電連接器制造技術(shù)

一種電連接器，其包括絕緣本體和若干固持于絕緣本體中的導(dǎo)電端子，所述絕緣本體包括頂面、底面以及若干位于頂面與底面之間的端子收容槽，所述端子收容槽包括貫穿絕緣本體的頂面與底面的狹槽，所述狹槽的內(nèi)壁面呈傾斜設(shè)置，使得所述狹槽的尺寸由上而下呈不相等設(shè)計(jì)，所述狹槽的內(nèi)壁面上設(shè)有屏蔽層。由于狹槽內(nèi)壁面傾斜設(shè)置使得狹槽的尺寸由上而下呈不相等設(shè)計(jì)，因而易于在狹槽的內(nèi)壁面上形成屏蔽層，從而使得電連接器具有較佳電磁屏蔽效果。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

電連接器
本技術(shù)有關(guān)于一種電連接器，尤其是指一種電性連接芯片模組至電路板的電連接器。
技術(shù)介紹
現(xiàn)有技術(shù)如中國技術(shù)專利公告第202103272號揭露了一種與本技術(shù)相關(guān)的電連接器，其用于電性連接芯片模組至電路板上，該電連接器包括設(shè)有若干端子收容槽的絕緣本體及若干裝設(shè)于端子收容槽中的導(dǎo)電端子。所述端子收容槽的內(nèi)表面設(shè)有屏蔽體，可防止導(dǎo)電端子間的電磁干擾，所述屏蔽體外設(shè)有隔離體，可防止導(dǎo)電端子與屏蔽體短接。所述屏蔽體和所述隔離體是采用鍍膜的方式形成。然而，由于上述現(xiàn)有技術(shù)中的端子收容槽的內(nèi)壁面呈豎直設(shè)置，因此在其內(nèi)壁面上鍍有屏蔽體或隔離體時(shí)操作會比較困難，較難形成較佳的鍍層。因此，確有必要提供一種改進(jìn)的電連接器，以克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的是提供一種方便屏蔽鍍層形成從而具有較佳電磁屏蔽效果的電連接器。本技術(shù)電連接器可通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種電連接器，其包括絕緣本體和若干固持于絕緣本體中的導(dǎo)電端子，所述絕緣本體包括頂面、底面以及若干位于頂面與底面之間的端子收容槽，其中所述端子收容槽包括開設(shè)于導(dǎo)電端子周圍的狹槽，所述狹槽的內(nèi)壁面呈傾斜設(shè)置，使得所述狹槽的尺寸由上而下呈不相等設(shè)計(jì)，所述狹槽的內(nèi)壁面上設(shè)有屏蔽層。本技術(shù)進(jìn)一步界定，所述狹槽的尺寸由上而下先逐漸減小再逐漸增大。本技術(shù)進(jìn)一步界定，所述狹槽的內(nèi)壁面上的屏蔽層是采用雷雕電鍍技術(shù)形成的金屬鍍層。本技術(shù)進(jìn)一步界定，所述導(dǎo)電端子包括彈性臂，所述彈性臂于其自由末端設(shè)有延伸出絕緣本體的頂面的接觸部，所述端子收容槽包括自絕緣本體的頂面向下凹陷形成的接觸部容納槽，所述接觸部容納槽位于所述導(dǎo)電端子的接觸部的下方，所述接觸部受壓后下沉收容于所述接觸部容納槽中。本技術(shù)進(jìn)一步界定，所述接觸部容納槽包括側(cè)壁和底壁，所述側(cè)壁傾斜設(shè)置使得所述接觸部容納槽自底壁向絕緣本體的頂面呈逐漸增大設(shè)置，所述側(cè)壁和底壁上設(shè)有由雷雕電鍍形成的屏蔽層。本技術(shù)進(jìn)一步界定，所述接觸部容納槽與所述狹槽相連通，所述接觸部容納槽的側(cè)壁和底壁上的屏蔽層與所述狹槽的內(nèi)壁面上的屏蔽層相連接。