本發明專利技術屬于光電發光薄膜領域，其公開了一種銪摻雜釩酸鍶發光薄膜及其制備方法、有機電致發光器件；該發光薄膜的化學通式為Sr3-x(VO4)2:xEu3+；其中，Sr3-x(VO4)2為基質，Eu為摻雜元素；x的取值范圍為0.005～0.015。本發明專利技術采用磁控濺射設備，制備銪摻雜釩酸鍶發光薄膜，在6520nm藍光區有較強的發光帶，610nm位置有很強的紅色發光峰。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及光電發光薄膜領域，尤其涉及一種銪摻雜釩酸鍶發光薄膜及其制備方法。本專利技術還涉及一種使用該銪摻雜釩酸鍶發光薄膜作為發光層的有機電致發光器件。
技術介紹
薄膜電致發光顯示器(TFELD)由于其主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優點，已引起了廣泛的關注，且發展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發多波段發光的材料，是該課題的發展方向。銪激活的釩酸釔熒光粉是一種優良的紅色熒光材料，已經廣泛用于高壓汞燈、DPD·顯示等等生產。本著減少稀土元素的使用理念，釩酸鋇BaVO4、釩酸鍶SrVO4類的熒光也是近來研究的熱門材料，但目前利用摻雜釩酸鹽制備成電致發光的薄膜，仍鮮見報道。
技術實現思路
本專利技術目的在于提供一種以釩酸鍶為基質、銪元素為主要發光中心的銪摻雜釩酸鍶發光薄膜。本專利技術的銪摻雜釩酸鍶發光薄膜，其化學通式為Sr3 (VO4) 2: XEu3+ ;其中，Sr3_x (VO4) 2為基質，Eu (銪)為摻雜元素；x的取值范圍為0. 005 0. 015，X優選0. 01。本專利技術的另一專利技術目的在于提供上述銪摻雜釩酸鍶發光薄膜的制備方法，其制備工藝如下步驟SI、靶材的制備按照質量百分比55 70%、0. 008 0. 023%,29. 992 44. 977%,分別稱取Sr0、Eu203和V2O5粉體，經過研磨混合均勻后，在900 1300°C下燒結，制成祀材；步驟S2、將步驟SI中的靶材和襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至I. OX 10_3Pa I. OX 10_5Pa，優選真空度為5. OX 10_4pa ；步驟S3、調整磁控濺射鍍膜工藝參數為基靶間距為45 95mm，優選60mm ;襯底溫度為250°C 750°C，優選500°C ;氬氣工作氣體的氣體流量10 35sccm，優選25sccm ；磁控濺射工作壓強0. 2 4Pa，優選2. OPa ;工藝參數調整完后，接著進行制膜，得到薄膜樣品;步驟S4、將步驟S3得到的薄膜樣品置于真空爐中，于500 800°C (優選600°C )、真空狀態下(即O.OlPa)退火處理I 3h (優選2h)，得到化學通式為Sivx (VO4)2:xEu3+的所述銪摻雜釩酸鍶發光薄膜；其中，Sivx(VO4)2為基質，Eu為摻雜元素，X的取值范圍為0. 005 0. 015。上述制備法中，步驟SI中，當Sr0、Eu203和V2O5粉體的質量百分比分別為63%、0.015%和36. 985%時，相應地，步驟S4中，x的取值為0. 01。本專利技術的又一目的在于提供一種有機電致發光器件，該器件為復合層狀結構，該復合層狀結構依次為襯底、陽極層、發光層以及陰極層；其中，發光層為銪摻雜釩酸鍶發光薄膜(該發光薄膜的化學通式為Sr3_x(VO4)2:xEu3+ ;其中，Sr3_x(V04)2為基質，Eu為摻雜元素，X的取值范圍為0. 005 0. 015 ；x優選0. 01);襯底為玻璃，陽極層為IT0，陰極層為Ag層，Ag層采用蒸鍍工藝制備在薄膜表面。本專利技術采用磁控濺射設備，制備銪摻雜釩酸鍶發光薄膜，得到薄膜的電致發光光譜(EL)中，在520nm藍光區有較強的發光帶，610nm位置有很強的紅色發光峰。。附圖說明圖I為本專利技術銪摻雜釩酸鍶發光薄膜的制備工藝流程圖；圖2是本專利技術有機電致發光器件的結構示意圖；圖3為實施例I制得的銪摻雜釩酸鍶發光薄膜的XRD圖；圖4是實施例I得到銪摻雜釩酸鍶發光薄膜的電致發光光譜。·具體實施例方式本專利技術提供的一種銪摻雜釩酸鍶發光薄膜，該銪摻雜釩酸鍶發光薄膜包含薄膜通式為Sr3_x(VO4)2:xEu3+ ;其中，Sivx(VO4)2為基質，Eu為摻雜元素；x的取值范圍為0. 005 0.015，X 優選 0.01。