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本發(fā)明公開了一種微電場梯度結(jié)構(gòu)及其制備方法，該微電場梯度結(jié)構(gòu)由電阻基體、電阻基體表面的聚合物I、包埋在聚合物I并垂直于電阻基體的間隔一定間距的聚合物II薄片陣列、附著在薄片表面并與電阻基體相連的導電層組成。其制備方法包括以下步驟：（1）在電...該專利屬于無錫英普林納米科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過無錫英普林納米科技有限公司授權(quán)不得商用。