一種發光二極管光源裝置，其包括基座、設于基座上的第一發光二極管芯片與第二發光二極管芯片、及一熒光粉層，該熒光粉層設置在遮擋所述第一發光二極管芯片及第二發光二極管芯片的出光方向上，該第一發光二極管芯片為紫外光發光二極管芯片，該熒光粉層內分布有若干熒光粉顆粒，各熒光粉顆粒的外周面包覆一層鹵化銀，當第二發光二極管芯片導通而第一發光二極管芯片非導通時，第二發光二極管芯片激發熒光粉層發光而產生一種色溫；當第一發光二極管芯片與第一發光二極管芯片同時發光時，各熒光粉顆粒外周面的鹵化銀被第一發光二極管照射分解出銀原子而擋設于熒光粉顆粒周圍，該第二發光二極管芯片激發熒光粉層發光而產生另一種色溫。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種照明裝置，尤其是一種發光二極管光源裝置。
技術介紹
發光二極管是一種節能、環保、長壽命的固體光源，因此近十幾年來對發光二極管技術的研究一直非?；钴S，發光二極管也有漸漸取代日光燈、白熾燈等傳統光源的趨勢。在現有技術中，發光二極管光源裝置一般是將發光二極管芯片設置在電路板上，然后利用摻雜熒光粉的封裝膠體封裝該發光二極管，所述發光二極管芯片發出的光激發熒光粉射出到光源外部。但是，由于上述發光二極管僅能發出同一色溫的光線，導致安裝這些發光二極管的燈具的照明效果非常單一化，不能夠滿足實際需要
技術實現思路
有鑒于此，有必要提供一種可改變色溫的發光二極管光源裝置。一種發光二極管光源裝置，其包括基座、設于基座上的第一發光二極管芯片與第二發光二極管芯片、及一熒光粉層，該熒光粉層設置在遮擋所述第一發光二極管芯片及第二發光二極管芯片的出光方向上，該第一發光二極管芯片為紫外光發光二極管芯片，該熒光粉層內分布有若干熒光粉顆粒，各熒光粉顆粒的外周面包覆一層齒化銀，當第二發光二極管芯片導通而第一發光二極管芯片非導通時，第二發光二極管芯片激發熒光粉層發光而產生一種色溫；當第一發光二極管芯片與第一發光二極管芯片同時發光時，各熒光粉顆粒外周面的鹵化銀被第一發光二極管照射分解出銀原子而擋設于熒光粉顆粒周圍，該第二發光二極管芯片激發熒光粉層發光而產生另一種色溫。與現有技術相比，該發光二極管光源裝置可通過導通第一發光二極管芯片，而使各熒光粉顆粒外周面的鹵化銀被第一發光二極管照射分解出銀原子而擋設于熒光粉顆粒周圍，從而改變發光二極管光源裝置的整體色溫，進而達成該發光二極管光源裝置的不同色溫的需求。附圖說明圖I為本專利技術第一實施方式的發光二極管光源裝置的剖面結構示意圖。圖2為圖I所示的發光二極管光源裝置中的一個包覆有鹵化銀的熒光粉顆粒被第一發光二極管芯片照射后的示意圖。主要元件符號說明 夏免二極管光源裝置 j loo基座_10蛋= 光二極管芯片第二發光二極管芯片 30熒光粉層_50_頂面_11底面丨13#置槽115第一電極_12第二電極_TF第三電極_16要光粉顆粒i鹵化銀_54 銀原子_56導線iM斜面1150 如下具體實施方式將結合上述附圖進一步說明本專利技術。具體實施例方式如圖I所不,該發光二極管光源裝置100包括一基座10、設置在該基座10內的一第一發光二極管芯片20、一第二發光二極管芯片30及一熒光粉層50。該基座10包括一頂面11及與該頂面11相對的一底面13，該基座10從頂面11向底面13方向凹進形成一容置槽15。該容置槽15用于提供第一發光二極管芯片20、第二發光二極管芯片30及熒光粉層50的容置空間并設定發光二極管光源裝置100的光場。