本發(fā)明專利技術(shù)的目的在于公開一種晶片粘接蠟，它包含以下重量百分比的組分：微晶蠟1-5％、合成蠟5-10％、酰胺蠟5-10％、松香65-75％和改性松香5-10％；與現(xiàn)有技術(shù)相比，軟化點(diǎn)在80-90℃，110℃度運(yùn)動(dòng)粘度100-200mm2/s，拉伸剪切強(qiáng)度大于30Kg/cm2，軟化點(diǎn)適中，粘性和流動(dòng)性好，內(nèi)聚力高，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明專利技術(shù)的目的。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種粘接臘，特別涉及一種具有聞拉伸到切強(qiáng)度的晶片粘接臘。
技術(shù)介紹
在各種晶片的拋光過程中，比較常用的拋光方式為無蠟拋光和有蠟拋光。隨著單晶直徑的不斷增大，有蠟拋光逐步成為大直徑晶片的主要拋光方式。同時(shí)，對(duì)于厚度較薄的晶片而言，由于有蠟拋光是將晶片完全固定在基板上，具有在拋光過程中不易碎片的特點(diǎn)，因此也成為厚度較薄晶片的主要拋光方式。上述的“蠟”實(shí)際是含蠟的粘接材料，實(shí)際上在晶片的加工過程中，切割及拋光工序都需要將晶片進(jìn)行高強(qiáng)度的粘接固定，目前主流的粘接材料都是松香加石蠟調(diào)配而成。如中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?00910030364. 3的專利技術(shù)專利公開了一種粘接晶片膠各組成的重量比為85號(hào)地蠟松香熱熔膠=5:3:5。·中國(guó)專利公開號(hào)CN101984012A的專利技術(shù)專利公開了一種有蠟加工晶片用粘結(jié)劑及其制備方法，該粘結(jié)劑主要由石蠟、松香和蟲膠組成，其中石蠟、松香、蟲膠按20-50 40-75 5-20的質(zhì)量比配比。中國(guó)專利專利號(hào)00117420. 7的專利技術(shù)專利公開了一種含松香和紫膠的精密磁石切割用熱熔膠粉及其制法，該熱熔膠粉按重量份數(shù)計(jì)，組成包括松香30-50份、紫膠30-50份、聚合松香3-8份、經(jīng)硅油表面處理的輕質(zhì)碳酸鈣2-5份。上述專利中的粘接蠟的主要成分為石蠟、松香、紫(蟲)膠和聚合松香等，其中松香起主要的粘性作用，紫(蟲)膠、聚合松香主要提供內(nèi)聚強(qiáng)度和一定的粘性，石蠟為降低粘度(提高膠的流動(dòng)性)作用。松香粘性好，但軟化點(diǎn)低，特別是添加石蠟的情況下，軟化點(diǎn)只能達(dá)到55°C _65°C，在加工過程中晶片溫度升高，造成粘接強(qiáng)度急劇下降，所以得添加聚合松香或紫膠。聚合松香及紫膠內(nèi)聚力強(qiáng)，軟化點(diǎn)高，可達(dá)145°C，可有效提高晶片粘接蠟的軟化點(diǎn)和內(nèi)聚強(qiáng)度，但融熔運(yùn)動(dòng)粘度大，流動(dòng)性變差，會(huì)帶來粘接效果下降，要改進(jìn)流動(dòng)性，只能增加石蠟含量或提高施膠溫度，增加石蠟含量則軟化點(diǎn)、內(nèi)聚強(qiáng)度及粘性降低，提高施膠溫度(比如120°C )則松香易變質(zhì)，損失粘性，所以聚合松香及紫膠添加量受到限制。有人把上述石蠟更換成聚乙烯蠟或費(fèi)托合成蠟，內(nèi)聚力有所提高，但從拉伸剪切強(qiáng)度測(cè)試數(shù)據(jù)看，粘接力并沒有實(shí)質(zhì)的提聞。從晶片粘接的要求看，需要一種軟化點(diǎn)適中，粘性和流動(dòng)性好，內(nèi)聚力高的粘接臘。通常粘接蠟使用時(shí)溫度控制在高出軟化點(diǎn)30°C時(shí)為好，低于這個(gè)溫度則蠟中開始出現(xiàn)結(jié)晶，浸潤(rùn)性下降，粘接力下降；高出這個(gè)溫度，則運(yùn)動(dòng)粘度太低，流動(dòng)性過高，造成粘接面太薄，粘接強(qiáng)度下降。