本發明專利技術公開了一種功率型LED光源的COB封裝結構，包括至少一組由多個LED芯片組成的串聯組；所述LED芯片下方設置有散熱板，該散熱板上設置有多個凹槽狀的光反射腔，每個LED芯片固定在一個所述光反射腔內，所述LED芯片為雙電極LED芯片。將LED芯片與散熱板直接接觸，使導熱路徑縮短至最短，從而達到良好的散熱效果；采用雙電極LED芯片，將一個LED芯片正電極與另一個LED芯片的負電極串聯，以保證LED芯片之間不因金屬散熱板而短路且使得LED芯片與散熱片直接接觸，解決了散熱與絕緣之間的矛盾；在散熱板上設置多個光反射腔，將LED芯片安裝在光反射腔內，使LED芯片的底面以及側面光投射出后，經光反射腔反射而出，進而更好地達到提高光效率的效果。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種照明領域的LED光源結構，尤其是一種功率型LED光源的COB封裝結構。
技術介紹
半導體發光二極管簡稱LED，從上世紀六十年代研制出來并逐步走向市場化，其封裝技術也是不斷改進和發展。LED由最早用玻璃管封裝發展至支架式環氧封裝和表面貼裝式封裝，使得小功率LED獲得廣泛的應用。由于LED外延、芯片技術上的突破，使超高亮的LED既能發射可見光波長的光，可組合各種顏色和白光，又在器件輸入功率上有很大提高。目前，大功率LED也已推出，并逐步走向市場。這使得超高亮度LED的應用面不斷擴大，首 先進入特種照明的市場領域，并向普通照明市場邁進。由于LED芯片輸入功率的不斷提高，對這些功率型LED的封裝技術提出了更高的要求?，F有技術中的功率型LED光源，通常存在著以下缺陷封裝結構的取光效率較低；在高功率下散熱性較差；低色溫下光效也低；顯色性較差，當提高顯色性時光效會降低。
技術實現思路
本專利技術的目的是克服現有技術中的缺陷，提供一種功率型LED光源的COB封裝結構，該封裝結構具有較高的取光效率，同時熱阻較低，散熱性能良好，從而保證功率LED光源的光電性能和可靠性。為解決上述問題，本專利技術的一種功率型LED光源的COB封裝結構，包括至少一組由多個LED芯片組成的串聯組，該串聯組的兩端設置有引線；所述LED芯片下方設置有散熱板，該散熱板上設置有多個凹槽狀的光反射腔，每個LED芯片固定在一個所述光反射腔內，所述LED芯片為雙電極LED芯片。所述光反射腔為倒錐臺形。所述光反射腔內壁上設置有不變色反光層。所述LED芯片包括多個藍光LED芯片和多個紅光LED芯片，并且多個紅光LED芯片均勻設置在多個藍光LED芯片列陣中。所述紅光LED芯片與藍光LED芯片的數量比為1:3。所述串聯組為多個，并且多個串聯組相互并聯設置；每個串聯組內設置有四個LED芯片，其中紅光LED芯片為一個，藍光LED芯片為三個。所述LED芯片上設置有熒光粉層。所述LED芯片上設置有取光層。所述功率型LED光源的COB封裝結構還包括設置在LED芯片上方的混光透鏡層。所述LED芯片共晶焊接于散熱板上。采用本專利技術的功率型LED光源的COB封裝結構，將LED芯片直接固定在散熱板上，使LED芯片與散熱板直接接觸，使導熱路徑縮短至最短，從而達到良好的散熱效果；采用雙電極LED芯片，將一個LED芯片正電極與另一個LED芯片的負電極串聯，以保證LED芯片之間不因金屬散熱板而短路且使得LED芯片與散熱片直接接觸，解決了散熱與絕緣之間的矛盾；在散熱板上設置多個光反射腔，將LED芯片安裝在光反射腔內，使LED芯片的底面以及側面光投射出后，經光反射腔反射而出，進而更好地達到提高光效率的效果。附圖說明圖I為本專利技術功率型LED光源的COB封裝結構的示意圖。圖2為圖I中A-A向剖視圖。圖3為本專利技術中LED芯片連接電路圖。圖中LED芯片I ;散熱板2 ;光反射腔3 ;突光粉層4 ;取光層5 ;混光透鏡層6 ;藍光LED芯片101 ;紅光LED芯片102 具體實施例方式為了使本
