通過在封閉式處理室內提供磁驅動環狀卡盤和至少一個處理流體收集器，且環狀卡盤和流體收集器相對于彼此能豎直移動，來自封閉式處理室內的過量處理流體的選擇性回收得以實現。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術總體上涉及用于處理諸如半導體晶片等晶片狀物件的表面的裝置，其中一或多種處理流體能從封閉 式處理室中回收。
技術介紹
半導體晶片經過種種表面處理工藝，比如蝕刻、清潔、拋光和材料沉積。為了適應這樣的工藝，單個晶片能相對于一或多個處理流體噴嘴由關聯于可旋轉載具(carrier)的卡盤支撐，例如如美國專利No. 4，903，717和No. 5，513，668中所描述的。替代地，適合支撐晶片的環形轉子形式的卡盤可被設置于封閉式處理室中并在沒有物理接觸的情況下由有源磁軸承(active magnetic bearing)驅動,例如如國際公布文本No. WO 2007/101764和美國專利No. 6，485，531中所描述的。由于離心作用從旋轉的晶片的邊緣被驅使向外的處理流體被傳送到共用排放管以進行清理。
技術實現思路
本專利技術人發現在如上所述類型的卡盤中，各種處理流體可以方便地從封閉式處理室中分別回收，使得所回收的流體可被重復利用或重復使用。根據本專利技術，用于在封閉式處理室中保持諸如半導體晶片之類的晶片狀物件的設備裝備有兩個或更多不同的流體收集器，其中通過從封閉式處理室外部驅動的磁耦合，晶片支撐件和流體收集器相對于彼此能移動，使得來自晶片表面的處理流體能被選擇性地導向既定的流體出口。附圖說明在參考附圖閱讀下面的本專利技術優選實施方式的詳細描述后，本專利技術的其他目的、特征和優點會變得更加顯而易見，其中圖Ia是根據本專利技術一實施方式所述的處理室的橫斷面側視圖，圖示處于晶片裝載/卸載狀態；圖Ib是圖Ia的處理室的橫斷面透視圖；圖Ic是圖Ia的處理室的橫斷面透視圖，圖示處于第一處理流體收集狀態；圖Id是圖Ia的處理室的橫斷面透視圖，圖示處于第二處理流體收集狀態；圖Ie是圖Ia的處理室的橫斷面透視圖，圖示處于替代的第二處理流體收集狀態；圖If是根據本專利技術另一實施方式所述的處理室的局部橫斷面透視圖；圖Ig是優選的流體收集器剖面和驅動組件的放大截面圖；圖2a是根據本專利技術另一實施方式所述的處理室的橫斷面透視圖；圖2b是圖2a的處理室的橫斷面視圖；圖2c是圖2a的處理室的橫斷面透視圖，圖示處于第一處理流體收集狀態；以及圖2d是圖2a的處理室的橫斷面透視圖，圖示處于第二處理流體收集狀態。具體實施例方式參考圖Ia和lb，封閉式處理室由位于具有開放頂部區域的較大的下室頂上的具有開放底部區域的上室限定，如下面將進一步詳細描述的。上室的周界由圓柱形室壁(105)限定。圓柱形室壁(105)包括具有上端的豎直方向的圓柱形壁和在下端的向外徑向延伸的凸緣。內罩板(131)位于圓柱形室壁(105)的上端上以便提供上室的封閉的頂表面，延伸于圓柱形室壁(105)的內部。內圓柱形板(131)還從圓柱形室壁(105)的上端向外徑向延伸。于是，封閉式處理室的上室包括在內罩板(131)下面且在圓柱形室壁(105)里面形成的內部區域。封閉式處理室的比上室大的下室由底板(136)從下面形成。框架(138)包括圍繞 底板(136)的周界連接的豎直壁從而形成下室的豎直延伸側壁。框架(138)的一個壁中具有晶片裝載和卸載通道門(134)，且框架(138)的另一個壁中具有維護通道門。在底板(136)對面，框架(138)被連接到向內延伸的環形罩板(132)，以便形成下室的環形頂表面。于是，封閉式處理室的下室包括在底板(136)上面、框架(138)里面且在環形罩板(132)下面形成的內部區域。環形罩板(132)其內周界邊緣被設定為抵靠圓柱形室壁(105)下端的水平延伸的凸緣，以便連接上室和下室從而形成封閉式處理室。環狀卡盤(102)位于上室中。