器配置為讀/寫存儲(chǔ)器，以及將所述磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的至少第一區(qū)段轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器。附圖說明附圖被包括以提供對(duì)實(shí)施例的進(jìn)一步理解，并且附圖被并入本說明書而且構(gòu)成本說明書的一部分。附圖示意了實(shí)施例并且與說明一起被用于解釋實(shí)施例的原理。其他實(shí)施例以及實(shí)施例的許多預(yù)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)將會(huì)容易地被領(lǐng)會(huì)，因?yàn)橥ㄟ^參照以下詳細(xì)說明它們會(huì)變得更好理解。附圖中的元件不一定相對(duì)于彼此按比例繪制。相似的參考標(biāo)號(hào)表示對(duì)應(yīng)的相似部分。圖I示出按照一個(gè)實(shí)施例的磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的示意框圖表示。圖2a、圖2b和圖2c分別示出按照一個(gè)實(shí)施例的磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的示意框圖表不。圖3示出按照一個(gè)實(shí)施例的磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的示意框圖表示。圖4示出按照一個(gè)實(shí)施例的磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的示意框圖表示。圖5示出按照一個(gè)實(shí)施例的磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的示意框圖表示。圖6示出按照一個(gè)實(shí)施例的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的示意框圖表示。圖7示出按照一個(gè)實(shí)施例的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的示意框圖表示。 具體實(shí)施例方式現(xiàn)在參照附圖來描述各個(gè)方面和實(shí)施例，其中相似的參考標(biāo)號(hào)一般被用于通篇表示相似的元件。為了解釋的目的，在以下說明中闡述了大量具體細(xì)節(jié)，以便提供對(duì)實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)方面的透徹理解。但是，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見的是，可采用更小程度的具體細(xì)節(jié)來實(shí)踐實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)方面。在其他情況下，已知結(jié)構(gòu)和元件以示意形式示出，以便于描述實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)方面。應(yīng)理解的是，可利用其他實(shí)施例并且可進(jìn)行結(jié)構(gòu)或邏輯上的改變而不背離本專利技術(shù)的范圍。還應(yīng)注意的是，附圖不按比例繪制或者不一定要按比例繪制。另外，雖然可僅相對(duì)于若干實(shí)現(xiàn)中的一種來公開一個(gè)實(shí)施例的特定特征或方面，但這樣的特征或方面可與對(duì)于任何給定或特定應(yīng)用可能是期望的并且有利的其他實(shí)現(xiàn)的一個(gè)或多個(gè)其他特征或方面相結(jié)合。此外，就在詳細(xì)說明或權(quán)利要求中使用術(shù)語(yǔ)“包括”、“具有”、“帶有”或它們的其他變體的程度而言，這樣的術(shù)語(yǔ)旨在以與術(shù)語(yǔ)“包含”相似的方式全部包括(inclusive)。可使用術(shù)語(yǔ)“耦合”和“連接”及其派生。應(yīng)理解的是，這些術(shù)語(yǔ)可被用于指示兩個(gè)元件配合操作或者彼此交互，而與它們是處于直接的物理或電接觸還是它們彼此沒有直接接觸無關(guān)。另外，術(shù)語(yǔ)“示例性的”僅意指作為示例而不是最好或最佳的。因此，以下詳細(xì)說明不應(yīng)從限制性的意義上來理解，并且本專利技術(shù)的范圍由所附權(quán)利要求來限定。磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)是一種包括并且利用鐵磁材料來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)設(shè)備。MRAM例如能夠起用于讀和寫信息的存儲(chǔ)設(shè)備的作用，其依靠形成多層鐵磁薄膜并且感測(cè)取決于相應(yīng)薄膜的磁化方向的電流變化。MRAM中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)例如能夠通過使用巨磁阻(GMR)現(xiàn)象來實(shí)現(xiàn)。GMR設(shè)備依靠發(fā)生于在其之間有非磁性層的兩個(gè)磁性層的自旋方向不同時(shí)的阻抗變化。按照另一個(gè)示例，MRAM中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)還能夠通過其中自旋影響電子傳輸?shù)淖孕龢O化磁傳輸(SPMT)來實(shí)現(xiàn)。