本發明專利技術實施例提供一種掩膜板及陣列基板的制造方法，涉及薄膜晶體管液晶顯示器制造領域，能夠增加扇出導線區需顯影掉的光刻膠的量，降低顯影液的濃度，以避免扇出導線區域附近的TFT在刻蝕后喪失開關特性，提高了產品的良品率。本發明專利技術的掩膜板，包括基板，設置于基板上的第一圖案區及第二圖案區，第二圖案區對應于陣列基板的扇出導線區，第二圖案區包括部分透射區域和全透射區域，當刻蝕扇出導線區的源漏極層時，部分透射區域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區域，全透射區域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區域，光刻膠部分保留區域對應于扇出導線，光刻膠完全去除區域對應于扇出導線之間的間隔。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及薄膜晶體管液晶顯示器制造領域，尤其涉及。
技術介紹
隨著科技的不斷進步，用戶對液晶顯示設備的需求日益增加，TFT-IXD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜場效應晶體管液晶顯示器)也成為了手機、平板電腦等產品中使用的主流顯示器。·在整個TFT-LCD的陣列基板的布局中，像素區的數據線走線較為稀疏，扇出導線區域的扇出導線走線十分稠密。現有的制作扇出導線的工藝中，在刻蝕源漏極層時，是對對應于扇出導線之間的間隔的光刻膠進行全曝光，而對對應于扇出導線的光刻膠不進行曝光，這樣在顯影時，扇出導線區域顯影掉的光刻膠遠遠少于像素區的顯影掉的光刻膠，由于隨著顯影液與光刻膠的反應，顯影液的濃度會逐漸減小，因此扇出導線區域顯影液的濃度則會高于像素區顯影液的濃度，這會導致扇出導線區域附近的TFT溝道區域對應的光刻膠容易被過顯影，光刻膠偏薄或被顯影掉，從而導致刻蝕后的TFT喪失開關特性，產品良品率低。
技術實現思路
本專利技術的實施例提供，能夠增加扇出導線區需顯影掉的光刻膠的量，降低顯影液的濃度，以避免扇出導線區域附近的TFT在刻蝕后喪失開關特性，提聞了廣品的良品率。為達到上述目的，本專利技術的實施例采用如下技術方案本專利技術提供一種掩膜板，包括基板，設置于基板上的第一圖案區及第二圖案區，第一圖案區對應于陣列基板的像素區，第二圖案區對應于陣列基板的扇出導線區，所述第二圖案區包括部分透射區域和全透射區域，當刻蝕所述扇出導線區的源漏極層時，所述部分透射區域使得涂覆在所述源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區域，所述全透射區域使得涂覆在所述源漏極層上的所述光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區域，其中，所述光刻膠部分保留區域對應于扇出導線，所述光刻膠完全去除區域對應于扇出導線之間的間隔。所述部分透射區域設置有掩膜材料層。所述掩膜材料層為鉻、鑰、鈦金屬氧化物或氮化物層。所述基板為玻璃基板、石英基板或藍寶石基板。本專利技術還提供一種陣列基板的制造方法，包括在襯底上形成源漏極層；在所述源漏極層上涂覆光刻膠；使用具有上述任意特征的的掩膜板對所述光刻膠進行曝光，顯影后與第二圖案區的部分透射區域對應的區域形成光刻膠部分保留區域，與第二圖案區的全透射區域對應的區域形成光刻膠完全去除區域；采用刻蝕工藝，刻蝕所述光刻膠完全去除區域對應的所述源漏極層。本專利技術提供的，掩膜板包括基板，設置于基板上的第一圖案區及第二圖案區，第一圖案區對應于陣列基板的像素區，第二圖案區對應于陣列基板的扇出導線區，其中，第二圖案區包括部分透射區域和全透射區域，當刻蝕扇出導線區的源漏極層時，部分透射區域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區域，全透射區域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區域，其中，光刻膠部分保留區域對應于扇出導線，光刻膠完全去除區域對應于扇出導線之間的間隔。通過該方案，由于掩膜板的第二圖案區包括半透射區和全透射區，因此在刻蝕扇出導線區的源漏極層時，部分透射區域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分 保留區域，全透射區域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區域，相對于現有技術形成光刻膠完全保留區域和光刻膠完全去除區域而言，增加了扇出導線區需顯影掉的光刻膠的量，降低了顯影液的濃度，從而避免了扇出導線區域附近的TFT溝道區域由于過顯影在刻蝕后喪失開關特性，提高了產品的良品率。