本發(fā)明專利技術(shù)提供一種在濕制程中利用風(fēng)刀去除器件上的堿性溶液的方法。所述方法包括在將壓縮空氣送入風(fēng)刀之前，處理所述壓縮空氣使其到達(dá)預(yù)設(shè)溫度，其中所述風(fēng)刀向器件排出空氣以有效去除器件上的堿性溶液。本發(fā)明專利技術(shù)還提供相應(yīng)的設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明專利技術(shù)，風(fēng)刀可以在更長的時間保持暢通不堵塞。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及濕制程，更具體地，涉及濕制程中對殘留在器件上的堿性溶液的處理。
技術(shù)介紹
濕制程中，擴(kuò)散前的清洗(下稱前清洗)和擴(kuò)散后的清洗(下稱后清洗)都涉及利用堿性溶液清洗器件。以太陽電池為例，對晶體硅的處理就包括前清洗和后清洗。前清洗的制絨，目的在于去除硅片表面機(jī)械損傷層；清除表面的油污和金屬雜質(zhì)；減少光的反射、增強(qiáng)硅片對太陽光的吸收，提高光生電流密度，從而提高太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。簡單地說，制絨就是利用低濃度堿溶液對晶體硅在不同晶體取向上具有不同腐蝕速率的各向異性腐蝕特性，在硅片表面腐蝕，進(jìn)而形成角錐體密布的表面形貌。經(jīng)過制絨處理的硅片，如不能在其進(jìn)入后續(xù)酸洗工藝之前，將其表面吹干，則一方面會造成化學(xué)品的串槽，另一方面由于堿容易結(jié)晶的物理特性，容易在硅片上形成大量色斑或小白條。同樣地，后清洗過程中，如不能對硅片上的堿性物質(zhì)進(jìn)行較好處理，會出現(xiàn)類似問題。目前，一般是通過風(fēng)刀來吹干硅片上的堿性殘留物。風(fēng)刀一般包括刀管、進(jìn)氣口、以及出氣口。壓縮空氣由進(jìn)氣口進(jìn)入風(fēng)刀管，再由出氣口吹到硅片上，從而吹干殘留在硅片上的堿性溶液。但是，這種常規(guī)的借助壓縮空氣通過風(fēng)刀吹干堿性殘留物的方法，易出現(xiàn)風(fēng)刀堵塞現(xiàn)象。在風(fēng)刀堵塞的情況下，硅片上的堿性殘留物便無法被有效地去除，從而會出現(xiàn)如上所述的化學(xué)品串槽、及硅片上形成大量色斑或白條等情況。
技術(shù)實現(xiàn)思路
為有效解決上述及其它問題，本專利技術(shù)提供一種在濕制程中利用風(fēng)刀去除器件上的堿性溶液的方法，以有效去除太陽電池硅片及其它濕制程處理中器件上的堿性溶液。所述方法包括在將壓縮空氣送入風(fēng)刀之前，處理所述壓縮空氣使其到達(dá)預(yù)設(shè)溫度，其中所述風(fēng) 刀向器件排出空氣。優(yōu)選地，所述方法中，所述壓縮空氣進(jìn)入風(fēng)刀之前，加熱所述壓縮空氣使其到達(dá)預(yù)設(shè)溫度。本專利技術(shù)還提供一種在濕制程中去除器件上的堿性溶液的設(shè)備，所述設(shè)備包括具有風(fēng)刀管和進(jìn)氣接頭的風(fēng)刀，其中，所述設(shè)備還包括在壓縮空氣進(jìn)入風(fēng)刀之前處理所述壓縮空氣使其到達(dá)預(yù)設(shè)溫度的空氣溫度調(diào)節(jié)器。優(yōu)選地，所述設(shè)備中，所述空氣溫度調(diào)節(jié)器為空氣加熱器，以將壓縮空氣加熱到預(yù)設(shè)溫度。優(yōu)選地，所述方法和所述設(shè)備中，預(yù)設(shè)溫度在40° C到50° C之間；更優(yōu)選為45。C。優(yōu)選地，所述方法和所述設(shè)備中，所述器件為晶片、電子電路器件；其中，所述晶片優(yōu)選為娃片。與常規(guī)技術(shù)相比，使用本專利技術(shù)所述的方法和/或利用本專利技術(shù)所述的設(shè)備，可使風(fēng)刀的暢通狀態(tài)保持更多時間。附圖說明圖I是根據(jù)本專利技術(shù)所述的用于在濕制程中去除器件上的堿性溶液的設(shè)備的示意圖。具體實施例方式以下結(jié)合具體實施方式來闡述本專利技術(shù)，需要說明的是，以下實施方式及任何示例都是示意性而非限制性的。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解到，結(jié)合本專利技術(shù)的以下描述，可對本專利技術(shù)所述的絲網(wǎng)印刷設(shè)備進(jìn)行修改和變形，而不脫離本專利技術(shù)的精神與范圍。圖I是根據(jù)本專利技術(shù)所述的設(shè)備的示意圖，該設(shè)備用于在濕制程中去除器件上的堿性溶液。如圖所示，該設(shè)備包括空氣溫度調(diào)節(jié)器20，風(fēng)刀10，以及連接空氣溫度調(diào)節(jié)器20與風(fēng)刀10的管路201。空氣溫度調(diào)節(jié)器20接收傳送來的壓縮空氣，并對其進(jìn)行處理，以使·其溫度為預(yù)設(shè)溫度。之后，空氣溫度調(diào)節(jié)器20通過管路201將預(yù)設(shè)溫度的壓縮空氣送入風(fēng)刀10，其中，管路201通過風(fēng)刀10的進(jìn)氣口(未圖示)與風(fēng)刀管(未圖示)接通。風(fēng)刀10將隨后將空氣吹向器件，以將器件上的堿性溶液吹干。在此，所述器件可以是晶片，例如硅片；也可以是電子器件，例如印刷電路板等。該預(yù)設(shè)溫度優(yōu)選在40° C到50° C之間，更優(yōu)選為45° C。本例中，該第一溫度可為常規(guī)技術(shù)中壓縮空氣的溫度，例如17° C，也可以是其它溫度。在壓縮空氣的溫度低于預(yù)設(shè)溫度的情況下，將空氣從第一溫度加熱到預(yù)設(shè)溫度，如此，空氣溫度調(diào)節(jié)器20可以是空氣加熱器。