一種真空器件用電極引線結構制造技術

本實用新型專利技術公開一種真空器件用電極引線結構，包括密封瓷片，密封瓷片的一個陶瓷封接面進行金屬化，且經過金屬化的面朝上放置，密封瓷片的另一個面上沿與密封瓷片平面垂直的方向依次設置有第二電極環、絕緣磁環、第一電極環、絕緣磁環、第二電極環、絕緣磁環、連接筒、絕緣磁環，第一電極環和第二電極環均設有圓環狀的本體，且第一電極環和第二電極環還包括自本體朝向圓心方向和遠離圓心方向延伸出的突起，兩個方向的突起上均設有安裝孔，位于第一電極環和第二電極環朝向圓心方向的突起上的安裝孔內均安裝有引線。該種電極引線結構達到電極連接預期的電氣接觸性能，還能有效防止真空泄漏，保證真空設備或真空器件的工作環境不被破壞。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及電極之間需要真空轉接
，尤其是涉及微波器件中陰極、燈絲、陽極等電極的真空轉接，具體為一種真空器件用電極引線結構。
技術介紹
現代生活的很多領域都需要應用到真空狀態環境，像真空熔煉爐、真空燒結爐、真空排氣臺等，特別是應用于通信領域中的電真空器件。通常，在這些設備和器件中往往有些電極需要和外界大氣進行電氣連接，這就需要有合適的轉接結構被產生，以便用于保證真空氣密性能和良好的電氣接觸性能。現有用于設備和器件電極真空轉接產品中，往往采用圓盤狀針封陶瓷結構，由于這種針封結構對陶瓷小孔尺寸精度、小孔金屬化以及陶瓷小孔與金屬配合都有很高的要求。而陶瓷冷加工本身有很大的難度，尤其是陶瓷的小孔在金屬化后保證精度很困難，從而也很難保證和陶瓷與金屬引線的配合，大大的影響了陶瓷與金屬引線封接的氣密性和可靠性。
技術實現思路
本技術所要解決的技術問題是針對現有技術中存在的問題提供一種真空器件用電極引線結構，其目的是有效克服現在電極引線焊接的難度，達到電極連接預期的電氣接觸性能，還能有效防止真空泄漏，保證真空設備或真空器件的工作環境不被破壞。本技術的技術方案是該種真空器件用電極引線結構包括密封瓷片，密封瓷片的一個陶瓷封接面進行金屬化，且經過金屬化的面朝上放置，密封瓷片的另一個面上沿與密封瓷片平面垂直的方向依次設置有第二電極環、絕緣磁環、第一電極環、絕緣磁環、第二電極環、絕緣磁環、連接筒、絕緣磁環，所述的第一電極環和第二電極環均設有圓環狀的本體，且第一電極環和第二電極環還包括自本體朝向圓心方向和遠離圓心方向延伸出的突起，兩個方向的突起上均設有安裝孔，位于第一電極環和第二電極環朝向圓心方向的突起上的安裝孔內均安裝有引線。所述的密封瓷片和絕緣磁環的材料均為99-Al2O3，陶瓷封接面采用燒結金屬粉末法鉬-錳金屬化工藝進行金屬化。所述的第一電極環、第二電極環、連接筒的材料均采用可伐合金，表面進行電鍍鎳處理，鍍層厚度的范圍是0.009-0.012mm。相鄰兩個結構之間的縫隙放置AgCu28焊料片，焊料片的厚度規格為0.05mm。具有上述結構的該種真空器件用電極引線結構采用了陶瓷與金屬平封結構，減小了陶瓷金屬化的難度以及增加了封接面積，應用在真空狀態環境時，特別是應用于通信領域中的電真空器件，能夠保證真空氣密性能和良好的電氣接觸性能，提高了產品的真空氣密性和可靠性,達到電極連接預期的電氣接觸性能，還能有效防止真空泄漏，保證真空設備或真空器件的工作環境不被破壞。附圖說明下面結合附圖對本技術作進一步說明：圖1為本技術的結構示意圖。圖2為圖1所示結構的A向示意圖。圖3本技術中第一電極環的結構示意圖。圖4為本技術中第二電極環的結構示意圖。圖5為本技術中密封瓷片的結構示意圖。圖6為本技術中絕緣磁環的結構示意圖。圖7為本技術中連接筒的結構示意圖。在圖1-7中，1：密封瓷片；2:絕緣磁環；3：第一電極環；4：第二電極環；5：連接筒；6：引線。具體實施方式圖1為本技術真空器件用電極引線結構的結構示意圖，圖2為圖1所示結構的A向示意圖，圖3-圖7分別為笨技術中第一電極環、第二電極環、密封瓷片、絕緣磁環和連接筒的結構示意圖。