【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及ー種。
技術介紹
用于采用光刻エ藝的半導體微加工的光致抗蝕劑組合物包含具有酸不穩(wěn)定基團的樹脂和酸生成劑。US2008/166660A提到了包含具有酸不穩(wěn)定基團和由式(I)表示的結(jié)構單元的樹脂的光致抗蝕劑組合物；權利要求1.一種光致抗蝕劑組合物，所述光致抗蝕劑組合物包含由式(I)表示的鹽2.根據(jù)權利要求I或2所述的光致抗蝕劑組合物，其中X2表示單鍵、亞甲基或1，2-亞乙基。3.根據(jù)權利要求I或2所述的光致抗蝕劑組合物，其中X2表示單鍵。4.根據(jù)權利要求I或2所述的光致抗蝕劑組合物，其中X1表示羰基或單鍵。5.根據(jù)權利要求I或2所述的光致抗蝕劑組合物，其中X1表示羰基。6.根據(jù)權利要求I或2所述的光致抗蝕劑組合物，其中R3表示甲基或氫原子。7.根據(jù)權利要求I或2所述的光致抗蝕劑組合物，其中R3表示甲基。8.根據(jù)權利要求I或2所述的光致抗蝕劑組合物，其中A1表示可以具有取代基的C3-C30脂環(huán)烴基，并且其中亞甲基可以被氧原子、磺酰基或羰基代替。9.根據(jù)權利要求I或2所述的光致抗蝕劑組合物，其中Z+是由式(b2-l-l)表示的有機陽離子10.根據(jù)權利要求9所述的光致抗蝕劑組合物，其中Rbl9、Rb20和Rb21是甲基，并且V2、w2和x2各自獨立地表示0或I。11.根據(jù)權利要求I或2所述的光致抗蝕劑組合物，所述光致抗蝕劑組合物還包含具有由式(FI)表示的結(jié)構單元的樹脂12.一種用于制備光致抗蝕劑圖案的方法，所述方法包括步驟(I)至(5) (1)將根據(jù)權利要求I或2所述的光致抗蝕劑組合物涂敷在基板上的步驟， (2)通過進行干燥而形成光致抗蝕劑膜的...
【技術保護點】
一種光致抗蝕劑組合物，所述光致抗蝕劑組合物包含由式(I)表示的鹽：其中Q1和Q2各自獨立地表示氟原子或C1?C6全氟烷基，R1、R2和R3各自獨立地表示氫原子或C1?C10一價脂族飽和烴基，X1和X2各自獨立地表示單鍵、羰基或C1?C10二價脂族飽和烴基，其中氫原子可以被羥基代替，并且其中亞甲基可以被氧原子、磺酰基或羰基代替，A1表示C1?C30有機基團，ml表示1至4的整數(shù)，并且Z+表示有機陽離子；以及樹脂，所述樹脂難溶或不溶于堿性水溶液但是通過酸的作用可溶于堿性水溶液。FDA00001987671600011.jpg
【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：增山達郎，向井優(yōu)一，
申請(專利權)人：住友化學株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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