【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
201510587537
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種集成電路(IC)器件，包括：IC裸片；封裝材料，包圍所述IC裸片；第一組引線，被耦合至所述IC裸片，并且具有暴露在所述封裝材料的底表面上的與所述底表面的外圍相鄰的第一接觸焊墊；以及第二組引線，被耦合至所述IC裸片，并且具有暴露在所述封裝材料的底表面上的與所述底表面的外圍相鄰的第二接觸焊墊；所述第二組引線也具有從所述第二接觸焊墊中的相應(yīng)第二接觸焊墊橫向向內(nèi)延伸的內(nèi)端部，以限定在其上支撐所述IC裸片的裸片焊墊區(qū)域。
【技術(shù)特征摘要】
2014.12.11 US 14/566,8261.一種集成電路(IC)器件，包括：
IC裸片；
封裝材料，包圍所述IC裸片；
第一組引線，被耦合至所述IC裸片，并且具有暴露在所述封裝
材料的底表面上的與所述底表面的外圍相鄰的第一接觸焊墊；以及
第二組引線，被耦合至所述IC裸片，并且具有暴露在所述封裝
材料的底表面上的與所述底表面的外圍相鄰的第二接觸焊墊；
所述第二組引線也具有從所述第二接觸焊墊中的相應(yīng)第二接觸
焊墊橫向向內(nèi)延伸的內(nèi)端部，以限定在其上支撐所述IC裸片的裸片
焊墊區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC器件，其中，所述第一接觸焊墊和
所述第二接觸焊墊設(shè)置為交替圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC器件，其中，所述第一接觸焊墊和
所述第二接觸焊墊設(shè)置為偏移圖形，使得所述第一接觸焊墊設(shè)置為比
所述第二接觸焊墊更靠近所述封裝材料的底表面的外圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC器件，其中，所述第一組引線具有
相同形狀和尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC器件，其中，所述第二組引線中的
每個(gè)引線包括從相應(yīng)第二接觸焊墊橫向向外延伸的封裝遠(yuǎn)端部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC器件，其中，所述封裝材料的下表
面具有限定矩形形狀的四個(gè)側(cè)邊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的IC器件，其中，所述第二組引線包括
從所述封裝材料的下表面的四個(gè)側(cè)邊中的每個(gè)側(cè)邊平行并且向內(nèi)延
伸的相應(yīng)引線群組。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的IC器件，其中，所述第二組引線具有
限定在矩形形狀的角部之間延伸的X形開口的不同長度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC器件，進(jìn)一步包括：
第一組鍵合接線，耦合所述IC裸片和所述第一組引線；以及
第二組鍵合接線，耦合所述IC裸片和所述第二組引線。
10.一種集成電路(IC)器件，包括：
IC裸片；
封裝材料，包圍所述IC裸片；
第一組引線，被耦合至所述IC裸片，并且具有暴露在所述封裝
材料的底表面上的與所述底表面的外圍相鄰的第一接觸焊墊，所述第
一組引線具有相同的形狀和尺寸；以及
第二組引線，被耦合至所述IC裸片，并且具有暴露在所述封裝
材料的底表面上的與所述底表面的外圍相鄰的第二接觸焊墊；
所述第二組引線也具有從所述第二接觸焊墊中的相應(yīng)第二接觸
焊墊橫向向內(nèi)延伸的內(nèi)端部，以限定在其上支撐所述IC裸片的裸片
焊墊區(qū)域，所述第二組引線中的每個(gè)引...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：E·M·卡達(dá)格，R·卡盧斯特，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：意法半導(dǎo)體公司，
類型：發(fā)明
國別省市：菲律賓;PH
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