的人員更好地理解本專利技術技術方案，下面結合附圖和實施方式對本專利技術作進一步的詳細說明。如圖1、2所示，本專利技術的功率型LED光源的COB封裝結構，包括多個由若干LED芯片I組成的串聯組，串聯組的兩端設置有引線，并且多個串聯組相互并聯。如圖3所示，本專利技術的實施例優選為四個串聯組相并聯的結構，其中每個串聯組內設置有四個LED芯片。所述LED芯片I下方設置有散熱板2，該散熱板2為高導熱的金屬板，優選為銅基，也可以為鋁基。所述散熱板2上設置有多個凹槽狀的光反射腔3，每個LED芯片I通過共晶焊接的方式直接固定在一個所述光反射腔3內，并且LED芯片與散熱板之間絕緣。LED芯片I為雙電極LED芯片，其襯底為一層三氧化二鋁，三氧化二鋁具有良好的絕緣性和導熱性，能夠起到良好的絕緣與導熱效果。將LED芯片I直接固定在散熱板2上，使LED芯片I與散熱板2直接接觸，使導熱路徑縮短至最短，從而達到良好的散熱效果；將多個LED芯片I串聯，以保證LED芯片I能夠與散熱板2之間絕緣，解決了散熱與絕緣之間的矛盾；在散熱板2上設置多個光反射腔3，將LED芯片I安裝在光反射腔3內，使LED芯片I的底面及側面光經光反射腔反射到空間中。所述光反射腔3為倒錐臺形，并且在所述光反射腔3內壁上設置有反光層，能夠將LED芯片的出射光向上反射，從而提高光效。該反光層可以為鍍鋁、銀層，并經過變色保護，以防止其在長期使用中使反射光的顏色發生變化。在提高顯色性方面，通?？梢圆捎盟{光LED芯片配合黃光熒光粉封裝來達到出射白光的目的，由于缺少紅光光譜，顯色性較低，鑒于此，本專利技術采用藍光LED芯片于一個紅光LED芯片配合的方式，經過混光達到生成高顯色白光的目的，即所述LED芯片I包括多個藍光LED芯片101和多個紅光LED芯片102，并且多個紅光LED芯片102均勻設置在多個藍光LED芯片101列陣中，從而在不降低光效的同時，提高LED光源顯色性。所述紅光LED芯片102與藍光LED芯片101的數量比優選為1:3，經過試驗，按照此比例對紅光LED芯片102與藍光LED芯片101進行配比，能夠使LED光源顯色性指數提高到90%ο參見圖3，其中每個串聯組內紅光LED芯片102為一個，藍光LED芯片101為三個。為了進一步提高LED光源的取光效率，在所述LED芯片I上方還設置有取光層5。該取光層5采用折射率較高的材質制成，隨著折射率的增高，光的透射率也會增加，從而使出射光能夠通過該取光層折射出來，避免反射的消耗，以增加LED光源的光效。由于采用了紅光LED芯片102與藍光LED芯片101相互配比組合的方式來提高LED光源的顯色性，為了保證紅光與白光能夠進行充分的混光，所述功率型LED光源的COB封裝結構還包括設置在LED芯片I上方的混光層。該混光層采用高散射導光材質制成，例如硅樹脂。所述功率型LED光源的COB封裝結構還包括透鏡層，該透鏡層優選為與所述混光層一體制造，即將混光層按照需要的配光形狀而設計透鏡形狀，如圖2中的混光透鏡層6。通過該混光透鏡層6，LED光源出射光的光路能夠得到調整，使光線集中到做需要照射的區域內。 以上所述僅是本專利技術的優選實施方式，應當指出的是，對于本
的普通技術人員來說，在不脫離本專利技術原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本專利技術的保護范圍。權利要求1.一種功率型LED光源的COB封裝結構，其特征在于包括至少一組由多個LED芯片組成的串聯組；所述LED芯片下方設置有散熱板，該散熱板上設置有多個凹槽狀的光反射腔，每個LED芯片固定在一個所述光反射腔內，所述LED芯片為雙電極LED芯片。2.如權利要求I所述功率型LED光源的COB封裝結構，其特征在于所述光反射腔為倒錐臺形。3.如權利要求2所述功率型LED光源的COB封裝結構，其特征在于所述光反射腔內壁上設置有不變色反光層。4.如權利要求I所述功率型LED光源的COB封裝結構，其特征在于所述LED芯片包括多個藍光LED芯片和多個紅光LED芯片，并且多個紅光LED芯片均勻設置在多個藍光LED芯片列陣中。5.如權利要求4所述功率型LED光源的COB封裝結構，其特征在于所述本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種功率型LED光源的COB封裝結構，其特征在于：包括至少一組由多個LED芯片組成的串聯組；所述LED芯片下方設置有散熱板，該散熱板上設置有多個凹槽狀的光反射腔，每個LED芯片固定在一個所述光反射腔內，所述LED芯片為雙電極LED芯片。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：王金連，曹錫文，李曉輝，
申請(專利權)人：王金連，曹錫文，李曉輝，
類型：發明
國別省市：
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