SPMT技術(shù)利用這樣的現(xiàn)象即當(dāng)自旋方向在兩個(gè)磁性層中一致時(shí)，更大的電流被傳輸，其中在所述兩個(gè)磁性層之間有絕緣層。典型地，SRAM存儲(chǔ)器的特征在于，其無需周期性地刷新。它使用雙穩(wěn)態(tài)鎖存電路來存儲(chǔ)每個(gè)比特。通常，SRAM中的每個(gè)比特被存儲(chǔ)在形成兩個(gè)交叉耦合的倒相器的四個(gè)晶體管上。典型地，ROM存儲(chǔ)器由例如其內(nèi)容由集成電路制造商編程的掩模型ROM所提供的非易失性存儲(chǔ)器表征，其中芯片的區(qū)域在光刻工藝期間被掩蔽。ROM的功能例如是存儲(chǔ)程序代碼及其他非易失性數(shù)據(jù)。ROM中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不能被修改，或者只能緩慢地或困難地被修改，因此它主要被用于分配固件，即與具體硬件非常緊密地綁定的軟件。參照?qǐng)D1，其中示出了按照一個(gè)實(shí)施例的磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的示意框圖表示。圖I的磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM) 10被配置為讀/寫存儲(chǔ)器，并且MRAM 10的至少第一區(qū)段11可轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器。按照?qǐng)DI的MRAM 10的一個(gè)實(shí)施例，如圖I所示，MRAM 10還包括不可轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器的第二區(qū)段12。但是，第二區(qū)段12事實(shí)上能夠?qū)嵸|(zhì)為零，這意味著MRAM 10僅由第一區(qū)段11組成，使得事實(shí)上整個(gè)MRAM 10可轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器。另一方面，對(duì)于已生產(chǎn)并且交付給客戶的MRAM 10，還可能的是MRAM 10包 括可轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器的第一區(qū)段11和已處于只讀存儲(chǔ)器狀態(tài)的第二區(qū)段12，該第二區(qū)段12具有由制造商存儲(chǔ)在其中的可擦除或不可擦除的數(shù)據(jù)。作為其另外的實(shí)施例，還可能的是MRAM 10包括不可轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器的第三區(qū)段。按照?qǐng)DI的MRAM 10的一個(gè)實(shí)施例，第一區(qū)段11被分成可單獨(dú)地轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器的多個(gè)子區(qū)段。所述子區(qū)段可包括以比特或字節(jié)為單位測(cè)量的預(yù)先確定的存儲(chǔ)容量。按照?qǐng)DI的MRAM 10的一個(gè)實(shí)施例，第一區(qū)段11或其子區(qū)段可以可逆方式轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器，這意味著已轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器的那些子區(qū)段能夠在任何期望的時(shí)間轉(zhuǎn)換回讀/寫存儲(chǔ)器。按照?qǐng)DI的MRAM 10的另一個(gè)實(shí)施例，子區(qū)段可以不可逆方式轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器，使得子區(qū)段不能轉(zhuǎn)換回讀/寫存儲(chǔ)器。按照?qǐng)DI的MRAM 10的一個(gè)實(shí)施例，第一區(qū)段11或其子區(qū)段可通過轉(zhuǎn)換電路來轉(zhuǎn)換。下面將進(jìn)一步描述這樣的轉(zhuǎn)換電路的示例。按照一個(gè)實(shí)施例，第一區(qū)段11或其子區(qū)段與轉(zhuǎn)換電路連接。參照?qǐng)D2a、圖2b和圖2c，其中分別示出了磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的實(shí)施例的示意本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中：所述磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器被配置為讀/寫存儲(chǔ)器，并且所述磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的至少第一區(qū)段被配置為轉(zhuǎn)換成只讀存儲(chǔ)器。

【技術(shù)特征摘要】
...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：U希爾德布蘭德，J豪斯納，M奧伯梅爾，D伯格曼，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：英特爾移動(dòng)通信有限責(zé)任公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：