本發明專利技術公開了一種電容式內嵌觸摸屏、其驅動方法及顯示裝置，在彩膜基板上設置沿像素單元的行方向延伸的觸控感應電極，在TFT陣列基板上采用雙柵結構，即相鄰行的像素單元之間具有兩條柵極信號線，每相鄰的兩列像素單元為一組像素單元列，共用一個位于該兩列像素單元之間的數據信號線，節省出一部分數據信號線的位置。因此，可以在節省出的數據信號線的位置設置實現觸控功能的觸控驅動電極，即將觸控驅動電極設置在相鄰像素單元列之間的間隙處，既可以保證觸控所需的精度，又不會過多占用像素單元的開口區域，能夠保證觸摸屏具有較大的開口率。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及顯示
，尤其涉及一種電容式內嵌觸摸屏、其驅動方法及顯示>J-U ρ α裝直。
技術介紹
隨著顯示技術的飛速發展，觸摸屏(Touch Screen Panel)已經逐漸遍及人們的生活中。目前，觸摸屏按照組成結構可以分為外掛式觸摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆蓋表面式觸摸屏(On Cell Touch Panel)、以及內嵌式觸摸屏(In Cell Touch Panel)。其中，外掛式觸摸屏是將觸摸屏與液晶顯示屏(Liquid Crystal Display, LCD)分開生產,然·后貼合到一起成為具有觸摸功能的液晶顯示屏，外掛式觸摸屏存在制作成本較高、光透過率較低、模組較厚等缺點。而內嵌式觸摸屏將觸摸屏的觸控電極內嵌在液晶顯示屏內部，可以減薄模組整體的厚度，又可以大大降低觸摸屏的制作成本，受到各大面板廠家青睞。為了能夠最大限度的提高觸摸顯示屏的開口率，在設計觸摸屏的TFT陣列基板中的像素結構時可以采用雙柵(Dual Gate)結構，如圖I所示，在雙柵結構中，TFT陣列基板上的相鄰行的像素單元之間具有兩個柵極信號線，例如Gatel和Gate2、Gate3和Gate4、Gate5和Gate6，且每相鄰的兩列像素單元為一組，共用一個位于該兩列像素單元之間的數據信號線Datel、Date2、Date3。雙柵結構通過增加一倍數量的柵極信號線，減少了數據信號線及源極驅動IC的數量，從而降低顯示器整體成本。而目前還沒有基于雙柵結構的電容式內嵌觸摸屏的設計。
技術實現思路
本專利技術實施例提供了一種電容式內嵌觸摸屏、其驅動方法及顯示裝置，用以實現具有雙柵結構的電容式內嵌觸摸屏。本專利技術實施例提供的一種電容式內嵌觸摸屏，包括彩膜基板，薄膜晶體管TFT陣列基板，以及位于所述彩膜基板和所述TFT陣列基板之間的液晶層；所述電容式內嵌觸摸屏內形成有呈矩陣排列的多個像素單元；在所述TFT陣列基板相鄰行的像素單元之間具有兩個柵極信號線，且以相鄰的兩列像素單元為一組像素單元列，每組像素單元列共用一個位于該兩列像素單元之間的數據信號線；還包括所述TFT陣列基板具有多個觸控驅動電極，各所述觸控驅動電極位于相鄰組像素單元列之間的間隙處；所述彩膜基板具有多個觸控感應電極，各所述觸控感應電極沿像素單元的行方向延伸。本專利技術實施例提供的一種顯示裝置，包括本專利技術實施例提供的電容式內嵌觸摸屏。本專利技術實施例提供的一種上述電容式內嵌觸摸屏的驅動方法，包括將觸摸屏顯示每一幀的時間分成顯示時間段和觸控時間段；在顯示時間段，對所述觸摸屏中的每條柵極信號線依次施加柵掃描信號，對數據信號線施加灰階信號，控制液晶分子翻轉；同時對觸控驅動電極和觸控感應電極施加低電平 目號;在觸控時間段，對觸控驅動電極施加觸控掃描信號，觸控感應電極耦合所述觸控掃描信號的電壓信號并輸出，同時，所述觸摸屏中的每條柵極信號線和數據信號線無信號輸入。本專利技術實施例的有益效果包括本專利技術實施例提供的一種電容式內嵌觸摸屏、其驅動方法及顯示裝置，在彩膜基板上設置沿像素單元的行方向延伸的觸控感應電極，在TFT陣列基板上采用雙柵結構，即相鄰行的像素單元之間具有兩條柵極信號線，每相鄰的兩列像素單元為一組像素單元列，共用一個位于該兩列像素單元之間的數據信號線，通過增加一倍數量的柵極信號線，節省出一部分數據信號線的位置。并且，由于觸摸屏的精度通常在毫米級，而液晶顯示屏的精度通常在微米級，可以看出顯示所需的精度遠遠大于觸控所需的精度，因此，可以將實現觸控 功能的觸控驅動電極設置在節省出的數據信號線的位置，即設置在相鄰像素單元列之間的間隙處，既可以保證觸控所需的精度，又不會過多占用像素單元的開口區域，能夠保證觸摸屏具有較大的開口率。