本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種動態(tài)存儲器的重刷新電路和方法，該重刷新電路包括控制器以及重刷新信號產(chǎn)生器。控制器傳送自刷新啟動信號。重刷新信號產(chǎn)生器依據(jù)自刷新啟動信號以啟動自刷新模式，重刷新信號產(chǎn)生器在自刷新模式被啟動時，先針對動態(tài)存儲器的記憶胞陣列執(zhí)行叢發(fā)式重刷新動作后，接著再針對該記憶胞陣列執(zhí)行分配式重刷新動作。本發(fā)明專利技術(shù)可以提升動態(tài)存儲器的可靠度。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種。
技術(shù)介紹
動態(tài)存儲器(Dynamic Random Access Memory, DRAM)由于其架構(gòu)的關(guān)系，需利用重刷新動作(refresh)來維持其記憶胞中所存儲的數(shù)據(jù)的正確性。在公知技術(shù)中，重刷新動作可以通過所謂的叢發(fā)式(burst mode)的重刷新方式或是分配式(distribute mode)重刷新方式來進行。在動態(tài)存儲器的自動重刷新(auto-refresh)階段中，是采用叢發(fā)式的重刷新方式，而當(dāng)其由自動重刷新階段切換至自刷新(self-refresh)階段時，重刷新動作則被切換成分配式重刷新方式來進行。請參照圖1，圖I為公知的動態(tài)存儲器的重刷新狀態(tài)的示意圖。其中，當(dāng)在時間T1時，動態(tài)存儲器由自動重刷新階段切換至自刷新階段，并啟動分配式重刷新模式。在分配式重刷新模式，動態(tài)存儲器的每一條字元線(word line)是依據(jù)一個延遲時間來依序進行重刷新的。由于時間T1可能會隨時發(fā)生，因此字元線Wn被重刷新的時間點與前一次進行叢發(fā)式重刷新動作BR的時間點，很容易產(chǎn)生間隔過長的情形，而導(dǎo)致字元線Wn上的記憶胞所存儲的數(shù)據(jù)產(chǎn)生漏失的現(xiàn)象。
技術(shù)實現(xiàn)思路
有鑒于此，本專利技術(shù)的目的在于提供一種動態(tài)存儲器的重刷新電路及其重刷新方法，使動態(tài)存儲器進入待機模式時，不會因過慢執(zhí)行重刷新動作而造成存儲數(shù)據(jù)的漏失。本專利技術(shù)提出一種動態(tài)存儲器的重刷新電路，包括控制器及重刷新信號產(chǎn)生器。控 制器傳送自刷新啟動信號。重刷新信號產(chǎn)生器耦接控制器，依據(jù)自刷新啟動信號以啟動自刷新模式，重刷新信號產(chǎn)生器在自刷新模式被啟動時，先針對動態(tài)存儲器的記憶胞陣列執(zhí)行叢發(fā)式重刷新動作后，接著再針對該記憶胞陣列執(zhí)行分配式重刷新動作。本專利技術(shù)提出一種動態(tài)存儲器的重刷新方法，包括首先依據(jù)自刷新啟動信號以啟動自刷新模式。并在自刷新模式被啟動時，先針對動態(tài)存儲器的記憶胞陣列執(zhí)行叢發(fā)式重刷新動作后，接著再針對記憶胞陣列執(zhí)行分配式重刷新動作。本專利技術(shù)的有益效果在于，基于上述，本專利技術(shù)利用在動態(tài)存儲器進入自刷新模式時，先行執(zhí)行叢發(fā)式重刷新動作，再進行分配式重刷新動作。如此一來，可避免在進入自刷新模式時，字元線Wn被重刷新的時間點與前次叢發(fā)式重刷新動作BR發(fā)生的時間點間隔過久，而導(dǎo)致字元線Wn上記憶胞存儲的數(shù)據(jù)因未及時被重刷新而產(chǎn)生漏失的問題，進以提升動態(tài)存儲器的可靠度。為讓本專利技術(shù)的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明。附圖說明圖I為公知的動態(tài)存儲器的重刷新狀態(tài)的示意圖。圖2為本專利技術(shù)動態(tài)存儲器的重刷新電路一實施例的示意圖。圖3為本專利技術(shù)實施例的動態(tài)存儲器的重刷新電路的重刷新動作波形圖。圖4為本專利技術(shù)重刷新信號產(chǎn)生器一實施例的示意圖。圖5為本專利技術(shù)動態(tài)存儲器的重刷新方法一實施例的流程圖。圖6為本專利技術(shù)動態(tài)存儲器的重刷新方法一實施例的流程圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下200:重刷新電路 210:控制器220:重刷新信號產(chǎn)生器230 :記憶胞陣列221 :重刷新信號產(chǎn)生電路222:計時電路223 :重刷新計數(shù)電路FS :重刷新信號RTRI :重刷新觸發(fā)信號SREN :自刷新啟動信號STCTRL :計時臨界值控制信號Td:延遲時間td:時間點的距離Wn :字元線STEN :致能信號T1JsJb1 Tbn :時間BKBR1 :叢發(fā)式的重刷新動作S510 S520、S610 S670 :重刷新方法的步驟具體實施例方式請參照圖2，圖2為本專利技術(shù)動態(tài)存儲器的重刷新電路一實施例的示意圖。重刷新電路200包括控制器210及重刷新信號產(chǎn)生器220。控制器210耦接重刷新信號產(chǎn)生器220。