在不使用本專利技術(shù)所述的設(shè)備的情況下，將例如17° C的壓縮空氣直接輸送到風(fēng)刀，則風(fēng)刀12小時左右就會發(fā)生堵塞現(xiàn)象；相比之下，使用本專利技術(shù)所述的設(shè)備，壓縮空氣從17° C被加熱到例如45° C，再輸送到風(fēng)刀，便可使輸送壓縮空氣的風(fēng)刀168小時保持暢通而不堵塞。風(fēng)刀10例如可以是本申請人所申請的名稱為“用于太陽電池濕制程中的風(fēng)刀、風(fēng)刀組及設(shè)備”、專利授權(quán)公告號為CN201832809U中所公開的風(fēng)刀，在此，以參考引用的方式將該申請并入本申請。風(fēng)刀10也可以例如為授權(quán)公告號為CN2913995Y中所公開的風(fēng)刀。本專利技術(shù)所提供的在濕制程中利用風(fēng)刀去除器件上的堿性溶液的方法，可應(yīng)用于如圖I所示意的設(shè)備，但不以此為限。該方法包括對壓縮空氣進(jìn)行處理，使其從第一溫度到達(dá)預(yù)設(shè)溫度；其中該第一溫度可以是常規(guī)技術(shù)中壓縮空氣的溫度，如17° C，也可以是其它溫度。隨后，溫度被處理到預(yù)設(shè)溫度的壓縮空氣被送入風(fēng)刀，由風(fēng)刀面向器件排出，從而吹干器件上的堿性溶液。根據(jù)本專利技術(shù)，所述器件可以是晶片，例如硅片；也可以是電子器件，例如印刷電路板等。而優(yōu)選地，預(yù)設(shè)溫度在40° C到50° C之間，更優(yōu)選地，預(yù)設(shè)溫度為45° C。在對壓縮空氣進(jìn)行處理使其溫度達(dá)到預(yù)設(shè)溫度的過程中，如果壓縮空氣的第一溫度低于預(yù)設(shè)溫度(例如為如上所述的17° C)，則對加熱該壓縮空氣使其到達(dá)預(yù)設(shè)溫度；反之則降低該壓縮空氣的溫度使其到達(dá)預(yù)設(shè)溫度。權(quán)利要求1.一種在濕制程中利用風(fēng)刀去除器件上的堿性溶液的方法，所述方法包括將壓縮空氣送入風(fēng)刀，由風(fēng)刀向器件排出空氣，其特征在于，在所述壓縮空氣進(jìn)入風(fēng)刀之前，處理所述壓縮空氣使其到達(dá)預(yù)設(shè)溫度。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)溫度在40°C到50° C之間。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)溫度為45°C。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述器件為晶片、電子電路器件。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述晶片為硅片。6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在所述壓縮空氣進(jìn)入風(fēng)刀之前，加熱所述壓縮空氣使其到達(dá)預(yù)設(shè)溫度。7.—種在濕制程中去除器件上的堿性溶液的設(shè)備，所述設(shè)備包括具有風(fēng)刀管和進(jìn)氣接頭的風(fēng)刀，其特征在于，所述設(shè)備還包括在壓縮空氣進(jìn)入風(fēng)刀之前處理所述壓縮空氣使其到達(dá)預(yù)設(shè)溫度的空氣溫度調(diào)節(jié)器。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其特征在于，所述預(yù)設(shè)溫度在40°C到50° C之間。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，所述預(yù)設(shè)溫度為45°C。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其特征在于，所述器件為晶片、電子電路器件。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于，所述晶片為硅片。12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其特征在于，所述空氣溫度調(diào)節(jié)器為空氣加熱器。全文摘要本專利技術(shù)提供一種在濕制程中利用風(fēng)刀去除器件上的堿性溶液的方法。所述方法包括在將壓縮空氣送入風(fēng)刀之前，處理所述壓縮空氣使其到達(dá)預(yù)設(shè)溫度，其中所述風(fēng)刀向器件排出空氣以有效去除器件上的堿性溶液。本專利技術(shù)還提供相應(yīng)的設(shè)備。根據(jù)本專利技術(shù)，風(fēng)刀可以在更長的時間保持暢通不堵塞。文檔編號F26B21/00GK102954676SQ201110246139公開日2013年3月6日 申請日期2011年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月25日專利技術(shù)者高琦, 蔡淘璞, 唐偉榮, 趙玉林 申請人:無錫尚德太陽能電力有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
一種在濕制程中利用風(fēng)刀去除器件上的堿性溶液的方法，所述方法包括將壓縮空氣送入風(fēng)刀，由風(fēng)刀向器件排出空氣，其特征在于，在所述壓縮空氣進(jìn)入風(fēng)刀之前，處理所述壓縮空氣使其到達(dá)預(yù)設(shè)溫度。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：高琦，蔡淘璞，唐偉榮，趙玉林，
申請(專利權(quán))人：無錫尚德太陽能電力有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。