光電子器件制造技術

本發明專利技術提出一種光電子器件，其具有：電路板（1），所述電路板具有帶有芯片連接區域（10）的上側（1a）；光電子半導體芯片（2），所述光電子半導體芯片固定在芯片連接區域（10）上；殼體（3），所述殼體在電路板（1）的上側（1a）處固定在電路板（1）上；以及反射區域（30），其中反射區域（30）包括在殼體（3）中的開口（31），在所述開口中設置有光電子半導體芯片（2），并且殼體（3）由塑料材料制成，所述塑料材料在反射區域（30）中至少局部地被金屬化。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】光電子器件
本專利技術提出一種光電子器件。
技術介紹
文獻W02004/077558A1說明了一種光電子器件。
技術實現思路
待實現的目的在于，提出一種光電子器件，所述光電子器件是尤其緊湊的。根據光電子器件的至少一個實施形式，所述光電子器件包括電路板。所述電路板例如包括用電絕緣的材料制成的基體。帶狀導線和電連接部位在基體上和/或在基體中結構化，所述帶狀導線和電連接部位用于電接觸光電子器件的施加到電路板上的組件。電路板例如包括用塑料材料制成的基體。在此，基體能夠由塑料材料制成。電路板例如是一種印刷電路板(PCB-Printed Circuit Board)。電路板包括例如由電路板的第一主面構成的上側。此外，電路板包括背離于上側的下側。電路板在其上側處具有芯片連接區域。芯片連接區域例如為電路板的金屬化區域， 在所述金屬化區域上例如固定有光電子半導體芯片，并且能夠將其導電地連接。在此，電路板在其上側處也能夠具有兩個或多個同類地構造的芯片連接區域。根據光電子器件的至少一個實施形式，光電子器件包括光電子半導體芯片，所述光電子半導體芯片固定在芯片連接區域上。光電子半導體芯片例如能夠焊接或粘貼在芯片連接區域上。所述光電子半導體芯片例如為接收輻射的光電子半導體芯片或者為發射輻射的光電子半導體芯片。所述光電子半導體芯片例如為發光二極管芯片，所述發光二極管芯片在工作時適用于產生來自紅外區域、用于可見光的光譜區域和/或UV輻射的光譜區域的電磁輻射。器件也能夠包括兩個或多個光電子半導體芯片，其中，每個光電子半導體芯片固定在芯片連接區域上。光電子半導體芯片優選為表面福射器。也就是說，光電子半導體芯片將發射的電磁輻射絕大部分地或完全地通過主面例如在光電子半導體芯片的上側處發出。那么，通過光電子半導體芯片的側面幾乎或完全不發射電磁輻射。為此，光電子半導體芯片優選構成為薄膜發光二極管芯片。薄膜發光二極管芯片的特征優選在于下述特性特征中的至少一個-在產生輻射的尤其是外延層序列的半導體層序列的朝向特別是支承襯底的支承元件的主面上施加或構造有反射層，所述反射層將在半導體層序列中產生的電磁輻射中的至少一部分反射回所述半導體層序列中。-薄膜發光二極管芯片具有支承元件，所述支承元件不是外延生長有半導體層序列的生長襯底，而是事后固定在半導體層序列上的、單獨的支承元件；-半導體層序列具有在20μπι或更小的范圍內的、尤其在ΙΟμπι或更小的范圍內的厚度。-半導體層序列不具有生長襯底。當前，“不具有生長襯底”意味著在必要時將用于生長的生長襯底從半導體層序列移除，或至少使其變得很薄。尤其是使其變薄到使得生長襯底自身或連同外延層序列一起不能單獨自承。變得很薄的生長襯底的殘留的剩余部分自身尤其不適于生長襯底的功能；以及-半導體層序列包括至少一個半導體層，所述半導體層具有至少一個面，所述面具有在理想情況下造成光在半導體層序列中的近似遍歷分布的混合結構，也就是說，所述混合結構具有盡可能遍歷地隨機的散射特性。薄膜發光二極管芯片非常近似于朗伯特(Lambet’sch)表面輻射器，并且因此例如良好的適用于應用在前照燈、例如汽車前照燈中。根據光電子器件的至少一個實施形式，器件包括殼體，所述殼體在電路板上的上側處固定在電路板上。殼體例如能夠借助于膠粘劑在電路板的上側處固定在電路板上。此外，可能的是，將殼體不利用粘合劑固定在電路板上。