正壓冷卻工藝制造技術

本發明專利技術涉及一種正壓冷卻工藝，包括停爐1小時，向爐體充入氮氣，冷卻1小時；關閉主室球閥、停止主室泵，打開真空過濾罐放氣，爐體繼續充入氮氣，接近大氣壓時，打開主室球閥，使真空過濾罐進行放氣；4小時后，關閉氮氣，完成冷卻。還可以停爐2小時，向爐體充入氮氣；關閉主室球閥、停止主室泵，打開真空過濾罐放氣，爐體繼續充入氮氣，接近大氣壓時，打開副室爐筒導泄閥放氣，有放氣效應后，打開主室球閥導氣至真空過濾罐放氣，關閉副室爐筒導泄閥；6小時后，關閉氮氣，完成冷卻。本發明專利技術克服了現有技術中采用真空泵將爐體抽至真空后，對產品進行冷卻，減少了設備的使用量；同時，采用氮氣進行冷卻，降低了氣體使用的成本。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及光伏工藝
，特別是涉及一種正壓冷卻工藝。
技術介紹
在現有技術中，對單晶硅棒進行冷卻時，采用如下的冷卻方式如圖I所示，爐體I連接真空過濾罐2，真空過濾罐2與真空泵3相連接。在冷卻時，向爐體I內不斷的沖入氬氣，同時,真空泵3正果真空過濾罐2將爐體I內不斷的抽至真空，氣體從真空泵3排氣。這樣的工作方法具有以下缺點首先，真空泵始終處于工作狀態，使設備的折舊率增加，降低設備的使用壽命；其次，使用氬氣作為冷卻氣體，氬氣的成本較高，也增加了整體的使用成本。
技術實現思路
本專利技術目的是提供一種正壓冷卻工藝。為達到上述目的，本專利技術采用的技術方案是 一種正壓冷卻工藝，加工時，單晶硅棒放置在爐體內，向爐體內部不間斷的充入氬氣，爐體內的產品處于高溫半熔體狀態，冷卻時，按以下步驟進行 (1)、停爐I小時，關閉氬氣向爐體內充入氮氣，冷卻I小時； (2)、關閉爐體主室球閥、停止爐體主室泵，打開與爐體相連接的真空過濾罐的閥柱進行放氣，使爐體內的壓力達到常壓，同時繼續向爐體內充入氮氣，使爐體內始終處于正壓環境下，接近大氣壓時，打開爐體主室球閥，使真空過濾罐進行自然放氣； (3 )、4小時后，關閉氮氣，完成冷卻。優選地，在步驟(3)完成后，關閉爐體主室球閥，關閉真空過濾罐的閥柱，再打開爐體主室球閥和爐體主室泵，對爐體內抽真空，對其進行檢漏。優選地,在步驟(I)中,氮氣打開至最大。一種正壓冷卻工藝，加工時，單晶硅棒放置在爐體內，向爐體內部不間斷的充入氬氣，爐體內的產品處于高溫半熔體狀態，冷卻時，按以下步驟進行 (1)、停爐2小時，關閉氬氣向爐體內充入氮氣； (2)、關閉爐體主室球閥、停止爐體主室泵，打開與爐體相連接的真空過濾罐的閥柱進行放氣，使爐體內的壓力達到常壓，同時繼續向爐體內充入氮氣，使爐體內始終處于正壓環境下，接近大氣壓時，打開爐體副室爐筒導泄閥放氣，有放氣效應后，打開爐體主室球閥導氣至真空過濾罐放氣，關閉爐體副室爐筒導泄閥； (3)、6小時后，關閉氮氣，完成冷卻。優選地，在步驟(3)完成后，關閉爐體主室球閥，關閉真空過濾罐的閥柱，再打開爐體主室球閥和爐體主室泵，對爐體內抽真空，對其進行檢漏。優選地,在步驟(I)中,氮氣打開至最大。由于上述技術方案運用，本專利技術與現有技術相比具有下列優點和效果本專利技術克服了現有技術中采用真空泵將爐體抽至真空后，對產品進行冷卻，減少了設備的使用量；同時，采用氮氣進行冷卻，降低了氣體使用的成本。附圖說明附圖I為本專利技術爐體的連接示意 附圖2為爐體的結構 意圖。其中1、爐體；2、真空過濾罐；3、真空泵；4、爐體主室；5、爐體副室。具體實施例方式下面結合附圖及實施例對本專利技術作進一步描述 如圖I所示，爐體I連接真空過濾罐2，在本專利技術中，控制真空過濾罐2的真空泵3不使用。首先，如圖2所示，簡述下爐體I的結構，其包括爐體主室4和爐體副室5，其分別設置有控制其內部的閥和泵。實施例一 針對18”、20”的爐體，采用以下工藝 加工時，單晶硅棒放置在爐體I內，向爐體I內部不間斷的充入氬氣，爐體I內的產品處于高溫半熔體狀態，冷卻時，按以下步驟進行 首先，停爐I小時，關閉氬氣向爐體I內充入氮氣，氮氣打開至最大，冷卻I小時；對爐體I的副室門的螺絲進行平穩加固，起到防爆目的，后關閉爐體主室球閥、停止爐體主室泵，打開與爐體I相連接的真空過濾罐2的閥柱進行放氣，使爐體I內的壓力達到常壓，同時繼續向爐體I內充入氮氣，使爐體I內始終處于正壓環境下，接近大氣壓時，打開爐體主室球閥，使真空過濾罐2進行自然放氣； 4小時后，關閉氣氣，完成冷卻； 關閉爐體主室球閥,關閉真空過濾罐2的閥柱，再打開爐體主室球閥和爐體主室泵，對爐體I內抽真空，對其進行熱態檢漏。