本發明專利技術涉及一種多線硅片切割工藝，所述的工藝包括以下步驟：碳化硅微粉的選擇：選擇粒度為2000的碳化硅微粉；砂漿配置：將切削液和碳化硅微粉按照1：0.92～1：1.1的質量比進行配比，使砂漿密度到1.600～1.615；切割：使用直徑為6.5英寸的鋼線94km，以500～647m/min的速度進行鋼線的往復運動；完成對硅片的切割。本發明專利技術將粒度為2000的規格的砂在整條切割工藝上通用，從φ150mm、φ165mm、φ200mm的單晶及φ200mm多晶切割上成熟使用，既縮短了切割時間，也很大程度上降低了成本。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種多線硅片切割工藝。
技術介紹
目前國內整個市場中，線切硅片工藝所用碳化硅微粉規格分別為單晶切割為粒度為1200、1500的規格為主，很少有廠家使用粒度為2000的規格，而且基本上都在切割直徑為6. 5”的單晶硅棒。在多晶硅棒方面，各廠基本上(幾乎)全部使用粒度為1200的碳化硅微粉。原因是粒度越細的碳化硅微粉的切割力越差，尤其是切割相對單晶較硬，雜質較多的多晶硅棒來說，粒度為2000的規格的砂似乎已成為切割多晶硅棒的一款零使用產品。在線切成本中占最大份額的輔材上砂(碳化硅)、線(切割線)、切割液三大輔材中， 行內在砂漿的密度方面通用I. 625 I. 670左右，在砂漿配比必烈上1:0. 92 1:1. I的范圍切割線使用量上Φ6. 5”在IlOkm 135km (雙向切割)單向切割為230km Φ8”在180km 240km 范圍。
技術實現思路
本專利技術目的是提供一種多線硅片切割工藝。為達到上述目的，本專利技術采用的技術方案是 一種多線硅片切割工藝，所述的工藝包括以下步驟 (1)、碳化硅微粉的選擇選擇粒度為2000的碳化硅微粉； (2)、砂漿配置將切削液和碳化硅微粉按照I:0. 92 I :1. I的質量比進行配比，使砂漿密度到I. 600 I. 615 ； (3)、切割使用直徑為6.5英寸的鋼線94km，以500 647m/min的速度進行鋼線的往復運動； (4)、完成對硅片的切割。優選地，鋼線選擇直徑為8英寸的154km。由于上述技術方案運用，本專利技術與現有技術相比具有下列優點和效果 本專利技術將粒度為2000的規格的砂在整條切割工藝上通用，從Φ 150mm、Φ 165mm、Φ 200mm的單晶及Φ 200mm多晶切割上成熟使用，既縮短了切割時間，也很大程度上降低了成本。具體實施例方式下面結合實施例對本專利技術作進一步描述 一種多線硅片切割工藝，所述的工藝包括以下步驟 (1)、碳化硅微粉的選擇選擇粒度為2000的碳化硅微粉； (2)、砂漿配置將切削液和碳化硅微粉按照I:0. 92 I :1. I的質量比進行配比，使砂漿密度到I. 600 I. 615 ； (3)、切割具有兩種直徑規格的鋼線供選擇直徑為6.5英寸的鋼線94km，以及直徑為8英寸的154km的鋼線，以500 647m/min的速度進行鋼線的往復運動； (4)、完成對硅片的切割。各種規格單晶從切割面積的不同，從而對砂漿密度、流量、更換量都有不同改變；對切割速度、材質、張力、線速度、用量也有不同的改變。而所謂的單晶就是一塊晶體中，內部的原子排列的長程有序規律是連續的；多晶則是由許多晶體顆粒所組成。在結構和密度上都有很大的區別，同時在切割工藝的要求上也存在很大的差異，多晶的切割成本相對比單晶要求更高。我們結合自身的經驗，在最低的成本上對不同規格的單晶硅片加工工藝方面進行不斷的改革和更新。目前已經使用粒度為2000的碳化硅微粉對Φ200πιπι (8寸)多晶硅片成功試驗并投產批量生產。上述實施例只為說明本專利技術的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人 士能夠了解本專利技術的內容并據以實施，并不能以此限制本專利技術的保護范圍。凡根據本專利技術精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本專利技術的保護范圍之內。權利要求1.一種多線硅片切割工藝，其特征在于所述的工藝包括以下步驟 (1)、碳化硅微粉的選擇選擇粒度為2000的碳化硅微粉； (2)、砂漿配置將切削液和碳化硅微粉按照I:0. 92 I :1. I的質量比進行配比，使砂漿密度到I. 600 I. 615，混合后對其進行，攪拌時間為8 10小時； (3)、切割使用直徑為6.5英寸的鋼線94km，以500 647m/min的速度進行鋼線的往復運動； (4)、完成對硅片的切割。2.根據權利要求I所述的多線硅片切割工藝，其特征在于鋼線選擇直徑為8英寸的154km。全文摘要本專利技術涉及一種多線硅片切割工藝，所述的工藝包括以下步驟碳化硅微粉的選擇選擇粒度為2000的碳化硅微粉；砂漿配置將切削液和碳化硅微粉按照10.92～11.1的質量比進行配比，使砂漿密度到1.600～1.615；切割使用直徑為6.5英寸的鋼線94km，以500～647m/min的速度進行鋼線的往復運動；完成對硅片的切割。本專利技術將粒度為2000的規格的砂在整條切割工藝上通用，從φ150mm、φ165mm、φ200mm的單晶及φ200mm多晶切割上成熟使用，既縮短了切割時間，也很大程度上降低了成本。文檔編號B28D5/04GK102909794SQ20111021762公開日2013年2月6日 申請日期2011年8月1日 優先權日2011年8月1日專利技術者陳春成, 毛紅軍 申請人:蘇州東泰太陽能科技有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種多線硅片切割工藝，其特征在于：所述的工藝包括以下步驟：（1）、碳化硅微粉的選擇：選擇粒度為2000的碳化硅微粉；（2）、砂漿配置：將切削液和碳化硅微粉按照1：0.92～1：1.1的質量比進行配比，使砂漿密度到1.600～1.615，混合后對其進行，攪拌時間為8～10小時；？（3）、切割：使用直徑為6.5英寸的鋼線94km，以500～647m/min的速度進行鋼線的往復運動；（4）、完成對硅片的切割。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳春成，毛紅軍，
申請(專利權)人：蘇州東泰太陽能科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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