涂覆玻璃基板的設(shè)備及方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及使用一種或多種液態(tài)原材料涂覆基板（15）的設(shè)備和方法，包括：至少一個(gè)霧化器（2），用于將一種或多種液態(tài)原材料霧化成微滴（3）；充電部件（4；32），用于在霧化期間或霧化之后對(duì)微滴（3）電性充電；以及沉積腔室（16），在所述沉積腔室（16）中微滴（3）沉積在基板（15）上，沉積腔室（16）設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)電場(chǎng)，用于將電性充電的微滴（3）引導(dǎo)到基板（15）上。根據(jù)本發(fā)明專利技術(shù)，設(shè)置有這樣的充電腔室（1），所述充電腔室布置在所述沉積腔室（16）的上游，并且設(shè)置有用于對(duì)該微滴（3）電性充電的充電部件（4）。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及一種涂覆玻璃基板的設(shè)備，且更具體地涉及根據(jù)權(quán)利要求I的前序部分所述的設(shè)備。本專利技術(shù)進(jìn)一步涉及一種涂覆玻璃基板的方法，具體地涉及根據(jù)權(quán)利要求18的前序部分所述的方法。
技術(shù)介紹
眾所周知的是，通過將液態(tài)起始材料霧化為微滴并且將形成的微滴引導(dǎo)到待涂覆的玻璃的表面上來生產(chǎn)涂層，能夠使用液態(tài)起始材料涂覆玻璃。換句話說，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，微滴是以液態(tài)微滴的形式被帶至待涂覆的基板表面，由此在基板表面上形成涂層，使得被帶至表面上的微滴先被熱解或微滴的可蒸發(fā)物質(zhì)被蒸發(fā)，以在基板表面形成涂層。另一種現(xiàn)有技術(shù)的用于在玻璃基板上形成涂層的方法使用氣相沉積法，其中，液態(tài)起始材料先被·霧化成液態(tài)微滴，而液態(tài)微滴更進(jìn)一步被蒸發(fā)，使得蒸發(fā)的起始材料與玻璃表面發(fā)生反應(yīng)或者相互發(fā)生反應(yīng)，以在玻璃表面上形成涂層。上述現(xiàn)有技術(shù)的涂覆處理的問題在于，由于難以控制所形成的液態(tài)微滴的分布，所以所生成的涂層是不均勻的。換句話說，所生成的涂層的均勻度將取決于微滴在玻璃基板上沉積的均勻度或微滴在被蒸發(fā)時(shí)的均勻度。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種涂覆玻璃基板的設(shè)備及一種涂覆玻璃基板的方法，以克服前述問題。本專利技術(shù)的目的通過根據(jù)權(quán)利要求I的特征部分所述的用于涂覆玻璃基板的設(shè)備實(shí)現(xiàn)。本專利技術(shù)的目的進(jìn)一步通過根據(jù)權(quán)利要求18的特征部分所述的用于涂覆玻璃基板的方法實(shí)現(xiàn)。從屬權(quán)利要求中公開了本專利技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施例。本專利技術(shù)是基于以下想法利用一種或多種液態(tài)原材料，通過首先利用一個(gè)或多個(gè)霧化器將一種或多種液態(tài)原材料霧化成微滴，然后在霧化期間或霧化之后對(duì)微滴電性充電，以涂覆玻璃基板。根據(jù)本專利技術(shù)，微滴是在引導(dǎo)微滴進(jìn)入沉積腔室以涂覆玻璃基板之前在單獨(dú)的充電腔室中被充電。充電腔室設(shè)置在沉積腔室上游，且電性充電的微滴從充電腔室被引導(dǎo)至沉積腔室，在沉積腔室中，利用一個(gè)或多個(gè)電場(chǎng)將電性充電的微滴朝向玻璃基板引導(dǎo)。本專利技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于，由于電性充電的微滴的電荷傾向于使電性充電的微滴彼此排斥，所以在單獨(dú)的充電腔室中微滴的分布是均勻的。因此，微滴的電荷在充電的微滴之間提供了排斥力，使得微滴的分布傾向于變?yōu)榫鶆虻?。?dāng)充電的微滴從充電腔室被引導(dǎo)至沉積腔室時(shí)，單獨(dú)的充電腔室也為微滴分布變得均勻的時(shí)間。本專利技術(shù)同樣具有下列優(yōu)點(diǎn)沉積腔室可設(shè)置有沿著微滴的運(yùn)動(dòng)方向相鄰地和/或相繼地布置的兩個(gè)或更多個(gè)電場(chǎng)，且至少某些電場(chǎng)可以具有用于調(diào)整電性充電的微滴在沉積腔室中的分布的不同的電場(chǎng)強(qiáng)度。附圖說明在下文中，將參照附圖通過優(yōu)選實(shí)施例更詳細(xì)地描述本專利技術(shù)。圖I示意性地示出了本專利技術(shù)的第一實(shí)施例；圖2示意性地示出了本專利技術(shù)的第二實(shí)施例；圖3示意性地示出了本專利技術(shù)的第三實(shí)施例；圖4示意性地示出了本專利技術(shù)的第四實(shí)施例；圖5示意性地示出了本專利技術(shù)的沉積腔室的一個(gè)實(shí)施例；以及圖6A和圖6B示意性地示出了本專利技術(shù)的充電腔室的一個(gè)實(shí)施例。 具體實(shí)施例方式圖I大體上示出了本專利技術(shù)的第一實(shí)施例，其中在涂覆設(shè)備中，在玻璃基板15上形成涂層。典型尺寸為1100mm x 1400mm的平板玻璃基板15由右往左移動(dòng)。玻璃基板15先進(jìn)入包括加熱器25的加熱爐24。