上述銪摻雜釩酸鍶發光薄膜制備方法，如圖I所示，其制備工藝如下步驟SI、靶材的制備按照質量百分比55 70%、0. 008 0. 023%,29. 992 44. 977%,分別稱取SrO、Eu2O3和V2O5粉體，經過研磨混合均勻后，在900 1300°C (優選1250°C)下燒結，自然冷卻，得到靶材樣品，將靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的靶材；步驟S2、將步驟SI中的靶材和襯底(如，玻璃)裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽至I. OX 10_3Pa I. OX 10_5Pa，優選5. OX 10_4pa ；步驟S3、調整磁控濺射鍍膜工藝參數為基靶間距為45 95mm，優選60mm ;襯底溫度為250°C 750°C，優選500°C ;氬氣工作氣體的氣體流量10 35sccm，優選25sccm ；磁控濺射工作壓強0. 2 4Pa，優選2. OPa ;工藝參數調整完畢后，接著進行制膜，得到薄膜樣品；步驟S4、將步驟S3得到的薄膜樣品置于真空爐中，于500 800°C (優選600°C )、真空狀態下(即O.OlPa)退火處理I 3h (優選2h)，得到化學通式為Sivx (VO4)2:xEu3+的所述銪摻雜釩酸鍶發光薄膜；其中，Sivx(VO4)2為基質，Eu為摻雜元素，X的取值范圍為0. 005 0. 015。上述制備法中，步驟SI中，當SrO、Eu2O3和V2O5粉體的質量百分比分別為63%、0.015%和36. 985%時，相應地，步驟S4中，x的取值為0. 01。本專利技術還提供一種有機電致發光器件，如圖2所示，該有機電致發光器件包括依次層疊的襯底I、陽極層2、發光層3以及陰極層4 ;其中，襯底I為玻璃，陽極層為ITO層，兩者合在一起即為ITO玻璃，可以購買獲得；發光層3為銪摻雜釩酸鍶發光薄膜層(該發光薄膜的化學通式為Sr3_x(VO4)2:xEu3+ ;其中，Sr3_x(V04)2為基質，Eu為摻雜元素，x的取值范圍為0. 005 0. 015 ；x優選0. 01)，陰極層4為Ag層，Ag層采用蒸鍍工藝制備在銪摻雜釩酸鍶發光薄膜層表面。本專利技術采用磁控濺射設備，制備銪摻雜釩酸鍶發光薄膜，得到薄膜的電致發光光譜(EL)中，在520nm藍光區有較強的發光帶，610nm位置有很強的紅色發光峰。下面結合附圖，對本專利技術的較佳實施例作進一步詳細說明。實施例II、按照質量百分比，稱取粉體SrO占總量的63%、Eu203占總量的0. 015%,V2O5占總量的36. 985% ;這些粉體經過研磨混合均勻后，在1250°C下燒結，自然冷卻，得到靶材樣品，將靶材樣品切割成直徑為50mm、厚度為2mm的靶材；2、將靶材裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體內；3、先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，并對其進行氧等離子處理，完后放入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體內；其中，靶材和玻璃的基靶間距設定為60mm ；·4、用機械泵和分子泵把磁控濺射鍍膜設備的真空腔體的真空度抽到5. 0Xl(r4pa ；5、調整磁控濺射鍍膜工藝參數氬氣工作氣體流量為25SCCm ;磁控濺射工作壓強為2. OPa ;襯底溫度為500°C ;接著進行制膜，得到的薄膜樣品；6、將薄膜樣品在0. OlPa真空爐中退火2h，退火溫度為600°C，得到銪摻雜釩酸鍶發光薄膜，即 S本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種銪摻雜釩酸鍶發光薄膜，其特征在于，該發光薄膜的化學通式為Sr3?x(VO4)2:xEu3+；其中，Sr3?x(VO4)2為基質，Eu為摻雜元素，x的取值范圍為0.005～0.015。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：周明杰，王平，陳吉星，黃輝，
申請(專利權)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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