為此，殼體例如能夠借助于注塑法或壓鑄法噴射到或擠壓到電路板的上側處。例如能夠在殼體的材料硬化時進行在殼體和電路板之間的機械連接。殼體具有反射區域。反射區域設計為用于反射由光電子半導體芯片在工作時產生的電磁輻射或反射待由光電子半導體芯片在工作時探測到的電磁輻射。根據光電子器件的至少一個實施形式，反射區域包括在殼體中的開口，在所述開口中設置有光電子半導體芯片。在此，開口優選從殼體的背離電路板的上側延伸至殼體的朝向電路板的下側。這意味著，在開口中，具有芯片連接區域的電路板露出。以這種方式， 殼體至少局部地圍繞在開口的區域中的光電子半導體芯片。殼體的在開口中的朝向光電子半導體芯片的側面形成反射區域的反射輻射的面，即反射面，并且為此例如能夠適當地被覆層。如果器件具有兩個或多個光電子半導體芯片，那么在開口中能夠設置有兩個或多個光電子半導體芯片。因此此外還可能的是，反射區域包括兩個或多個開口，并且在每個開口中設置有剛好一個光電子半導體芯片。根據光電子器件的至少一個實施形式，光電子半導體芯片嵌入澆注料中，所述澆注料顯現出白色、黑色或彩色，其中，光電子半導體芯片的背離芯片連接區域的表面至少局部不具有澆注料。澆注料尤其能夠具有殼體的外表面的顏色。澆注料能夠構造為可被輻射穿透的。澆注料例如構造為反射的。為此，澆注料例如能夠包括由硅酮和/或環氧化物制成的基質材料，所述基質材料由反射顆粒、例如由氧化鈦構成的反射顆粒填充。此外，可能的是，顆粒由ZrOjQ成或至少包含ZrO2。如果半導體芯片發射藍光或紫外光，那么ZrO2在這類波長范圍內具有特別小的吸收特性。換言之，在所述情況下，由澆注料反射更大部分的電磁輻射。總體上可能的是，反射輻射的顆粒至少由材料Ti02、BaS04、Zn0、Alx0y、Zr02中的一種構成或包含上述材料中的一種。因此，澆注料例如顯現為白色。此外可能的是，用吸收輻射的顆粒，例如由炭黑構成的顆粒填充澆注料，以至于澆注料顯現出黑色。光電子半導體芯片優選是表面發射器，所述表面發射器例如構成為薄膜發光二極管芯片。因此也就是說，光電子半導體芯片尤其不是體積發射器。也就是說，在這種情況下5幾乎不產生穿過半導體芯片的側面的電磁輻射。根據光電子器件的至少一個實施形式，殼體由塑料材料制成。塑料材料優選為特別熱穩定的塑料材料，所述塑料材料優選為可熔化加工的。為此，殼體例如由聚苯硫醚 (PPS)構成。因此，電路板的基體能夠由相同的塑料材料或由具有類似的熱膨脹系數的塑料材料制成。根據光電子器件的至少一個實施形式，將殼體在反射區域中至少局部地金屬化。 也就是說，基體的例如在殼體中的開口中的部分至少局部地由金屬層覆蓋。反射區域的反射面例如能夠由殼體的金屬化區域構成。那么，將殼體例如僅在反射區域的開口中金屬化， 殼體的其他部分不具有金屬化部。然而，還可能的是，將殼體的整個暴露的外表面金屬化。 光電子器件的這樣的實施形式可特別簡單地制成。殼體的金屬化部例如能夠借助于熱蒸發施加到殼體的塑料材料上。在此施加到殼體上的金屬根據由光電子半導體芯片在工作時探測到的或發射的電磁輻射選擇。例如，金適用于具有SOOnm或更長的波長的紅外輻射。具有銀或鋁的金屬化部尤其適用于可見范圍。金屬化部的金屬優選直接施加到殼體上。在使用易于腐蝕和擴散的金屬時，將鈍化層在金屬化部的背離殼體的側上施加到金屬部上，所述鈍化層構造為可被輻射穿透的，并且優選構造為對于待反射的輻射是透明的。鈍化層例如能夠由氧化硅和/或氮化硅構成。根據光電子器件的至少一個實施形式，器件包括具有帶有芯片連接區域的上側的電路板、固定在芯片連接區域上的光電子半導體芯片、在電路板的上側處固定在電路板上的且具有反射區域的殼體，其中，反射區域包括在殼體中的開口，在所述開口中設置有光電子半導體芯片，并且殼體由塑料材料制成，所述塑料材料在反射區域中至少本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：大衛·歐布里安，梅爾廷·豪沙爾特，馬庫斯·弗爾斯特，弗蘭克·默爾梅爾，
申請(專利權)人：歐司朗光電半導體有限公司，
類型：
國別省市：