【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種散熱裝置，特別是涉及一種LED基板散熱裝置。
技術(shù)介紹
隨著LED向大功率、高光強(qiáng)方向發(fā)展，其散熱問題日漸突出，已成為LED發(fā)展的難題。大功率LED的散熱方式主要是通過基板材料傳導(dǎo)到外殼而發(fā)散出去，因此基板材料必須有高熱導(dǎo)率、高穩(wěn)定性、高絕緣性、高強(qiáng)度和平整性以及與芯片相近的熱膨脹系數(shù)。金屬或合金具有高導(dǎo)熱率和低膨脹系數(shù)，從而成為現(xiàn)有主要的LED基板材料，為保障電絕緣性，通常在金屬表面涂覆高分子聚合物介質(zhì)膜，從而導(dǎo)致熱導(dǎo)率降低，高溫性能變差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題是提供一種LED基板散熱裝置，其提高熱導(dǎo)率。本專利技術(shù)是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題的一種LED基板散熱裝置，其特征在于，其包括導(dǎo)電銅層、絕緣層、基板，絕緣層在導(dǎo)電銅層與基板之間，基板的散熱表面覆有氧化鋁薄膜。優(yōu)選地，所述氧化鋁薄膜的厚度為20 um至40um。本專利技術(shù)的積極進(jìn)步效果在于本專利技術(shù)LED基板散熱裝置提高熱導(dǎo)率，穩(wěn)定性好，簡化了 LED的封裝結(jié)構(gòu)和工藝，降低了成本。附圖說明圖I為本專利技術(shù)LED基板散熱裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖給出本專利技術(shù)較佳實(shí)施例，以詳細(xì)說明本專利技術(shù)的技術(shù)方案。如圖I所示，本專利技術(shù)LED基板散熱裝置包括導(dǎo)電銅層I、絕緣層2、基板3，絕緣層2在導(dǎo)電銅層I與基板3之間，基板3的散熱表面覆有氧化鋁薄膜4。本專利技術(shù)LED基板散熱裝置的整體結(jié)構(gòu)為層狀結(jié)構(gòu)。氧化鋁薄膜4通過微弧氧化技術(shù)生成，氧化鋁薄膜4的厚度為20 um至40um。所述的微弧氧化是通過電解液與相應(yīng)參數(shù)的組合，在鋁基板表面依靠弧光放電產(chǎn)生瞬...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種LED基板散熱裝置，其特征在于，其包括導(dǎo)電銅層、絕緣層、基板，絕緣層在導(dǎo)電銅層與基板之間，基板的散熱表面覆有氧化鋁薄膜。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：區(qū)沃鉅，張丹松，尹荔松，
申請(專利權(quán))人：中山市澳克士照明電器有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。