本技術(shù)進(jìn)一步界定，所述端子收容槽包括與所述狹槽相連通的固持槽，所述導(dǎo)電端子包括收容于固持槽中的第一固持部，所述彈性臂自第一固持部的上端傾斜延伸且橫跨所述狹槽。本技術(shù)進(jìn)一步界定，所述導(dǎo)電端子還包括自第一固持部側(cè)端彎折延伸設(shè)置的第二固持部以及自第一固持部下端向下延伸設(shè)置的焊接部，所述第二固持部和所述焊接部收容于所述固持槽中。本技術(shù)進(jìn)一步界定，所述絕緣本體的頂面與底面中至少有一面上設(shè)有位于兩排端子收容槽之間的連接層，所述連接層是采用雷雕電鍍形成的金屬鍍層，所述連接層與所述對應(yīng)的端子收容槽的狹槽內(nèi)壁面上的屏蔽層相連接。本技術(shù)進(jìn)一步界定，所述絕緣本體的頂面與底面中至少有一面上設(shè)有位于兩排端子收容槽之間的凹槽，所述凹槽與所述對應(yīng)的端子收容槽的狹槽相連通，所述連接層設(shè)于所述凹槽內(nèi)。所述絕緣本體的端子收容槽還設(shè)有貫穿絕緣本體的頂面與底面的固持孔，所述導(dǎo)電端子的固持部固定于所述固持孔中。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本技術(shù)電連接器的絕緣本體設(shè)有位于導(dǎo)電端子周圍的狹槽，所述狹槽的內(nèi)壁面呈傾斜設(shè)置使得所述狹槽的尺寸自上而下呈不相等設(shè)計(jì)，所述狹槽 的內(nèi)壁面上設(shè)有屏蔽層，所述屏蔽層對導(dǎo)電端子起電磁屏蔽的作用。由于狹槽的內(nèi)壁面呈傾斜設(shè)置使得所述狹槽的尺寸自上而下不相等，因此在狹槽的內(nèi)壁面上形成屏蔽層時(shí)操作較為方便，易于形成較佳的屏蔽層。附圖說明圖I是本技術(shù)電連接器的立體組合圖；圖2是本技術(shù)電連接器的立體分解圖；圖3是本技術(shù)電連接器的另一角度的立體組合圖；圖4是本技術(shù)電連接器的絕緣本體的立體圖；圖5是本技術(shù)電連接器的絕緣本體的俯視圖；及圖6是本技術(shù)電連接器沿圖I中A-A線的剖視圖，其中導(dǎo)電端子處于連接芯片模組至電路板時(shí)的狀態(tài)。具體實(shí)施方式請參照圖I至圖6所示，本技術(shù)電連接器100用于電性連接芯片模組(未標(biāo)號)至電路板(未標(biāo)號)。所述電連接器100包括絕緣本體I和若干固持于絕緣本體I中的導(dǎo)電端子2及錫球3。請參閱圖I、圖2所示,所述導(dǎo)電端子2包括第一固持部21、由第一固持部21上端向上彎折延伸設(shè)置的彈性臂22、由第一固持部21側(cè)端彎折延伸設(shè)置的第二固持部23以及由第一固持部21下端向下延伸設(shè)置的焊接部24。所述彈性臂22的自由末端向上凸起形成接觸部221。所述焊接部24可與絕緣本體I配合機(jī)械夾持錫球3于絕緣本體I中。請參閱圖3至圖6所示,所述絕緣本體I具有頂面10、底面12以及若干位于頂面10與底面12之間的端子收容槽11。所述端子收容槽11包括固持槽110、狹槽111以及接觸部容納槽112。狹槽111位于固持槽110與接觸部容納槽112之間并與固持槽110和接觸部容納槽112相連通。狹槽111貫穿絕緣本體I的頂面10與底面12且狹槽111的內(nèi)壁面傾斜設(shè)置使得所述狹槽111的尺寸由上而下呈現(xiàn)不相等。在本實(shí)施例中，狹槽111的尺寸自絕緣本體I的頂面10向底面12呈先逐漸減小再逐漸增大設(shè)置。