附圖說明圖I為現有技術中顯示面板的雙柵結構的結構示意圖；圖2為本專利技術實施例提供的電容式內嵌觸摸屏的縱向剖面示意圖；圖3為本專利技術實施例提供的電容式內嵌觸摸屏中TFT陣列基板的俯視示意圖之圖4為本專利技術實施例提供的電容式內嵌觸摸屏的工作時序圖；圖5為本專利技術實施例提供的電容式內嵌觸摸屏中TFT陣列基板的俯視示意圖之-* ;圖6為本專利技術實施例提供的電容式內嵌觸摸屏中公共電極圖案的俯視示意圖；圖7為本專利技術實施例提供的電容式內嵌觸摸屏中TFT陣列基板的俯視示意圖之—■ ·---，圖8為本專利技術實施例提供的電容式內嵌觸摸屏中的彩膜基板和TFT陣列基板對盒后的結構示意圖之一；圖9為本專利技術實施例提供的電容式內嵌觸摸屏中的彩膜基板和TFT陣列基板對盒后的結構示意圖之二。具體實施例方式目前，能夠實現寬視角的液晶顯示技術主要有平面內開關(IPS，In-PlaneSwitch)技術和高級超維場開關(ADS, Advanced Super Dimension Switch)技術；其中，ADS技術通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優點。H-ADS (高開口率-高級超維場開關)是ADS技術的一種重要實現方式。本專利技術實施例正是基于ADS技術和H-ADS技術提出了一種新的電容式內嵌觸摸屏結構。下面結合附圖，對本專利技術實施例提供的電容式內嵌觸摸屏、其驅動方法及顯示裝置的具體實施方式進行詳細地說明。附圖中各層薄膜厚 度和形狀不反映TFT陣列基板或彩膜基板的真實比例，目的只是示意說明本
技術實現思路
。圖2和圖3所示分別為本專利技術實施例提供的電容式內嵌觸摸屏的橫向剖面示意圖和觸摸屏中TFT陣列基板的俯視圖。如圖2和圖3所示，本專利技術實施例提供的電容式內嵌觸摸屏具體包括彩膜基板1，TFT陣列基板2，以及位于彩膜基板I和TFT陣列基板2之間的液晶層3，該電容式內嵌觸摸屏內形成有呈矩陣排列的多個像素單元4 ;在TFT陣列基板相鄰行的像素單元4之間具有兩條柵極信號線5，且每相鄰的兩列像素單元4為一組像素單元列6，共用一條位于該兩列像素單元4之間的數據信號線7 ;還包括TFT陣列基板2具有至少一個觸控驅動電極8，各觸控驅動電極8位于相鄰像素單元列6之間的間隙處；彩膜基板I具有至少一個觸控感應電極9，各觸控感應電極9沿像素單元4的行方向延伸。在本專利技術實施例提供的上述觸摸屏采用雙柵結構，通過增加一倍數量的柵極信號線，節省出一部分數據信號線的位置。并且，由于觸摸屏的精度通常在毫米級，而液晶顯示屏的精度通常在微米級，可以看出顯示所需的精度遠遠大于觸控所需的精度，因此，可以將實現觸控功能的觸控驅動電極設置在節省出的數據信號線的位置，即設置在相鄰像素單元列之間的間隙處，既可以保證觸控所需的精度，又不會過多占用像素單元的開口區域，能夠保證觸摸屏具有較大的開口率。另夕卜，本專利技術實施提供的上述觸摸屏同樣也適用于扭曲向列(TN，TwistedNematic)型。具體地，在基于雙柵結構的TN型TFT陣列基板上，可以以部分公共電極線作為觸控驅動電極，在彩膜基板上以條狀ITO公共電極作為觸控感應電極，由于TN型屬于現有技術，在本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種電容式內嵌觸摸屏，包括：彩膜基板，薄膜晶體管TFT陣列基板，以及位于所述彩膜基板和所述TFT陣列基板之間的液晶層；所述電容式內嵌觸摸屏內形成有呈矩陣排列的多個像素單元；在所述TFT陣列基板相鄰行的像素單元之間具有兩條柵極信號線，且以相鄰的兩列像素單元為一組像素單元列，每組像素單元列共用一條位于該兩列像素單元之間的數據信號線；其特征在于，還包括：所述TFT陣列基板具有多個觸控驅動電極，各所述觸控驅動電極位于相鄰組像素單元列之間的間隙處；所述彩膜基板具有多個觸控感應電極，各所述觸控感應電極沿像素單元的行方向延伸。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊盛際，董學，李成，王海生，趙衛杰，劉英明，任濤，丁小梁，劉紅娟，
申請(專利權)人：北京京東方光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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