雖然軟化點(diǎn)越高越耐溫，但有些晶片加工后采用熱水浸泡，將晶片上的粘接蠟泡軟除下，則要求粘接蠟的軟化點(diǎn)不宜超過100°c。而且含松香的粘接蠟使用溫度不宜超過120°c，一般在110°C左右，所以粘接蠟的軟化點(diǎn)不宜超過90°C，一般控制在80°C左右。流動(dòng)性是以運(yùn)動(dòng)粘度指標(biāo)來表示，當(dāng)某一溫度的運(yùn)動(dòng)粘度越低，則該溫度下的流動(dòng)性越好。當(dāng)運(yùn)粘接溫度下動(dòng)粘度高時(shí)，則粘接蠟和晶片的浸潤(rùn)性下降明顯，粘接力下降。如前所述，運(yùn)動(dòng)粘度也不是越低越好，從使用經(jīng)驗(yàn)總結(jié)，110°C下運(yùn)動(dòng)粘度控制在100-200mm2/s 為好。從實(shí)際拉伸剪切強(qiáng)度測(cè)試可以看出，大部分都是內(nèi)聚破壞，即粘接層內(nèi)聚強(qiáng)度不夠。從拋光產(chǎn)生的剪切力可知，拉伸剪切強(qiáng)度指標(biāo)不能低于20Kg/cm2。但目前所公開技術(shù)的粘接蠟，經(jīng)測(cè)試，拉伸剪切強(qiáng)度普遍在12-22Kg/cm2，所以在實(shí)際晶片加工過程中有時(shí)好有時(shí)壞，根本原因就是粘接力不夠，即拉伸剪切強(qiáng)度不夠高。綜上所述，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，特別需要一種晶片粘接蠟，以解決以上提到的問 題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的在于提供一種晶片粘接蠟，解決上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，軟化點(diǎn)適中，粘性和流動(dòng)性好，內(nèi)聚力高。本專利技術(shù)所解決的技術(shù)問題可以采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)一種晶片粘接蠟，其特征在于，它包含以下重量百分比的組分微晶蠟1_5%、合成蠟5-10%、酰胺蠟5-10%、松香50-75%和改性松香5_10%。在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，所述合成蠟采用費(fèi)托合成蠟，分子量分布窄，熔融粘度低，可有效降低熔化狀態(tài)下的運(yùn)動(dòng)粘度，并且加快晶片粘接蠟的凝固速度。在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，所述酰胺蠟采用N. N’ -I、2-乙二基雙十二(碳)酰胺或N. N’ -1,2-乙二基雙十八(碳)酰胺，有效提高晶片粘接蠟的拉伸剪切強(qiáng)度。在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，所述松香采用氫化松香，提供晶片粘接蠟的主要粘性，具有更好的抗氧化性和抗結(jié)晶性。在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，所述改性松香采用聚合松香或松香季戊四醇酯，除了提高晶片粘接蠟的內(nèi)聚強(qiáng)度，也能提高粘接力，更主要的是促進(jìn)了松香和酰胺蠟的相容性，避免了熔化狀態(tài)下松香和酰胺蠟分層或結(jié)晶析出的可能。在本專利技術(shù)的一個(gè)實(shí)施例中，所述晶片粘接蠟的軟化點(diǎn)在80_90°C，110°C度運(yùn)動(dòng)粘度100-200mm2/s,拉伸剪切強(qiáng)度大于30Kg/cm2。