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本發明涉及一種多線硅片切割工藝，所述的工藝包括以下步驟：碳化硅微粉的選擇：選擇粒度為2000的碳化硅微粉；砂漿配置：將切削液和碳化硅微粉按照1：0.92～1：1.1的質量比進行配比，使砂漿密度到1.600～1.615；切割：使用直徑為6.5...該專利屬于蘇州東泰太陽能科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過蘇州東泰太陽能科技有限公司授權不得商用。
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