微電場梯度結構及其制備方法技術

本發明專利技術公開了一種微電場梯度結構及其制備方法，該微電場梯度結構由電阻基體、電阻基體表面的聚合物I、包埋在聚合物I并垂直于電阻基體的間隔一定間距的聚合物II薄片陣列、附著在薄片表面并與電阻基體相連的導電層組成。其制備方法包括以下步驟：（1）在電阻基體表面制備一層聚合物II；（2）采用刻蝕或壓印的方式形成聚合物II的薄片陣列；（3）在薄片陣列表面沉積導電層，并使得導電層與電阻基體緊密連接；（4）在薄片陣列之間填充聚合物I；（5）打磨表面的聚合物I，露出導電層，即獲得可形成微電場梯度的結構。本發明專利技術結構新穎，制備簡單，可在生物、光學、光電、信息等領域獲得應用。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
微電場梯度結構，其特征是，所述微電場梯度結構包括電阻基體、電阻基體表面的聚合物I、包埋在聚合物I并垂直于電阻基體的間隔一定間距的聚合物II薄片陣列以及附著在薄片表面并與電阻基體相連的導電層。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：葛海雄，陳延峰，袁長勝，盧明輝，
申請(專利權)人：無錫英普林納米科技有限公司，
類型：發明
國別省市：