一種采用混合等離子體實(shí)現(xiàn)硅基芯片與PDMS芯片鍵合的方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種采用混合等離子體實(shí)現(xiàn)硅基芯片與PDMS芯片鍵合的方法，首先提供一硅基芯片與一PDMS芯片，采用丙酮和酒精對所述硅基芯片及所述PDMS芯片進(jìn)行超聲清洗，然后采用氧氣及第二氣體的混合等離子體對所述硅基芯片的鍵合面及PDMS芯片的鍵合面進(jìn)行處理，最后將所述硅基芯片的鍵合面及PDMS芯片的鍵合面相互貼合并進(jìn)行按壓，以鍵合所述硅基芯片及PDMS芯片。具有以下有益效果：1）該方法在常溫下進(jìn)行，克服了高溫鍵合帶來的成品率低，操作耗時(shí)等缺點(diǎn)；2）該工藝過程簡單，成品率高，鍵合速度快，強(qiáng)度高，不會(huì)發(fā)生漏液現(xiàn)象；3）由于硅基芯片加工工藝成熟，可以制作復(fù)雜結(jié)構(gòu)，硅基芯片與PDMS芯片的鍵合有助于實(shí)現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)的微流控芯片。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種采用混合等離子體實(shí)現(xiàn)硅基芯片與PDMS芯片鍵合的方法，其特征在于，至少包括步驟：采用氧氣及第二氣體的混合等離子體對所述硅基芯片的鍵合面及PDMS芯片的鍵合面進(jìn)行處理，然后鍵合所述硅基芯片及PDMS芯片，所述第二氣體包括氮?dú)狻⒑狻⒛蕷狻鍤狻㈦礆狻㈦瘹狻㈦睔獾囊环N或其任意比例混合的氣體。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李鐵，高安然，戴鵬飛，魯娜，薩姆·海米拉，帕西·蓋里奧，王躍林，
申請(專利權(quán))人：中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，
類型：發(fā)明
國別省市：