所述容置槽15內表面的側面為傾斜面150，該傾斜面150自頂面11向底面13方向延伸并沿容置槽15的徑向向內傾斜，使整個容置槽15呈一上寬下窄的形狀。優選地，容置槽15的內表面還涂敷有反光材料。該基座10內還設置有相互間隔的第一電極12、第二電極14及第三電極16，所述第一電極12、第二電極14及第三電極16并排設于容置槽15的底端,且第一電極12及第三電極16分別位于第二電極14的兩側。該第一電極12及第三電極16的一端分別延伸至容置槽15的底端，另一端分別延伸至基座10的外側，用于與外部電路連接，該第二電極14貫穿容置槽15的底端，用于與外部電路連接。所述第一發光二極管芯片20及第二發光二極管芯片30設于基座10上,并收容于該容置槽15內。該第一發光二極管芯片20設于第一電極12上，其為紫外光的發光二極管芯片。該第一發光二極管芯片20的兩端通過導線分別與基座10內的第一電極12及第三電極16連接。該第二發光二極管芯片30與第一發光二極管芯片20可各自控制。本實施例中，該第二發光二極管芯片30設于第二電極14上，其兩端通過導線60分別與基座10內的第二電極14及第三電極16連接。具體實施時，該第二發光二極管芯片30也可設于第三電極16上，所述第一發光二極管芯片20及第二發光二極管芯片30還可以采用覆晶封裝的方式設置在基座10上。該熒光粉層50設置于基座10上，并封閉容置槽15的頂部開口，以遮擋該第一發光二極管芯片20及第二發光二極管芯片30的出光光路。該突光粉層50由摻雜有突光粉的封膠樹脂制成，該熒光粉可選自釔鋁石榴石、鋱釔鋁石榴石及硅酸鹽中的一種或幾種的組合。該熒光粉層50內均勻分布若干熒光粉顆粒52，各熒光粉顆粒52的外表面包覆有一鹵化銀54，該鹵化銀54內摻雜有少量的氧化銅。本實施例中，該第二發光二極管芯片30為藍光二極管芯片，熒光粉為黃色的熒光粉。使用時，當第二發光二極管芯片30導通而第一發光二極管芯片20非導通時，該第二發光二極管芯片30發出藍光,該藍光的一部分被突光粉吸收而激發成黃光,該黃光繼而與剩余的藍光混合形成一定色溫的白光。請同時參閱圖2，當第一發光二極管芯片20也導通后，該第二發光二極管芯片30發射紫外光，該紫外光使得熒光粉顆粒52上的齒化銀54形成氧化還原作用，其中銀原子56會從鹵化銀54的化合物中分離出來，從而擋設于熒光粉顆粒52的外側，進而減小各熒光粉顆粒52被第二發光二極管芯片30的激發面積，由此，減少第二發光二極管芯片30被熒光粉吸收的藍光，使更多剩余的藍光與黃光混合，從而提高該發光二極管光源裝置100的整體色溫。當第一發光二極管芯片20再關閉后，該銀原子56在氧化銅的催化作用下與鹵原子重新結合成鹵化銀54，恢復熒光粉顆粒52的激發面積，進而使發光二極管光源裝置100恢復至原來的色溫。由此，通過該第一發光二極管芯片20的關閉即可達成發光二極管光源裝置100實現兩種色溫的目的。另外，該發光 二極管光源裝置100還可通過控制該第一發光二極管芯片20的電流來控制第一發光二極管芯片20的發光強度，從而控制熒光粉顆粒52外側的鹵化銀54的氧化還原的程度，來控制熒光粉顆粒52外側的銀原子56的數量，進而控制各熒光粉顆粒52的被第二發光二極管芯片30的激發面積的大小，來調節該發光二極管光源裝置100的整體色溫，以適應不同環境的需求。具體原理為當第一發光二極管芯片20電流越低，鹵化銀54分離出的銀原子56越少，熒光粉顆粒52被激發的面積越大，第二發光二極管芯片30被熒光粉吸收的光越多，從而該發光二極管光源裝置100的整體色溫降低；相反，當第一發光二極管芯片20電流越高，鹵化銀54分離出的銀原子56越多，熒光粉顆粒52被激發的面積越小，第二發光二極管芯片30被熒光粉吸收的光越少，從而該發光二極管光源裝置100的整體色溫提高。