由圖1-圖6所示結構結合可知，該種真空器件用電極引線結構包括密封瓷片1，密封瓷片1的一個陶瓷封接面進行金屬化，且經過金屬化的面朝上放置，密封瓷片1的另一個面上沿與密封瓷片1平面垂直的方向依次設置有第二電極環4、絕緣磁環2、第一電極環3、絕緣磁環2、第二電極環4、絕緣磁環2、連接筒5、絕緣磁環2，第一電極環3和第二電極環4均設有圓環狀的本體，且第一電極環3和第二電極環4還包括自本體朝向圓心方向和遠離圓心方向延伸出的突起，兩個方向的突起上均設有安裝孔，位于第一電極環3和第二電極環4朝向圓心方向的突起上的安裝孔內均安裝有引線6。密封瓷片1和絕緣磁環2的材料均為99-Al2O3，陶瓷封接面采用燒結金屬粉末法鉬-錳金屬化工藝進行金屬化。第一電極環3、第二電極環4、連接筒5的材料均采用可伐合金，表面進行電鍍鎳處理，鍍層厚度的范圍是0.009-0.012mm。引線6采用直徑為1mm的鎳絲或者導電性能良好的銅絲，長度可根據需要自由選取。相鄰兩個結構之間的縫隙放置AgCu28焊料片，焊料片的厚度規格為0.05mm。作為本技術的一種具體實施例：將三根引線6分別安裝到第一電極環3和第二電極環4內側的安裝孔上，第一電極環3有一個，第二電極環4有兩個。將密封瓷片1放置于電極引線結構底端，金屬化層面朝上放置。然后將上述安裝好引線6的第二電極環4放置在密封瓷片1上沒有進行金屬化處理的一側，然后將一個絕緣瓷環2疊加到第二電極環4上；將上述安裝好引線6的第一電極環3疊加到絕緣瓷環2上；再依次疊加放置絕緣瓷環2、上述安裝好引線6的第二電極環4、絕緣瓷環2、連接筒5、絕緣瓷環2。按照上述步驟安裝電極引線結構時，每層焊接縫隙放置AgCu28焊料片，焊料片厚度規格為0.05mm。將上述安裝好的電極引線結構在氫氣保護爐中進行釬焊焊接，焊接工藝規范為：爐體升溫速度(10-14)℃/min，焊接溫度(T熔化+20)℃時保溫0.5-2min。這里：T熔化指檢測焊料熔化溫度，降溫速度(18-20)℃/min。另外需要說明的是，在上述具體實施方式中所描述的各個具體技術特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進行組合，為了避免不必要的重復，本技術對各種可能的組合方式不再另行說明。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種真空器件用電極引線結構，其特征在于：所述的電極引線結構包括密封瓷片(1)，密封瓷片(1)的一個陶瓷封接面進行金屬化，且經過金屬化的面朝上放置，密封瓷片(1)的另一個面上沿與密封瓷片(1)平面垂直的方向依次設置有第二電極環(4)、絕緣磁環(2)、第一電極環(3)、絕緣磁環(2)、第二電極環(4)、絕緣磁環(2)、連接筒(5)、絕緣磁環(2)，所述的第一電極環(3)和第二電極環(4)均設有圓環狀的本體，且第一電極環(3)和第二電極環(4)還包括自本體朝向圓心方向和遠離圓心方向延伸出的突起，兩個方向的突起上均設有安裝孔，位于第一電極環(3)和第二電極環(4)朝向圓心方向的突起上的安裝孔內均安裝有引線(6)。

【技術特征摘要】
1.一種真空器件用電極引線結構，其特征在于：所述的電極引線結構包括密封瓷片(1)，密封瓷片(1)的一個陶瓷封接面進行金屬化，且經過金屬化的面朝上放置，密封瓷片(1)的另一個面上沿與密封瓷片(1)平面垂直的方向依次設置有第二電極環(4)、絕緣磁環(2)、第一電極環(3)、絕緣磁環(2)、第二電極環(4)、絕緣磁環(2)、連接筒(5)、絕緣磁環(2)，所述的第一電極環(3)和第二電極環(4)均設有圓環狀的本體，且第一電極環(3)和第二電極環(4)還包括自本體朝向圓心方向和遠離圓心方向延伸出的突起，兩個方向的突起上均設有安裝孔，位于第一電極環(3)和第二電極環(4)朝向圓心方向的突...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王鵬康，朱剛，
申請(專利權)人：安徽華東光電技術研究所，
類型：新型
國別省市：安徽;34