狹槽111自其內(nèi)部中間位置向絕緣本體I的頂面10與底面12分別呈逐漸增大設(shè)置。狹槽111的內(nèi)壁面上設(shè)有由雷雕電鍍技術(shù)形成的屏蔽層1110。由于狹槽111自其內(nèi)部向絕緣本體I的頂面10與底面12逐漸增大，使得狹槽111呈現(xiàn)內(nèi)部窄、自內(nèi)部向絕緣本體I的頂面10與底面12逐漸變寬的喇叭狀，此形狀可方便應(yīng)用雷雕電鍍技術(shù)形成屏蔽層的操作。固持槽110貫穿絕緣本體I的頂面10與底面12，固持槽110用以收容導(dǎo)電端子2的第一固持部21、第二固持部23以及焊接部24。所述固持槽110內(nèi)未設(shè)有屏蔽層。接觸部容納槽112是自絕緣本體I的頂面10向下凹陷形成，所述接觸部容納槽112用以收容導(dǎo)電端子2的彈性臂22的接觸部221。所述接觸部容納槽112包括底壁和側(cè)壁，所述接觸部容納槽112的側(cè)壁傾斜設(shè)置使得所述接觸部容納槽112自底壁向絕緣本體I的頂面10呈逐漸增大設(shè)置。所述接觸部容納槽112的側(cè)壁和底壁上設(shè)由雷雕電鍍形成的屏蔽層1120。當(dāng)導(dǎo)電端子2處于自由狀態(tài)時(shí)，所述接觸部221延伸出絕緣本體I的頂面10并位于所述接觸部容納槽112的上方，受壓時(shí)所述接觸部221下沉收容于接觸部容納槽112中，接觸部容納槽112中設(shè)有的屏蔽層1120可對導(dǎo)電端子2的接觸部221起屏蔽作用。所述絕緣本體I的頂面10上設(shè)有若干相互平行并位于兩排端子收容槽11之間的凹槽101，所述凹槽101與其對應(yīng)的兩排端子收容槽11的所述狹槽111相連通。所述凹槽101內(nèi)設(shè)有連接層1010，所述連接層1010是由雷雕電鍍形成的金屬鍍層。所述凹槽101內(nèi)·的連接層1010與所述對應(yīng)的狹槽111內(nèi)壁面上的屏蔽層1110相連接。同樣，所述絕緣本體I的底面12也設(shè)有若干相互平行并位于兩排端子收容槽11之間的凹槽121，所述凹槽121與其對應(yīng)的兩排端子收容槽11的所述狹槽111相連通。所述凹槽121內(nèi)設(shè)有由雷雕電鍍形成的連接層1210，所述凹槽121內(nèi)的連接層1210與所述對應(yīng)的狹槽111內(nèi)壁面上的屏蔽層1110相連接。通過凹槽101、121內(nèi)的連接層1010、1210與狹槽111內(nèi)壁面上的屏蔽層1110相連接，使得整個(gè)電連接器連本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種電連接器，其包括絕緣本體和若干固持于絕緣本體中的導(dǎo)電端子，所述絕緣本體包括頂面、底面以及若干位于頂面與底面之間的端子收容槽，其特征在于：所述端子收容槽包括開設(shè)于導(dǎo)電端子周圍的狹槽，所述狹槽的內(nèi)壁面呈傾斜設(shè)置，使得所述狹槽的尺寸由上而下呈不相等設(shè)計(jì)，所述狹槽的內(nèi)壁面上設(shè)有屏蔽層。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張衍智，陳克豪，
申請(專利權(quán))人：富士康昆山電腦接插件有限公司，鴻海精密工業(yè)股份有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：