本專利技術(shù)的晶片粘接蠟，與現(xiàn)有技術(shù)相比，軟化點(diǎn)在80-90°C，ll(TC度運(yùn)動(dòng)粘度100-200mm2/s,拉伸剪切強(qiáng)度大于30Kg/cm2，軟化點(diǎn)適中，粘性和流動(dòng)性好，內(nèi)聚力高，實(shí)現(xiàn)本專利技術(shù)的目的。本專利技術(shù)的特點(diǎn)可參閱以下較好實(shí)施方式的詳細(xì)說明而獲得清楚地了解。具體實(shí)施例方式為了使本專利技術(shù)實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面進(jìn)一步闡述本專利技術(shù)。本專利技術(shù)的晶片粘接蠟，它包含以下重量百分比的組分微晶蠟1_5%、合成蠟5-10%、酰胺蠟5-10%、松香65-75%和改性松香5_10%。其中，所述微晶蠟?zāi)苡行г鏊芫辰酉灨鱾€(gè)組份，降低晶片粘接蠟脆性和熔化狀態(tài)下的運(yùn)動(dòng)粘度，并且增加松香的初粘性，根據(jù)需要采用高熔點(diǎn)硬質(zhì)微晶蠟。所述合成蠟采用費(fèi)托合成蠟，分子量分布窄，熔融粘度低，可有效降低熔化狀態(tài)下的運(yùn)動(dòng)粘度，并且加快晶片粘接蠟的凝固速度。所述酰胺蠟采用N. N’-I、2-乙二基雙十二(碳)酰胺或N. N’-I、2-乙二基雙十八(碳)酰胺，酰胺蠟具有高 熔點(diǎn)和在熔融體中低黏度的獨(dú)特性質(zhì)，特別是同松香類材料配合，熔化狀態(tài)下流動(dòng)性好，浸潤(rùn)性極佳，更主要的內(nèi)聚強(qiáng)度很高，有效提高晶片粘接蠟的拉伸剪切強(qiáng)度。所述松香采用氫化松香，提供晶片粘接蠟的主要粘性，具有更好的抗氧化性和抗結(jié)晶性。所述改性松香采用聚合松香或松香季戊四醇酯，除了提高晶片粘接蠟的內(nèi)聚強(qiáng)度，也能提高粘接力，更主要的是促進(jìn)了松香和酰胺蠟的相容性，避免了熔化狀態(tài)下松香和酰胺蠟分層或結(jié)晶析出的可能。所述晶片粘接蠟的軟化點(diǎn)在80_90°C，110°C度運(yùn)動(dòng)粘度100-200mm2/s，拉伸剪切強(qiáng)度大于30Kg/cm2。實(shí)施例I :本專利技術(shù)的晶片粘接蠟包含以下重量百分比的組分微晶蠟5%、合成蠟10%、酰胺蠟10%、松香65%和改性松香10%。所述晶片粘接蠟的軟化點(diǎn)在89°C，110°C度運(yùn)動(dòng)粘度156mm2/s，拉伸剪切強(qiáng)度為42Kg/cm2。實(shí)施例2 本專利技術(shù)的晶片粘接蠟包含以下重量百分比的組分微晶蠟5%、合成蠟10%、酰胺蠟5 %、松香70 %和改性松香IO %。所述晶片粘接蠟的軟化點(diǎn)在84°C，110°C度運(yùn)動(dòng)粘度137mm2/s，拉伸剪切強(qiáng)度為32Kg/cm2。實(shí)施例3 本專利技術(shù)的晶片粘接蠟包含以下重量百分比的組分微晶蠟5%、合成蠟5%、酰胺蠟10%、松香75%和改性松香5%。所述晶片粘接蠟的軟化點(diǎn)在87°C，110°本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種晶片粘接蠟，其特征在于，它包含以下重量百分比的組分：微晶蠟1？5％、合成蠟5？10％、酰胺蠟5？10％、松香65？75％和改性松香5？10％。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王玫，劉家芳，李毅，宋麗萍，章安龍，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：江蘇泰爾新材料科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
還沒有人留言評(píng)論。發(fā)表了對(duì)其他瀏覽者有用的留言會(huì)獲得科技券。