一種利于鋼化處理的高透單銀低輻射玻璃，包括玻璃基材，其特征在于：還包括由下而上依次設于玻璃基材上表面的一TiO2介質層、一NbOx折射層、一CrNx阻擋層、一AZO平整層、一降輻射鍍Ag層、一CrNxOy膜層、一SnO2保護層、以及一C膜層。本發明專利技術可簡化鋼化工藝，利于鋼化處理而又不影響光學性能。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種利于鋼化處理的高透單銀低輻射玻璃。
技術介紹
現有的玻璃，在鍍相關功能膜后、鋼化處理前，通常會粘貼一 PE保護膜或直接撒隔離粉。在鋼化處理時，再去掉PE保護膜或隔離粉，工藝復雜，故有必要對現有產品作出改進，以提供一種可簡化鋼化處理工藝的高透單銀低輻射玻璃。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種利于鋼化處理的高透單銀低輻射玻璃，其可簡化鋼化工藝，利于鋼化處理而又不影響光學性能。一種利于鋼化處理的高透單銀低輻射玻璃，包括玻璃基材，其特征在于還包括由下而上依次設于玻璃基材上表面的一 TiO2介質層、一 NbOx折射層、一 CrNx阻擋層、一 AZO平整層、一降福射鍍Ag層、一 CrNxOy膜層、一 SnO2保護層、以及一 C膜層。作為上述方案的一種改進，所述TiO2介質層的厚度為l(T30nm。作為上述方案的進一步改進，所述NbOx折射層的厚度為5 10nm。作為上述方案的進一步改進，所述CrNJ且擋層的厚度為0. 5 3nm。防止Ag被氧化。作為上述方案的進一步改進，所述AZO平整層的厚度為5 20nm。平滑所述CrNx阻擋層，為Ag層作鋪墊，降低輻射率。作為上述方案的進一步改進，所述降輻射鍍Ag層的厚度為疒10nm，可大大降低紅外輻射。作為上述方案的進一步改進，所述CrNxOy膜層的厚度為0. 5飛nm。可提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時抗高溫氧化性。作為上述方案的進一步改進，所述SnO2保護層的厚度為2(T50nm。耐腐蝕性好。作為上述方案的進一步改進，所述C膜層的厚度為l(T20nm。本專利技術具有如下優點本專利技術于最外層設有C膜層，在鋼化處理前，該C膜層可以防止鍍膜玻璃被劃傷，而在鋼化過程中又會被完全燃燒，從而不影響鍍膜玻璃的光學性能，鋼化后其透光率達83%，輻射率小于0. 08。與傳統相比，無需粘貼PE保護膜或撒隔離粉，在鋼化處理時，可省去撕掉PE保護膜或去掉隔離粉的工藝，可簡化鋼化工藝，利于鋼化處理而又不影響光學性能。附圖說明圖I為本專利技術結構剖視圖。具體實施例方式如圖所示，一種利于鋼化處理的高透單銀低輻射玻璃，包括玻璃基材I、以及由下而上依次設于玻璃基材I上表面的一 TiO2介質層2、一 NbOx折射層3、一 CrNx阻擋層4、一AZO平整層5、一降福射鍍Ag層6、一 CrNxOy膜層7、一 SnO2保護層8和一 C膜層9。所述TiO2介質層2的厚度為l(T30nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶，用氧氣作反應氣體，將靶材上的材料打到玻璃基材表面，最終形成TiO2介質層。所述NbOx折射層3的厚度為5 10nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源濺射陶瓷鈮靶，最終在TiO2介質層表面形成NbOx折射層。所述CrNx阻擋層4的厚度為0. 5 3nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射鉻靶，用氮氣作反應氣體，最終在NbOx折射層表面形成CrNx阻擋層，防止Ag被氧化。所述AZO平整層5的厚度為5 20nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn (AZO)祀，最終在CrNx阻擋層表面形成AZO平整層，為Ag層作鋪墊，降低輻射率。所述降輻射鍍Ag層6的厚度為7 10nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射銀靶，最終在AZO平整層表面形成降輻射鍍Ag層。所述CrNxOy膜層7的厚度為0. 5飛nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電源濺射鉻靶，用氮氣做反應氣體，滲少量氧氣，最終在降輻射鍍Ag層表面形成CrNxOy膜層，可提高膜層耐磨性、提高透光率、提高鋼化時抗高溫氧化性。所述SnO2保護層8的厚度為2(T50nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用交流中頻電源濺射錫靶，用氧氣作反應氣體，最終在CrNxOy膜層表面形成SnO2保護層，耐腐蝕性好。所述C膜層9的厚度為l(T20nm。其采用磁控濺射鍍膜工藝，用直流電流濺射石墨靶，最終在SnO2保護層表面形成C膜層。在鋼化處理前，該C膜層可以防止鍍膜玻璃被劃傷，而在鋼化過程中又會被完全燃燒，從而不影響鍍膜玻璃的光學性能。以上所述僅為本專利技術的較佳實施例，并非用來限定本專利技術實施的范圍，凡依本專利技術專利范圍所做的同等變化與修飾，皆落入本專利技術專利涵蓋的范圍。權利要求1.一種利于鋼化處理的高透單銀低輻射玻璃，包括玻璃基材，其特征在于還包括由下而上依次設于玻璃基材上表面的一 TiO2介質層、一 NbOx折射層、一 CrNx阻擋層、一 AZO平整層、一降福射鍍Ag層、一 CrNxOy膜層、一 SnO2保護層、以及一 C膜層。2.根據權利要求I所述的一種利于鋼化處理的高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述TiO2介質層的厚度為10 30nm。3.根據權利要求I所述的一種利于鋼化處理的高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述NbOx折射層的厚度為5 10nm。4.根據權利要求I所述的一種利于鋼化處理的高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述CrNx阻擋層的厚度為O. 5 3nm。5.根據權利要求I所述的一種利于鋼化處理的高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述AZO平整層的厚度為5 20nm。6.根據權利要求I所述的一種利于鋼化處理的高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述降輻射鍍Ag層的厚度為7 10nm。7.根據權利要求I所述的一種利于鋼化處理的高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述CrNxOy膜層的厚度為O. 5 5nm。8.根據權利要求I所述的一種利于鋼化處理的高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述SnO2保護層的厚度為2(T50nm。9.根據權利要求I所述的一種利于鋼化處理的高透單銀低輻射玻璃，其特征在于所述C膜層的厚度為l(T20nm。全文摘要一種利于鋼化處理的高透單銀低輻射玻璃，包括玻璃基材，其特征在于還包括由下而上依次設于玻璃基材上表面的一TiO2介質層、一NbOx折射層、一CrNx阻擋層、一AZO平整層、一降輻射鍍Ag層、一CrNxOy膜層、一SnO2保護層、以及一C膜層。本專利技術可簡化鋼化工藝，利于鋼化處理而又不影響光學性能。文檔編號C03C17/36GK102951855SQ201210487399公開日2013年3月6日 申請日期2012年11月26日 優先權日2012年11月26日專利技術者楊柳, 劉昕 申請人:中山市創科科研技術服務有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種利于鋼化處理的高透單銀低輻射玻璃，包括玻璃基材，其特征在于：還包括由下而上依次設于玻璃基材上表面的一TiO2介質層、一NbOx折射層、一CrNx阻擋層、一AZO平整層、一降輻射鍍Ag層、一CrNxOy膜層、一SnO2保護層、以及一C膜層。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊柳，劉昕，
申請(專利權)人：中山市創科科研技術服務有限公司，
類型：發明
國別省市：
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