環狀卡盤(102)適于可旋轉地支撐晶片(W)。優選地，環狀卡盤(102)包括具有用于選擇性地接觸和釋放晶片周界邊緣的多個偏心可移動夾持構件的可旋轉驅動環。在如圖Ia和Ib所示的實施方式中，環狀卡盤(102)包括鄰近圓柱形室壁(105)的內表面提供的環形轉子(103)。在環形轉子對面鄰近圓柱形室壁(105)的外表面具有定子(104)。轉子(103)和定子(104)作為馬達，通過有源磁軸承，環形轉子(從而受支撐的晶片)可被馬達旋轉。舉例來說，定子(104)可以包括可被有源控制(actively control)以通過轉子(103)上設置的對應的永久磁鐵可旋轉地驅動環狀卡盤(102)的多個電磁線圈或繞組。通過定子的有源控制或者通過永久磁鐵，還可以實現對環狀卡盤(102)的軸向和徑向支承。于是，環狀卡盤(102)可被浮起并在沒有機械接觸的情況下被可旋轉地驅動。替代地，轉子可被無源軸承控制，其中轉子的磁鐵被周向設置于該室外面的外轉子上的對應的高溫超導磁鐵(HTS-磁鐵)控制。在該替代實施方式中，環形轉子的每個磁鐵被固定(pin)于外轉子的對應的HTS-磁鐵。因此內轉子進行與外轉子相同的運動但不物理連接。內罩板(131)被介質入口(110)穿孔。類似地，底板(136)被介質入口(109)穿孔。在晶片的處理過程中，處理流體可被引導通過介質入口(109)和/或(110)到旋轉的晶片以便執行各種工藝，比如蝕刻、清潔、漂洗、以及對處理中的晶片的任何其它所希望的表面處理。環狀卡盤(102)包括后緣(122)，后緣(122)定位為相對于環狀卡盤(102)的旋轉軸成徑向向外的向下的角度。于是，旋轉晶片所產生的離心作用導致過量的處理流體(其已經通過介質入口(109)或(110)完成分配)被驅向環狀卡盤(102)的成角度的表面并自后緣(122)沿向下并向外的方向引導。在封閉式處理室的下室中，提供了一或多個能豎直移動的防濺罩(111，115)。在圖Ib中示出了兩個圓形防濺罩(111和115)，但可以理解的是任何希望數量的防濺罩可被提供并被本公開考慮，防濺罩的實際數量某種程度上取決于擬分別收集的不同處理流體的數量。外防濺罩(111)被設置為與內防濺罩(115)同中心。于是，內防濺罩(115)限定其內部的內處理流體收集器。外處理流體收集器由形成于內防濺罩(115)外表面和外防濺罩(111)內表面之間的環形區域限定。關聯于每一個這樣的流體收集器提供排放管用于將所收集的處理介質從各自的流體收集器傳送到封閉式處理室的外面。如圖Ib中所示，排放管(117)延伸穿過基板(136) 并向內流體收集器打開，而排放管(108)延伸穿過基板(136)并向外流體收集器打開。優選地，基板(136)相對于水平面向排放管(108)和(117)中的每一個傾斜，使得由內流體收集器或外流體收集器收集的流體沿基板(136)向排放管(117)和(118)流動。如圖Ia中所示，還提供了通向封閉式處理室的排氣口(106)以方便空氣和/或其他氣體和霧氣的流動。各個防濺罩在豎直方向上獨立地能移動。因此，各個防濺罩能相對于環狀卡盤(102)和相對于任何其它防濺罩選擇性地被提升和/或降低，使得來自環狀卡盤(122)的后緣的過量的處理流體被導向選定的流體收集器。在圖Ic中，外防濺罩(111)被描繪為處于相對于內防濺罩(115)被提升的狀態，使得來自環狀卡盤(102)的后緣(122)的過量的處理流體被導向外防濺罩(111)的內表面并流入外流體收集器。于是，來自處理中的晶片的表面的過量的流體可通過排放管(108)被選擇本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...
【專利技術屬性】
技術研發人員：安德烈亞斯·格萊斯納，賴納·奧博威格，
申請(專利權)人：朗姆研究公司，
類型：
國別省市：
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