上述冷卻過程總共花費共6個小時。實施例二 針對22”的爐體，采用以下工藝 加工時，單晶硅棒放置在爐體I內，向爐體I內部不間斷的充入氬氣，爐體I內的產品處于高溫半熔體狀態，冷卻時，按以下步驟進行 首先，停爐2小時，關閉氬氣向爐體I內充入氮氣，氮氣打開至最大； 對爐體I的副室門的螺絲進行平穩加固后關閉爐體主室球閥、停止爐體主室泵，打開與爐體I相連接的真空過濾罐2的閥柱進行放氣，使爐體I內的壓力達到常壓，同時繼續向爐體I內充入氮氣，使爐體I內始終處于正壓環境下，接近大氣壓時，打開爐體副室爐筒導泄閥放氣，有放氣效應后，打開爐體主室球閥導氣至真空過濾罐放氣，關閉爐體副室爐筒導泄閥； 6小時后，關閉氣氣，完成冷卻； 最后，關閉爐體主室球閥，關閉真空過濾罐2的閥柱，再打開爐體主室球閥和爐體主室泵，對爐體I內抽真空，對其進行熱態檢漏。上述冷卻過程總共花費8個小時。上述實施例只為說明本專利技術的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人 士能夠了解本專利技術的內容并據以實施，并不能以此限制本專利技術的保護范圍。凡根據本專利技術精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本專利技術的保護范圍之內。權利要求1.一種正壓冷卻工藝，加工時，單晶硅棒放置在爐體內，向爐體內部不間斷的充入氬氣，爐體內的產品處于高溫半熔體狀態，其特征在于冷卻時，按以下步驟進行 (1)、停爐I小時，關閉氬氣向爐體內充入氮氣，冷卻I小時； (2)、關閉爐體主室球閥、停止爐體主室泵，打開與爐體相連接的真空過濾罐的閥柱進行放氣，使爐體內的壓力達到常壓，同時繼續向爐體內充入氮氣，使爐體內始終處于正壓環境下，接近大氣壓時，打開爐體主室球閥，使真空過濾罐進行自然放氣； (3 )、4小時后，關閉氮氣，完成冷卻。2.根據權利要求2所述的正壓冷卻工藝，其特征在于在步驟(3)完成后，關閉爐體主室球閥，關閉真空過濾罐的閥柱，再打開爐體主室球閥和爐體主室泵，對爐體內抽真空，對其進行檢漏。3.根據權利要求I所述的正壓冷卻工藝，其特征在于在步驟(I)中，氮氣打開至最大。4.一種正壓冷卻工藝，加工時，單晶硅棒放置在爐體內，向爐體內部不間斷的充入氬氣，爐體內的產品處于高溫半熔體狀態，其特征在于冷卻時，按以下步驟進行 (1)、停爐2小時，關閉氬氣向爐體內充入氮氣； (2)、關閉爐體主室球閥、停止爐體主室泵，打開與爐體相連接的真空過濾罐的閥柱進行放氣，使爐體內的壓力達到常壓，同時繼續向爐體內充入氮氣，使爐體內始終處于正壓環境下，接近大氣壓時，打開爐體副室爐筒導泄閥放氣，有放氣效應后，打開爐體主室球閥導氣至真空過濾罐放氣，關閉爐體副室爐筒導泄閥； (3)、6小時后，關閉氮氣，完成冷卻。5.根據權利要求4所述的正壓冷卻工藝，其特征在于在步驟(3)完成后，關閉爐體主室球閥，關閉真空過濾罐的閥柱,再打開爐體主室球閥和爐體主室泵,對爐體內抽真空,對其進行檢漏。6.根據權利要求4所述的正壓冷卻工藝，其特征在于在步驟(I)中，氮氣打開至最大。全文摘要本專利技術涉及一種正壓冷卻工藝，包括停爐1小時，向爐體充入氮氣，冷卻1小時；關閉主室球閥、停止主室泵，打開真空過濾罐放氣，爐體繼續充入氮氣，接近大氣壓時，打開主室球閥，使真空過濾罐進行放氣；4小時后，關閉氮氣，完成冷卻。還可以停爐2小時，向爐體充入氮氣；關閉主室球閥、停止主室泵，打開真空過濾罐放氣，爐體繼續充入氮氣，接近大氣壓時，打開副室爐筒導泄閥放氣，有放氣效應后，打開主室球閥導氣至真空過濾罐本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種正壓冷卻工藝，加工時，單晶硅棒放置在爐體內，向爐體內部不間斷的充入氬氣，爐體內的產品處于高溫半熔體狀態，其特征在于：冷卻時，按以下步驟進行：（1）、停爐1小時，關閉氬氣向爐體內充入氮氣，冷卻1小時；（2）、關閉爐體主室球閥、停止爐體主室泵，打開與爐體相連接的真空過濾罐的閥柱進行放氣，使爐體內的壓力達到常壓，同時繼續向爐體內充入氮氣，使爐體內始終處于正壓環境下，接近大氣壓時，打開爐體主室球閥，使真空過濾罐進行自然放氣；（3）、4小時后，關閉氮氣，完成冷卻。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳春成，戚建靜，
申請(專利權)人：蘇州東泰太陽能科技有限公司，
類型：發明
國別省市：