控制器210用以在當(dāng)動態(tài)存儲器要進入自刷新模式時，傳送自刷新啟動信號SREN至重刷新信號產(chǎn)生器220。重刷新信號產(chǎn)生器220接收自刷新啟動信號SREN后，依據(jù)自刷新啟動信號SREN來啟動自刷新模式，并在自刷新模式被啟動后，先針對動態(tài)存儲器的記憶胞陣列230執(zhí)行叢發(fā)式重刷新動作。在叢發(fā)式重刷新動作完成后，重刷新信號產(chǎn)生器220會計算一個延遲時間，并在一個延遲時間后，針對動態(tài)存儲器其中的一個位元線(例如第一條位元線)進行重刷新動作。接著，重刷新信號產(chǎn)生器220繼續(xù)下一個延遲時間的計數(shù)，并在下一個延遲時間后，針對動態(tài)存儲器的其中的另一個位元線(例如第二條位元線)進行重刷新動作。需注意的是，在進行分配式的重刷新動作時，上述的延遲時間是固定的。而延遲時間的設(shè)定，可依據(jù)動態(tài)存儲器的規(guī)格中所制定的位元線需要進行重刷新的時間距離來計算獲得。簡單來說，同一條位元線進行兩次重刷新的時間距離不能超過規(guī)格所訂定的最大值。請同時參照圖2及圖3，其中圖3為本專利技術(shù)動態(tài)存儲器的重刷新電路一實施例的重刷新動作波形圖。其中在時間點Ts時，控制器210發(fā)送自刷新啟動信號SREN至重刷新信號產(chǎn)生器220，重刷新信號產(chǎn)生器220并據(jù)以啟動自刷新模式。緊接著重刷新信號產(chǎn)生器220先產(chǎn)生重刷新信號并將其傳送至記憶胞陣列230以針對記憶胞陣列230執(zhí)行叢發(fā)式重刷新動作BR115在完成叢發(fā)式重刷新動作BR1后，重刷新信號產(chǎn)生器220并在每隔一個延遲時間Td后的多個時間點Tb1 Tbn，來依序?qū)τ洃洶嚵?30中不同的單一條字元線進行重刷新的動作，即對記憶胞陣列230執(zhí)行分配式重刷新動作。由圖3可知，由于在自刷新模式被啟動后，本實施例的重刷新電路200立即先對動態(tài)存儲器的記憶胞陣列230執(zhí)行叢發(fā)式的重刷新動作BR115因此，不管自刷新模式被啟動的時間點Ts發(fā)生在何時，都不會因為后續(xù)分配式重刷新動作發(fā)生的時間點Tbl Tbn過晚，而出現(xiàn)記憶胞陣列230中有位元線因來不及進行重刷新動作，使其上記憶胞的數(shù)據(jù)發(fā)生衰減而導(dǎo)致漏失的現(xiàn)象。·請參照圖4，圖4為本專利技術(shù)重刷新信號產(chǎn)生器一實施例的示意圖。重刷新信號產(chǎn)生器220包括重刷新信號產(chǎn)生電路221、計時電路222以及重刷新計數(shù)電路223。重刷新信號產(chǎn)生電路221耦接于控制器220及記憶胞陣列230間。重刷新信號產(chǎn)生電路接收自刷新啟動信號SREN以啟動自刷新模式。另外，重刷新信號產(chǎn)生電路221還依據(jù)重刷新觸發(fā)信號RTRI發(fā)送重刷新信號FS以重刷新記憶胞陣列230。計時電路222耦接至重刷新信號產(chǎn)生電路221。在自刷新模式啟動時，計時電路222進行計時動作，并依據(jù)比較計時動作的計時結(jié)果以及計時臨界值來產(chǎn)生重刷新觸發(fā)信號RTRI。重刷新計數(shù)電路223耦接計時電路222。重刷新計數(shù)電路223接收并依據(jù)重刷新觸發(fā)信號RTRI以產(chǎn)生計時臨界值控制信號STCTRL以改變計時臨界值。具體來說，當(dāng)重刷新信號產(chǎn)生電路221接收到自刷新啟動信號SREN，重刷新信號產(chǎn)生電路221依據(jù)自刷新啟動信號SREN來啟動自刷新模式。同時，重刷新信號產(chǎn)生電路221在自刷新模式被啟動時，會通過致能信號STEN來啟動計時電路222的計時功能。計時電路222則依據(jù)計時的結(jié)果以及計時臨界值來產(chǎn)生重刷新觸發(fā)信號RTRI。由于在本專利技術(shù)的實施例中，此時必須先執(zhí)行一次性的叢發(fā)式重刷新動作，因此，此時的計時臨界值是一個預(yù)先設(shè)定好，且很小的數(shù)值。也就是說，重刷新觸發(fā)信號RTRI可以很快速的被產(chǎn)生。而重刷新信號產(chǎn)生電路221則可以依據(jù)快速產(chǎn)生的重刷新觸發(fā)信號RTRI來對應(yīng)產(chǎn)生重刷新信號FS以快速的重刷新存儲器陣列230上的每一個字元本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種動態(tài)存儲器的重刷新電路，包括：一控制器，傳送一自刷新啟動信號；以及一重刷新信號產(chǎn)生器，耦接該控制器，依據(jù)該自刷新啟動信號以啟動一自刷新模式，該重刷新信號產(chǎn)生器在該自刷新模式被啟動時，先針對該動態(tài)存儲器的一記憶胞陣列執(zhí)行一叢發(fā)式重刷新動作后，接著再針對該記憶胞陣列執(zhí)行一分配式重刷新動作。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：林哲民，
申請(專利權(quán))人：華邦電子股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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