由此，達成發光二極管光源裝置100實現各種不同色溫的目的。具體實施時，該第二發光二極管芯片30的發光情況及熒光粉的顏色不受本實施例的限制，其也可為其他能相互配合且不對鹵化銀54的氧化還原造成影響的發光二極管芯片與熒光粉。該發光二極管光源裝置100的第一發光二極管芯片20及第二發光二極管芯片30上還可包覆有一封裝層，該封裝層為一透明封膠樹脂，用于保護第一及第二發光二極管芯片20、30免受灰塵、水氣等影響。另外，該熒光粉層50也可直接填充封設于基座10的整個容置槽15內。可以理解的是，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據本專利技術的技術構思做出其它本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種發光二極管光源裝置，其包括基座、設于基座上的第一發光二極管芯片與第二發光二極管芯片、及一熒光粉層，該熒光粉層設置在遮擋所述第一發光二極管芯片及第二發光二極管芯片的出光方向上，其特征在于：該第一發光二極管芯片為紫外光發光二極管芯片，該熒光粉層內分布有若干熒光粉顆粒，各熒光粉顆粒的外周面包覆一層鹵化銀，當第二發光二極管芯片導通而第一發光二極管芯片非導通時，第二發光二極管芯片激發熒光粉層發光而產生一種色溫；當第一發光二極管芯片與第一發光二極管芯片同時發光時，各熒光粉顆粒外周面的鹵化銀被第一發光二極管照射分解出銀原子而擋設于熒光粉顆粒周圍，該第二發光二極管芯片激發熒光粉層發光而產生另一種色溫。
【技術特征摘要】
1.一種發光二極管光源裝置，其包括基座、設于基座上的第一發光二極管芯片與第二發光二極管芯片、及一熒光粉層，該熒光粉層設置在遮擋所述第一發光二極管芯片及第二發光二極管芯片的出光方向上，其特征在于該第一發光二極管芯片為紫外光發光二極管芯片，該熒光粉層內分布有若干熒光粉顆粒，各熒光粉顆粒的外周面包覆一層鹵化銀，當第二發光二極管芯片導通而第一發光二極管芯片非導通時，第二發光二極管芯片激發熒光粉層發光而產生一種色溫；當第一發光二極管芯片與第一發光二極管芯片同時發光時，各熒光粉顆粒外周面的鹵化銀被第一發光二極管照射分解出銀原子而擋設于熒光粉顆粒周圍，該第二發光二極管芯片激發熒光粉層發光而產生另一種色溫。2.如權利要求I所述的發光二極管光源裝置，其特征在于當第一發光二極管芯片與第一發光二極管芯片同時發光時，改變第一發光二極管芯片的發光強度來控制鹵化銀分解出的銀原子的數量，從而調節該第二發光二極管芯片激發熒光粉層發光而產生的色溫。3.如權利要求I所述的發光二極管光源裝置，其特征在于所述鹵化銀中設有氧化銅，當第一發光二極管芯片由導通至關閉時，所述熒光粉顆粒周圍的銀原子與鹵素原子在氧化銅的催化作用下重新結合成鹵化銀，所述發光二極管光源裝置返回至只有第二發光二極管導通時的色溫狀態。4.如權利要求2所述的發光二極管光源裝置，其特征在于所述鹵化銀中設有氧化銅，當第一發光二極管芯片的發光強度...
【專利技術屬性】
技術研發人員：林厚德，張超雄，
申請(專利權)人：展晶科技深圳有限公司，榮創能源科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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