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本專利技術提供的掩膜板的結構示意圖；圖2為陣列基板扇出導線區的俯視圖；圖3為陣列基板扇出導線區的側視圖；圖4為本專利技術提供的陣列基板的制造方法流程示意圖；圖5為本專利技術提供的刻蝕源漏極層過程中的扇出導線結構示意圖一；圖6為本專利技術提供的刻蝕源漏極層過程中的扇出導線結構示意圖二 ；圖7為本專利技術提供的掩膜板的制造方法流程示意圖。具體實施例方式下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。需要說明的是本專利技術實施例的“上” “下”只是參考附圖對本專利技術實施例進行說明，不作為限定用語。本專利技術實施例提供的掩膜板1，如圖I所示，包括基板10，設置于基板10上的第一圖案區及第二圖案區11，第一圖案區對應于陣列基板的像素區，第二圖案區11對應于陣列基板的扇出導線區，所述第二圖案區11包括部分透射區域110和全透射區域111，當刻蝕所述扇出導線區的源漏極層時，所述部分透射區域110使得涂覆在所述源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區域，所述全透射區域111使得涂覆在所述源漏極層上的所述光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區域，其中，所述光刻膠部分保留區域對應于扇出導線，所述光刻膠完全去除區域對應于扇出導線之間的間隔。進一步地，所述部分透射區域設置有掩膜材料層。進一步地，所述掩膜材料層可以為半透明的鉻、鑰、鈦金屬氧化物或氮化物層，具體地，可以為多氧化鉻層，還可以為透明耐熱高分子材料、聚合物等。進一步地，所述基板為玻璃基板、石英基板或藍寶石基板。如圖2和圖3所示，圖2為陣列基板扇出導線區的俯視圖，圖2為陣列基板扇出導線區的側視圖，在圖2和圖3中，陰影部分為扇出導線，其余部分為扇出導線之間的間隔。·本專利技術提供的一種掩膜板，包括基板，設置于基板上的第一圖案區及第二圖案區，第一圖案區對應于陣列基板的像素區，第二圖案區對應于陣列基板的扇出導線區，其中，第二圖案區包括部分透射區域和全透射區域，當刻蝕扇出導線區的源漏極層時，部分透射區域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區域，全透射區域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區域，其中，光刻膠部分保留區域對應于扇出導線，光刻膠完全去除區域對應于扇出導線之間的間隔。通過該方案，由于掩膜板的第二圖案區包括半透射區和全透射區，因此在刻蝕扇出導線區的源漏極層時，部分透射區域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區域，全透射區域使得涂覆在源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區域，相對于現有技術形成光刻膠完全保留區域和光刻膠完全去除區域而言，增加了扇出導線區需顯影掉的光刻膠的量，降低了顯影液的濃度，從而避免了扇出導線區域附近的TFT溝道區域由于過顯影在刻蝕后喪失開關特性，提聞了廣品的良品率。在制備陣列基板扇出導線的工藝中，當刻蝕扇出導線區源漏極層時，使用本專利技術實施例提供的掩膜板，該掩模板包括基板，設置于基板上的第一圖案區及第二圖案區，第一圖案區對應于陣列基板的像素區，第二圖案區對應于陣列基板的扇出導線區，第二圖案區包括部分透射區域和全透射區域。示例性的，如圖4所示，本專利技術實施例提供一種陣列基板的制造方法，使用上述實施例所提供的掩膜板，該方法包括SlOl、在襯底上形本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種掩膜板，包括基板，設置于基板上的第一圖案區及第二圖案區，第一圖案區對應于陣列基板的像素區，第二圖案區對應于陣列基板的扇出導線區，其特征在于，所述第二圖案區包括部分透射區域和全透射區域，當刻蝕所述扇出導線區的源漏極層時，所述部分透射區域使得涂覆在所述源漏極層上的光刻膠顯影后形成光刻膠部分保留區域，所述全透射區域使得涂覆在所述源漏極層上的所述光刻膠顯影后形成光刻膠完全去除區域，其中，所述光刻膠部分保留區域對應于扇出導線，所述光刻膠完全去除區域對應于扇出導線之間的間隔。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：王鳳國，
申請(專利權)人：北京京東方光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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