加熱器25可以使輻射式的、對(duì)流式的或類似形式的。在加熱爐24中，玻璃基板15被加熱至高于玻璃基板15的退火點(diǎn)(退火溫度)的溫度。退火點(diǎn)取決于玻璃基板15的成分,對(duì)于鈉I丐玻璃(soda-limeglass)而言為約500°C,而對(duì)于石英玻璃(fused silica)而言約為110(TC。然后，玻璃基板15進(jìn)入涂覆單元26，在涂覆單元26中，微滴3沉積在玻璃基板15上，或在沉積腔室16中被朝向玻璃基板15引導(dǎo)。氣浮裝置27通過氣體噴吹動(dòng)作使玻璃基板15浮起，該氣體通過導(dǎo)管28供應(yīng)。微滴3通過雙流體霧化器2形成。前體液體通過導(dǎo)管29供應(yīng)至霧化器2，而霧化氣體通過導(dǎo)管31供應(yīng)至霧化器2。霧化氣體通過電暈充電電極32，電源35向所述電極32供應(yīng)高電壓。電暈充電電極32通過電絕緣器36與涂覆單元26的外殼分離，反電極37優(yōu)選地形成充電噴嘴的一部分，其表面形成噴嘴的內(nèi)壁。當(dāng)霧化氣體流經(jīng)電暈充電電極32時(shí)，霧化氣體被電性充電。電暈充電使得能夠同時(shí)獲得高電荷密度、均勻充電電場(chǎng)及最小化的故障發(fā)生率。此外，電暈充電使得能夠通過同一設(shè)備產(chǎn)生正電性微滴和負(fù)電性微滴。在霧化器2中，有利地使用非常高的霧化氣體流速，所述流速有利地是50m/s至音速。高的氣體流速具有若干優(yōu)點(diǎn)。首先，從充電的觀點(diǎn)來看，這是非常有利的，因?yàn)?，舉例來說，產(chǎn)生的離子快速地從電暈附近離開。離子引起的空間充電的排出減小了電場(chǎng)，從而消弱了放電和電暈電極32周圍的電賦能，并且由此也削弱了所需的電暈電壓。舉例來說，通過導(dǎo)管31供應(yīng)作為霧化氣體的氮?dú)庖源笾聻?50m/s的流速流經(jīng)電暈電極32，可使用約5kV作為電暈電極32的充電電壓。其次，高的流速減少了離子損失至霧化器2周圍，其中帶電氣體在霧化器2內(nèi)的停留時(shí)間為lm/s或更小。第三，霧化器2的出口噴嘴處高的流速減小了微滴的尺寸。圖2大體上示出了本專利技術(shù)的第二實(shí)施例，其中，玻璃的加熱、移動(dòng)及涂覆以與圖I所示的先前的實(shí)施例相同的方式進(jìn)行。另外，第二電暈充電電極33用于對(duì)氣浮裝置27中的空氣進(jìn)行充電，該第二電暈電極33設(shè)置有第二電絕緣器34和第二反電極39。圖2示出了第二電暈電極33使用與第一電暈電極32相同的電源35的實(shí)施例。然而，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說顯而易見的是，也可以使用具有不同電壓的另一個(gè)電源。本專利技術(shù)的重點(diǎn)在于，支撐玻璃基板15的氣體以與被充電的微滴3相同的極性對(duì)玻璃基板15的底表面進(jìn)行充電。相同極性的電荷所產(chǎn)生的排斥力使得更少的涂層形成在玻璃基板15的底表面上。明顯的是，也可以只對(duì)玻璃基板15上的有限的區(qū)域進(jìn)行充電。圖3大體上示出了本專利技術(shù)的第三實(shí)施例，其中，通過以與微滴3的電荷極性相反的極性對(duì)玻璃基板15的頂表面充電，增強(qiáng)用于微滴沉積和引導(dǎo)的靜電力。優(yōu)選地，這個(gè)充電是利用第三電暈電極41對(duì)通過導(dǎo)管40的空氣進(jìn)行充電而實(shí)現(xiàn)的。第三電暈電極41設(shè)置有第三電絕緣器42和第三反電極43。如圖3中所示，第三電暈電極41的極性與第一電暈電極32相反。圖3不出了第三電暈電極41與第一電暈電極32使用同一電源35的實(shí)施例。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，也可以使用具有不同電壓的另一個(gè)電源。圖4大體上示出了本專利技術(shù)的第四實(shí)施例，其中，使用單獨(dú)的電場(chǎng)增強(qiáng)帶電微滴3的沉積或引導(dǎo)。微滴3的充電方式類似于第一實(shí)施例中描述的充電方式。高速的微滴3進(jìn)入在第一電極44和第二電極之間的電場(chǎng)，其中，所述第一電極44通過第四電絕緣器45與涂覆單元26的外殼分離，且連接至第三電源46的第一輸出，所述第二電極在這種情況下通過將空氣支撐裝置27連接至第三電源46的另一輸出且通過第四電絕緣器47使空氣支撐裝 置28與涂覆單元26的外殼電性絕緣而形成。對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言顯而易見的是，第三電源46的第三輸出也可以連接至涂覆單元26的各種其它部件，例如，單獨(dú)的第二電極或連接至一個(gè)或多個(gè)輥38 (與設(shè)備的其它部件電性絕緣)，所述輥38繼而將第三電源46的第二輸出連接至與輥接觸的玻璃基板15。電暈放電電極及其反電極可以以前述實(shí)施例中未描述的各種不同的方式定位。例如，可以將反電極連接至玻璃基板，連接至形成在玻璃基板上的涂層，或連接本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來華專利技術(shù)】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：S·考皮寧，M·拉賈拉，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：BENEQ有限公司，
類型：
國(guó)別省市：